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1、1 1、薄膜电池电极引线问题、薄膜电池电极引线问题转问转问: :如题，大家用的铝带如题，大家用的铝带( (薄膜电池电极引线薄膜电池电极引线) )是哪家公司的？是哪家公司的？不方便直接说，请发短消息给我，谢谢！不方便直接说，请发短消息给我，谢谢！还有通常说的铝带应该是铝合金带还是纯铝？还有通常说的铝带应该是铝合金带还是纯铝？与与 SnO2:FSnO2:F 的结合性如何？与背电极的结合性如何？与背电极 Al/NiAl/Ni 的焊接性又如何的焊接性又如何? ?铺设于引线之下的绝缘带大家用什么材料？偶想用薄的 TPE 或薄双面胶，但怕双面胶不够稳定其实还有一个问题：非晶硅薄膜电池电极引线为什么要用铝带
2、？而不用镀锡铜带金属之间的可焊接性？成本？还是其他原因望这方面的高手出来解疑：铜带超级厚 根本焊补上 况且即便焊上 层压也会压裂吧 双面胶就可以：0.080.1mm 也算厚吗?那常用的铝带大概多少厚？双面胶用那哪的好一点？美国大公司的？：太厚了很容易压裂的啊双面胶没有最好的，只有最适用的，大面积撒网试验，然后挑选焊接结合和 Sno2 有关系吗？不知道2 2、氢气直接还原二氧化硅（超纯面板）制作多晶硅薄膜、氢气直接还原二氧化硅（超纯面板）制作多晶硅薄膜制作多晶硅薄膜的传统方法需要较高的工作温度，浪费电能，而且晶粒生长速度缓慢，需制作多晶硅薄膜的传统方法需要较高的工作温度，浪费电能，而且晶粒生长速
3、度缓慢，需要找寻一个能与之有很好匹配性能的衬底，生产工序流程繁多复杂，导致成本高。要找寻一个能与之有很好匹配性能的衬底，生产工序流程繁多复杂，导致成本高。 这里讲到的以氢气直接还原超纯玻璃面板法，省略了传统工艺流程中的很多工序，而且工这里讲到的以氢气直接还原超纯玻璃面板法，省略了传统工艺流程中的很多工序，而且工作温度相对来说较低，在根本上改变了晶粒生长方式，而且是可以在两面都制作作温度相对来说较低，在根本上改变了晶粒生长方式，而且是可以在两面都制作 P/NP/N 结，结，本人认为值得一试：首先选定一定尺寸型号的玻璃板，要求这块玻璃板中二氧化硅含量尽本人认为值得一试：首先选定一定尺寸型号的玻璃板
4、，要求这块玻璃板中二氧化硅含量尽可能达到可能达到 100100，这样可以确保多晶硅薄膜的纯度，其长宽数值可以直接根据不同功率输，这样可以确保多晶硅薄膜的纯度，其长宽数值可以直接根据不同功率输出进行选择，将切割好的超纯玻璃面板置入加热炉内，炉子要求密闭性能好不可漏气，将出进行选择，将切割好的超纯玻璃面板置入加热炉内，炉子要求密闭性能好不可漏气，将炉子尽可能抽成真空，当然要求炉子能承受一个大气压，然后将纯净的氢气放入，这样超炉子尽可能抽成真空，当然要求炉子能承受一个大气压，然后将纯净的氢气放入，这样超纯玻璃面板就处于一个氢气氛围中，对玻璃面板进行加热，要求温度不至于高到使玻璃板纯玻璃面板就处于一个
5、氢气氛围中，对玻璃面板进行加热，要求温度不至于高到使玻璃板发生融化而变形，这可以通过温度传感器来控制加热部分，加热可以利用微波或者电磁方发生融化而变形，这可以通过温度传感器来控制加热部分，加热可以利用微波或者电磁方式，传感器检测到温度过高时切断加热电路，要求热量利用效率尽可能高，而热量损失尽式，传感器检测到温度过高时切断加热电路，要求热量利用效率尽可能高，而热量损失尽可能少，炉子内壁能将热反射到玻璃上，炉子外壁套一层高温隔热材料。我们都知道二氧可能少，炉子内壁能将热反射到玻璃上，炉子外壁套一层高温隔热材料。我们都知道二氧化硅在高温下能被铝或者镁还原，氢气作为一种还原剂，也许同样能还原二氧化硅，
