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1、1 材料科学基础名词解释 第一章 材料结构的基本知识 1、晶体材料的组织：指材料由几个相( 或组织单元 ) 组成，各个相的相对量、尺寸、形状及分 布。第二章 材料的晶体结构 1、空间点阵：将理想模型中每个原子或原子团抽象为纯几何点，无数几何点在三维空间规律 排列的阵列 2、同素异构：是指有些元素在温度和压力变化时，晶体结构发生变化的特性 3、离子半径：从原子核中心到其最外层电子的平衡距离。 4、离子晶体配位数：在离子晶体中，与某一考察离子邻接的异号离子的数目称为该考察离子 的配位数。 5、配位数：晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数 6、致密度：晶体结构中原子体积占总体积的百分数； 第
2、三章 高分子材料的结构 1、聚合度：高分子化合物的大分子链是出大量锥告连成的。大分子链中链节的重复次数叫聚 合度 2、官能度：指在一个单体上能和别的单体发生键合的位置数目 3、加聚反应：由一种或多种单体相互加成而连接成聚合物的反应； 4、缩聚反应：由一种或多种单体相互混合而连接成聚合物，同时析出( 缩去) 某种低分子物质 (如水、氨、醉、卤化氢等)的反应； 5、共聚：由两种或两种以上的单休参加聚合而形成聚合物的反应。第四章晶体缺陷 1、晶体缺陷：实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域； 2、位错密度：晶体中位错的数量，是单位体积晶体中所包含的位错线总长度； 3、晶界：同一种相的晶粒与晶粒的边
3、界； 4、晶界内吸附：少量杂质或合金元素在晶体内部的分布是不均匀的，它们常偏聚于晶界，称 这种现象为晶界内吸附； 第五章材料的相结构及相图1、固溶体：当合金相的晶体结构保持溶剂组元的晶体结构时，这种相就称为一次固溶体或端际固溶体，简称固溶体。2、拓扑密堆积：如两种不同大小的原子堆积，利用拓扑学的配合规律，可得到全部或主要由四面体堆垛的复合相结构，形成空间利用率很高、配位数较大（12、14、15、16等）一类的中间相，称为拓扑密堆积。3、电子浓度：固溶体中价电子数目e与原子数目之比。4、间隙相：两组元间电负性相差大，且/0.59BArr，具有简单的晶体结构的中间相5、间隙化合物：两组元间电负性相
4、差大，且/0.59BArr，所形成化合物具有复杂的晶体结构。6、间隙固溶体：溶质原子溶入溶剂间隙所形成的固溶体。7、相图：表示平衡状态下，相组成、物质状态和T、 P、成分之间的简明图解8、相律：是表示材料系统相平衡的热力学表达式，具体表示系统自由度、组元数和相数之间的关系。9、枝晶偏析：合金凝固时一般均以枝晶的形式长大，枝晶的主干( 即先凝固部分) 含高熔点组元较多，而枝晶分技的间隙部分( 即后凝固部分 ) 含低熔点组元较多，这种在一个枝晶的范围内成分不均匀的现象，叫2 做枝晶偏析。10、伪共晶体：成分在共晶点附近的合金自液态快冷时，有可能使液相全部凝固成共晶体而没有初生相，这种共晶体又称伪共
5、晶体；11、固溶强化：溶质原子加入到溶剂原子中形成固溶体，固溶体在具有较高强度及硬度的同时，还保持良好的塑性，这一现象叫做固溶强化。12、相：是合金中具有同一聚集状态、同一晶体结构和性质并以界面相互隔开的均匀组成部分。13、珠光体：是铁素体与渗碳体的机械混合物，具有较高硬度与强度，综合机械性能较好。14、枝晶偏析：合金不平衡凝固时，先凝固的枝杆和后凝固的枝间成分不均匀的现象，可用均匀退火的方法消除枝晶偏析。15、合金：是指由两种或两种以上的金属、或金属与非金属经熔炼或用其他方法制成的具 有金属特性的物质。第六章 材料凝固与气相沉积1、均匀形核：在过冷液态金属中，依靠液态金属本身的能量变化获得驱
