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1、IC 集成电路基本概念1. 根据工艺和结构的不同，可将 IC 分为哪几类？根据工艺和结构的不同，可将 IC 分为三类： 半导体 IC 或称单片（Monolithic）IC，膜 IC，又可分为两种 ： 厚膜电路，薄膜电路；混合 IC（Hybrid IC）按器件结构类型分类：双极集成电路，金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路。2. 用哪些技术指标描述集成电路工艺技术水平？描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标：集成度，特征尺寸，芯片面积，晶片直径，封装。3. 为什么数字 IC 和模拟 IC 划分集成电路规模的标准不同？因为数字 IC 中重复单元很多，而模拟 IC 中基本无重复单元。4. 集成电路
2、是哪一年由谁发明的？哪一种获得 Nobel 物理奖？1958 年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比(Clair Kilby)为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路，并于 1959 年公布了该结果。获得 2000 年 Nobel 物理奖。5. 为什么实现社会信息化的网络及其关键部件不管是各种计算机和/或通讯机，它们的基础都是微电子？因为其核心部件是集成电路。几乎所有的传统产业与微电子技术结合，用集成电路芯片进行智能改造，都可以使传统产业重新焕发青春。电子装备更新换代都基于微电子技术的进步，其灵巧（Smart）的程度都依赖于集成电路芯片的“智慧”程度和使用程度。 6. 采用哪些途径来提高集成度？
3、提高微细加工技术；芯片面积扩大 ；晶圆大直径化；简化电路结构 7. 21 世纪硅微电子芯片将沿着哪些方向继续向前发展？1)特征尺寸继续等比例缩小，沿着 Moore 定律继续高速发展； 2)片上芯片（SOC）：微电子由集成电路向集成系统（IS）发展 ； 3)赋予微电子芯片更多的“灵气” ：微机械电子系统（MEMS）和微光电机系统（MOEMS） ，生物芯片（biochip） ； 4)硅基的量子器件和纳米器件。8. 对如下英文单词或缩写给出简要解释：IC 集成电路(Integrated Circuit， IC)SSI 小规模集成电路(Small Scale IC，SSI)MSI 中规模集成电路(Me
4、dium Scale IC，MSI)LSI 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI)VLSI 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI)ULSI 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI)GSI 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI）Wafer 晶圆片，Foundry 标准工艺加工厂或称代客加工厂IDM 集成器件制造商(IDMIntegrated Device Manufactory Co.),IP core 知识产权核，fabless co. 无生产线公司（集成电路设计公司） ，chipless co
5、. 无芯片公司（开发知识产权核公司） ，mp 微处理机，DSP 数字信号处理，E2PROM 电可擦除可编程唯读存储器，Flash快闪存储器，A/D 模数转换，D/A 数模转换，SOI 绝缘衬底的硅薄膜(Silicon on Insulator)，SOS 兰宝石衬底外延硅结构(SOS-Silicon on Sapphire 结构)第 1 章 IC 工艺 1. 硅集成电路制造工艺主要由哪几个工序组成？1) 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上； 2) 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等； 3) 制膜：制作各种材料的薄膜2. 制版
6、的目的是什么？图形发生器（PG-pattern generator）是做什么用的设备？制版是通过图形发生器完成图形的缩小和重复。在设计完成集成电路的版图以后，设计者得到的是一组标准的制版数据，将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备)，图形发生器（PG-pattern generator）根据数据，将设计的版图结果分层的转移到掩模版上(掩模版为涂有感光材料的优质玻璃板)，这个过程叫初缩。3. 图形转换工序由哪些步骤组成？光刻与刻蚀工艺4. 为什么说光刻（含刻蚀）是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术？光刻工艺包括哪些步骤？光刻是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术，通常，光刻次数越多，就意味着
7、工艺越复杂。另方面，光刻所能加工的线条越细，意味着工艺线水平越高。光刻工艺是完成在整个硅片上进行开窗的工作。过程如下：1) 打底膜（HMDS 粘附促进剂，六甲基乙硅烷(HMDS)） ，2)涂光刻胶， 3) 前烘， 4)对版 曝光， 5)显影， 6)坚膜， 7)刻蚀：采用干法刻蚀（Dry Etching） ，8)去胶：化学方法及干法去胶。5. 说明光刻三要素的含义。光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机6. 正性胶(光致分解)和负性胶(光致聚合)各有什么特点？在 VLSI 工艺中通常使用那种光刻胶？ AZ-1350 系列是正胶还是负胶？正胶：曝光后可溶，负胶：曝光后不可溶。正胶的主要优点是分辨率高，
8、在 VLSI 工艺中通常使用正胶。AZ-1350 系列是正胶。光刻胶-photoresist; 正胶和负胶：positive and negative; 掩膜版-photomask; 光刻机-lithography machine7.常见的光刻方法有哪几种？接触与接近式光学曝光技术各有什么优缺点？1)接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。2)接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(1025mm)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低3)投影式曝光 Stepper：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式8. 说明图形刻蚀技术的