6、在纯化硅在高温下能被铝或者镁还原，氢气作为一种还原剂，也许同样能还原二氧化硅，在纯氢气氛围中，氢气能与二氧化硅发生这样的化学反应氢气氛围中，氢气能与二氧化硅发生这样的化学反应:SiO2:SiO22H2=Si2H2=Si2H2O2H2O可以在炉子内放置高温吸水材料及时将水系附，这样可以确保炉子内纯氢气氛围，一段时可以在炉子内放置高温吸水材料及时将水系附，这样可以确保炉子内纯氢气氛围，一段时间后玻璃面板表面可以形成一层多晶硅薄膜，将隔热材料拿开，淋水以降低炉子温度，温间后玻璃面板表面可以形成一层多晶硅薄膜，将隔热材料拿开，淋水以降低炉子温度，温度降到一定程度时候开启拿出面板，可以得到已经成形的多晶
7、硅薄膜基体。也许以上的设度降到一定程度时候开启拿出面板，可以得到已经成形的多晶硅薄膜基体。也许以上的设想是异想天开，根本不可能实现，但在这里仅当作抛砖引玉，希望业内人士批评斧正想是异想天开，根本不可能实现，但在这里仅当作抛砖引玉，希望业内人士批评斧正 ！：用于薄膜晶体管、太阳能电池等器件应用的多晶硅纯度要求很高（一般 6 个九），衬底纯度自然要求也很高，除非工艺温度很低。高温下，就需要石英衬底，太昂贵。氢气还原SiO2 得到多晶硅的温度肯定很高，温度低，不可能还原，就算还原，也不是多晶硅，而是非晶硅薄膜。3 3、提高非晶硅电池效率的方法之我见、你见、提高非晶硅电池效率的方法之我见、你见经过汇总
8、多个资料，自我总结了一下提升非晶硅电池效率的方法，其中也有一些我个人的经过汇总多个资料，自我总结了一下提升非晶硅电池效率的方法，其中也有一些我个人的设想，分享如下：设想，分享如下：首先我们确定一个思路：先分析并列举光子经过非晶硅电池时主要损失，然后就首先我们确定一个思路：先分析并列举光子经过非晶硅电池时主要损失，然后就各点得出相应的对策以避免或减少损失。各点得出相应的对策以避免或减少损失。1.1.欠能和过能损失：欠能和过能损失：即能量低于带隙的光子和能量高出带隙的光子。在晶硅电池里，仅这两项损失就即能量低于带隙的光子和能量高出带隙的光子。在晶硅电池里，仅这两项损失就损失掉百分之六十几的光照能量
9、损失掉百分之六十几的光照能量相当可观的数字；在非晶硅电池里，这个数字应该略相当可观的数字；在非晶硅电池里，这个数字应该略有不同，但相信差不了多少，道理是一样的。所以个人认为，把提升效率的主要注意力放有不同，但相信差不了多少，道理是一样的。所以个人认为，把提升效率的主要注意力放在这里，在这两项中寻找突破，那将是跳跃式的进步。在这里，在这两项中寻找突破，那将是跳跃式的进步。2.2.串联电阻分压损失和并联电阻分流损失，而串联电阻主要是包括电极在内的各区体电阻串联电阻分压损失和并联电阻分流损失，而串联电阻主要是包括电极在内的各区体电阻和各个交界面的接触电阻和各个交界面的接触电阻-此电阻当然越小越好；并
10、联电阻分流则主要是电池表面的漏电此电阻当然越小越好；并联电阻分流则主要是电池表面的漏电流和流和 PNPN 结区存在杂质和缺陷引起的漏电流，也可以简单的说是前、背表面复合和结区复合结区存在杂质和缺陷引起的漏电流，也可以简单的说是前、背表面复合和结区复合中心复合损失。中心复合损失。 这一项损失也占有比较大的比重。这一项损失也占有比较大的比重。3.3.反射损失反射损失4.4.光生载流子还未来得及被光生载流子还未来得及被 PNPN 结分离便复合掉了结分离便复合掉了5.5.暗电流分流损失。暗电流分流损失。对策及解决方法：对策及解决方法：对于对于 1.1.目前最常用的是多层结构，不同带隙的材料按照从大到小
11、的顺序自上而下依次排列，目前最常用的是多层结构，不同带隙的材料按照从大到小的顺序自上而下依次排列，高能光子被相应的宽带隙层吸收，低能光子被相应的窄带隙层吸收。高能光子被相应的宽带隙层吸收，低能光子被相应的窄带隙层吸收。 由此拓宽了光谱响应由此拓宽了光谱响应的范围，理想的情况是，在整个从紫外到红外光谱区域上都能得到有效的吸收。另外在这的范围，理想的情况是，在整个从紫外到红外光谱区域上都能得到有效的吸收。另外在这点上，本人有个设想：点上，本人有个设想：PINPIN 结构中，结构中，P P、N N 两层是做为两层是做为“死层死层”而存在的，主要起提供电场而存在的，主要起提供电场的作用，而他们区域内的