6、动力，由晶胚直接成核过程叫均匀成核；新相晶核在母相中均匀形成。2、非均匀成核：过冷液体中晶胚依附在其他物质上成核叫非均匀成核，如雨、雪。形核时3、形核率：单位时间、单位体积内所形成晶核的数目，n/s cm3 重合位置点阵：4、过冷：液相冷却到凝固点TM以下还保持其亚稳态而不凝固，这一现象叫做过冷。5、过冷度：液体冷却时凝固点TM与过冷液相所处温度T之差叫做过冷度(MTTT) 。第七章 扩散与固态相变1、稳态扩散：在扩散过程中各截面上的浓度不随时间改变的扩散叫稳态扩散。2、Kirkendall 效应：对于置换式固溶体中溶质原子的扩散，由于溶质和溶剂原子半径相差不大，原子扩散时和空位交换几率不相等
7、，导致两者扩散速率不同。能观察到这种实验结果的实验现象称为Kirkendall 效应3、体扩散：通过晶体点阵进行的扩散过程称为体扩散 4、无扩散相变：原子不发生随机走动的相变；第八章材料的变形与断裂 1、加工硬化：指金属晶体在塑性变形过程中，材料的强度随塑性变形量的增加而增加。其产生机制是随着冷变形量的增加，位错密度要增加，新产生的位错必然会通过其周围存在的应力场妨碍彼此的运动，位错的这种交互作用产生了加工硬化，使塑性变形的抗力增加；强化实质在于增加位错运动阻力。2、韧性：是材料在断裂以前能够吸收的能量大小的量度3、蠕变：当金属承受恒定负荷或恒定应力时、经过一段时间后，它可能进行递增的塑性变形
8、。这种与时间有关的应变，称为蠕变。4、固溶强化：指金属中溶质原子的存在，使其强度提高。固溶强化的根本原因在于溶质原子与位错交互作用，强化实质在于增加位错运动阻力。5、 细晶强化： 多晶体的屈服强度随晶粒尺寸的减小而增加。可以用 Hall-patch公式表示：1 2 0pKd，强化实质在于增加位错运动阻力。 6第九章 固体材料的电子结构与物理性能1、能带：组成晶体的原子能级密集，密集的能量范围叫能带3 2、价带：价电子能级分裂成的能带称为价带3、禁带：两个能带之间可能有一个能量间隔，这个能量间隔称为禁带( 亦称带隙 ) 。4、施主能级：杂质原子的电子能级正好位于本征硅靠近导带的禁带中，它的能量与
9、本征硅导带最低能级之差很小，很容易被激发到导带中。这种在激发中能向本征硅导带供给电子的杂质称为施主，其能级称为施主能级；5、受主能级：杂质原子在本征半导体的禁带中引进一个靠近其价带的能级，很容易接受从价带激发出来的电子，从而在价带中留下一个空穴。这类杂质原子称为受主，所在能级为受主能级；6、介电损耗：非理想电容器受交变电场作用时，由于偶极子取向需要克服分子间的摩擦力等 原因，在每一周期中获得的电场能量必定有一部分以热的形式损耗掉。这部分能量损耗叫介 电损耗7、介电击穿：当电场强度足够高时，通过电介质的电流是如此之大，致使电介质实际上变为导体，有时还能造成材料的局部熔化、烧焦和挥发等，这种现象叫做介电击穿。8、介电强度：造成电介质击穿的电场强度称为介电强度，也称击穿强度，通常以vmm 来表示。9、磁滞现象：退磁过程中B的变化落后于H的变化，这种现象称为磁滞现象；10、磁滞回线：在交变磁场的每一周期内，BH曲线构成一个封闭回路，这个回路曲线称为磁滞回线；11、退磁能 ：退磁场与铁磁体的交互作用能12、磁畴： 铁磁性物质在消磁状态下被分割成许多小的区域，这些小区域内原子磁矩平行取向，称为磁畴；13、退磁场：当一个有限大小的样品被外磁场磁化时，在其两端出现的自由磁极将产生一个与磁化强度方 向相反的磁场，称退磁场14、静磁能 ：外磁场与铁磁体的交互作用能；