9、种类与作用。湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的9. 掺杂工艺有几种？为了在 N 型衬底上获得 P 型区，需掺何种杂质？为了在 P 型衬底上获得 N 型区，需掺何种杂质？热扩散与离子注入工艺各有什么优缺点？掺杂工艺分为热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。为了在 N 型衬底上获得 P 型区，需掺价元素硼杂质。为了在 P 型衬底上获得 N 型区，需掺价元素磷、砷杂质。所谓热扩散掺杂就是利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很
10、高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。工艺相对简单，但掺杂浓度控制精确度差、位置准确度也差。离子注入是将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定。离子注入技术以其掺杂浓度控制精确、位置准确等优点，正在取代热扩散掺杂技术，成为 VLSI 工艺流程中掺杂的主要技术。 但需昂贵的设备和退火工艺。由于高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶格损伤，在离子注入后要进行退火处理，根据注入的杂质数量不同，退火温度在 450950之间，掺杂浓度大则退火温度高，反之则低。在退火的同时，掺入的杂质同时向硅体内进行再
11、分布，如果需要，还要进行后续的高温处理以获得所需的结深和分布。11. 通常用什么方法制作 SiO2 薄膜？热氧化法：干氧氧化，水蒸汽氧化，湿氧氧化，干氧湿氧干氧(简称干湿干)氧化法；氢氧合成氧化；化学气相淀积法；热分解淀积法；溅射法12. 分别说明物理气相沉积和化学气相沉积在 IC 工艺中的两个应用实例。CVD(CVD-Chimical Vapor Depositiom)是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程，具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。较为常见的 CVD 薄膜包括有： 二氧化硅（通常直接称为氧化层）
12、 ， 氮化硅 ， 多晶硅， 难熔金属与这类金属之其硅化物 。PVD(PVD-Physical Vapor Deposition)主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气体，在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。13. 何谓场区和有源区？一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，称为场区。有源区是制作晶体管的区域。14. IC 的后工序包括哪些步骤。后工序包括：划片、粘片、压焊引线、封装、成品测试、老化筛选、打印包装。15. 说明下列英文单词或缩写的含义: PG 图形发生
13、器（pattern generator） ，Stepper 投影式曝光，UV 紫外光(Ultraviolet)， DUV 深紫外光(Deep)， EUV 极紫外光(Extra)， CVD 化学气相沉积，PVD 物理气相沉积，APCVD 常压化学气相淀积(Atmosphere Pressure)，LPCVD 低压化學气相淀积(Low)，PECVD等离子增强化學气相淀积(Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)， DIP 双列直插式封装(dual-in-line package)，PGA 插针网格阵列封装(Pin Grid Array Packag
14、e)，BGA 球栅阵列封装(Ball Grid Array)，SOP 小外型封装(small out-line)，SOJ J 型引线小外型封装(Small Out-Line J-Leaded Package)，QFP 四边出脚扁平封装(quad flat package)，PLCC 塑料 J 型有引线片式载体封装(plastic leaded chip carrier)，SMT 表面安装式封装(Surface Mounted Technology)。集成电路的基本制造工艺 流程1. 双极型 IC 的隔离技术主要有几种类型。pn 结隔离和绝缘介质隔离2. 标准隐埋集电极隔离工艺 SBCStand
15、ard Buried Collector Process 3. pn 结隔离技术有何特点？N+埋层扩散起何作用？利用反偏 pn 结的高阻抗特性达到电隔离的目的。它要求隔离槽必须接电路最低电位，由于集成电路中的晶体管是三结四层结构，集成电路中各元件的端点都从上表面引出，并在上表面实现互连，为了减小晶体管集电极的串联电阻 rCS，减小寄生 PNP 管的影响，在制作元器件的外延层和村底之间需要作 N+隐埋层提供 IC 的低阻通路。N+埋层扩散起的作用是：减小集电极串联电阻，减小寄生 PNP 管的影响。为进一步降低集电极串联电阻 rCS 集电极接触区加磷穿透扩散（应在基区扩散之前进行） 。4. 在隔离
16、岛上制作 NPN 型管的工艺流程最少需几块掩膜版？依工艺顺序写出各掩膜版的名称。最少需六块掩膜版。第一次光刻N+埋层扩散，第二次光刻P+隔离扩散，第三次光刻P 型基区扩散，第四次光刻N+发射区扩散，第五次光刻引线接触，第六次光刻金属化内连线：反刻铝，5. 对通隔离技术有何特点？对通隔离技术可减小隔离槽的实际宽度。6 . 简述 P 阱硅栅 CMOS 工艺流程，每次光刻的目地是什么？1、光刻 I-阱区光刻，刻出阱区注入孔 2、阱区注入及推进，形成阱区3、去除 SiO2，长薄氧，长 Si3N44、光 II-有源区光刻5、光 III-N 管场区光刻，N 管场区注入，以提高场开启 VTF，减少闩锁效应及改善阱的接触。6、长场氧，漂去 SiO2 及 Si3N4，然后长栅氧化层。7、光-p 管场区光刻（用光 I 的负版） ，p 管场区注入， 调节PMOS 管的开启电压，然后生长多晶硅。8、光-多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻9、光-P+区光刻，P+区注入。形成 PMOS 管的源、漏区及 P+保护环。10