12、载流子对光电流几乎不起作用，那么我们能不能让他们变成的作用，而他们区域内的载流子对光电流几乎不起作用，那么我们能不能让他们变成“活活层层”，也对光电流起贡献，比如，也对光电流起贡献，比如 P P、N N 两层都用微晶硅或者纳米硅。两层都用微晶硅或者纳米硅。对于对于 2.2. 这里涉及到多个方面：这里涉及到多个方面：首先降低各区包括电子在内的体电阻，主要是半导体层的电阻，那么就要求电阻率首先降低各区包括电子在内的体电阻，主要是半导体层的电阻，那么就要求电阻率尽量小，根据半导体物理学，室温下，增加掺杂浓度（或者同掺杂下尽量降低工作温度）尽量小，根据半导体物理学，室温下，增加掺杂浓度（或者同掺杂下尽
13、量降低工作温度）可以减小电阻率。（但掺杂过高会引起过掺杂效应，所以要可以减小电阻率。（但掺杂过高会引起过掺杂效应，所以要“适当适当”）其次为减少界面处的接触电阻，需要尽可能的减少晶格失配等问题，比如有公司用其次为减少界面处的接触电阻，需要尽可能的减少晶格失配等问题，比如有公司用的的 a-SiC:Ha-SiC:H 做窗口层，它和下面做窗口层，它和下面 I I 层的层的 a-Si:Ha-Si:H 就存在着一定的晶格失配。可以考虑用氢就存在着一定的晶格失配。可以考虑用氢化纳米非晶硅做窗口层，用微晶硅或者纳米硅做化纳米非晶硅做窗口层，用微晶硅或者纳米硅做 P P 和和 N N 层。层。再次，尽可能的减
14、少表面复合和结区复合，一般的方法是再次，尽可能的减少表面复合和结区复合，一般的方法是 H H 表面钝化和表面钝化和 H H 对内部悬对内部悬挂键的饱和，以及进可能的减少挂键的饱和，以及进可能的减少 O O、N N 等杂质以减少复合中心。在这点上，我个人的的想等杂质以减少复合中心。在这点上，我个人的的想法是，使用微波电子回旋共振法代替当前普遍使用的法是，使用微波电子回旋共振法代替当前普遍使用的 PECVD-PECVD-两大明显优势：两大明显优势： 一，前者是一，前者是无电极放电，因而避免了因后者电极引入的杂质。二，放电功率高，并能使无电极放电，因而避免了因后者电极引入的杂质。二，放电功率高，并能
15、使 H H 气最大限度气最大限度的离解，也极大的降低了由于的离解，也极大的降低了由于 H H 气引入的一些缺陷态，进而一定程度上抑制了气引入的一些缺陷态，进而一定程度上抑制了 S-WS-W 效应。效应。对于对于 3.3. 电池上表面作成绒面的陷光结构电池上表面作成绒面的陷光结构+ +增透膜；电池背面加背反射层增透膜；电池背面加背反射层对于对于 4.4. 多层的基础上适当的减薄多层的基础上适当的减薄 I I 层的厚度以增强电场强度，从而增强载流子的吸收层的厚度以增强电场强度，从而增强载流子的吸收对于对于 5.5. 暗电流是光生电压引出到外电路之后引起的暗电流是光生电压引出到外电路之后引起的“正向
16、电流正向电流”，该如何减少本人暂不，该如何减少本人暂不明白。明白。以上是个人在学习过程中总结出的一点看法，也许有不当之处，还请高手们指正；另外，以上是个人在学习过程中总结出的一点看法，也许有不当之处，还请高手们指正；另外，我发此帖子也只是抛砖引玉，希望大家各抒己见，目的是我们能够共同进步。我发此帖子也只是抛砖引玉，希望大家各抒己见，目的是我们能够共同进步。交流交流 QQQQ：342163935342163935：LZ 很有想法，不过 LZ 还是先多看点文献资料，很多点子已经有不少文章了，可行与否 已经给出了大案。 对于 LZ 说的 P、N 层的载流子对光电流不起作用这种说法需要注意，电导率（或者电阻） 取决于在载流子浓度和载流子迁移率，如果做成活跃层，比如接近吸收层的话，电阻会很 大的，这就相当于有一个很大的串联电阻存在，光生电流不就损耗更大了？ a-SiC 窗口层跟 a-Si 本征层有晶格失配的问题，LZ 知道纳米硅层和 a-Si 本征层的失配不 是更大？ 多看文献，多想想，有想法不错。：第 5
