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1、CMOS 模拟集成电路设计复习思考题1.写出 NMOS 管的开启导通条件、饱和导通条件以及分别工作在线性区和饱和区的漏电流公式（0） 。2.写出 NMOSFET 分别在饱和区和深线性区的跨导 gm 及小信号输出电阻公式。3.MOS 运放中 MOS 管应工作在线性区还是饱和区？为什么？4.MOSFET 有哪些二级效应？5.什么是 MOSFET 的衬偏效应和沟道调制效应？沟道调制效应系数 与沟道长度 L、MOS 管工作在饱和区的小信号电阻 r0有何关系？6.分别画出 P-SUB 及 N-SUB 上的 NMOS 管和 PMOS 管的剖面图。P-SUB 及 N-SUB 应分别接什么电位，为什么？7.画
2、出单级共源共栅放大器的电路图，若这一电路制造在 N-SUB 上，其中那些管存在衬偏效应和那些管不存在衬偏效应？为什么？8.画出 NMOSFET 的 IDVDS曲线及其低频时的小信号等效电路(0，=0)。9.MOSFET 为什么可以用作模拟开关？传送低电平“0”时应选用 NMOS 管还是 PMOS 管？ 如果既要传送“0”和“1”电平，可以采取什么办法？10. 比较电阻负载、恒流源负载和 MOS“二极管”负载的 CS 放大器的主要区别。11. 差分放大器的主要优点是什么？12. 写出下图中从箭头端看进去的小信号输入电阻13. 写出下图中的小信号输出电阻14. 假定0，0，写出下图中从输出端看进去
3、的输入电阻 Rin1Rin4，其中可用作恒流源的是那些电路单元？比较这些恒流源单元电路各有何特点。15. “极点越多放大器带宽越窄”的说法正确吗？为什么？16. 比较恒流源负载的 CS、CD、CG 放大器的带宽大小关系，如果想得到较大的增益带宽积，可采取的办法是什么？17. 以下图（A）基本 CS 放大器为例，试说明何谓米勒效应？为什么说 Von 是模拟 CMOS 集成电路设计中的一个重要设计参数。18. 上图电路中，假定节点 out1 和 out2 的小信号输出电阻与信号源內阻 Rs 有相同的数量级，节点 out1和 out2 的寄生电容也具有相同的数量级，回答下面问题：1）假定（A） 、
4、（B）电路做在同一个衬底上，试判断衬底的类型并说明原因。2）试比较（A） 、 （B）两个电路的 f3dB 的大小，并说明原因。3）若在节点 out1 和 out2 分别接上相同大小的负载电容 CL（远大于节点的寄生电容） ，重新比较（A） 、 （B）两个电路的 f3dB 的大小，并说明原因。19. 画出 NMOS 输入对管的单级折叠式运放和单级套筒式运放电路图并比较它们的区别。20. 如果需设计两个电阻的比为 2：1，你认为下图中那个版图的匹配特性最好？为什么？图题 20 图题 21 图题 2221. 假定0, 试证明：如果两个宽长比为 W/L 的 NMOS 管并联用作恒流源时等效于一个（2W
5、/L）的 NMOS 管，如图 3（1）所示。如果两个宽长比为 W/L 的 NMOS 管串联用作恒流源时等效于一个（W/2L）的 NMOS 管，如图 3（2）所示。22. 求图中所示电路的差模信号增益 Ad（可直接写出结果） 。并写出其共模输入电压范围。若保持 ID5不变，如何提高差模增益 Ad（至少写出两种方案）？此时 f3dB、共模输入电压范围如何变化？23. 右图中假定0，IR=100uA，nCox1.4410-5AV-2，M1M8的宽长比均为（W/L）400u/5u，求图（1）电路的 V0min，并求 VA, VB的值。求图（2）电路的 V0min，并求 VC, VD以及电阻 R 的值。
6、24. 画出低压共25. 左图中假定（W/L）150/0.5， （W/L）250/2，ID1ID2500A，p 2n0.02（L0.5） ， 1/L，nC ox2 pC ox60 A*V-2。求：小信号增益 AV 两个 MOS 管均饱和时，输出电压的最大摆幅。假定 VDD=3V， VTN| VTP| 0.7V。图题 23 图题 2421. 下图中，设 Kn2Kp（KnnCox） ， p 2n ，每个支路偏值电流相等。设每个管的宽长比相等且均工作在饱和区。初略估计，定性选择那个电路具有：1.最大交流小信号增；2.最低交流小信号增益；3.最高交流输出电阻；4.最低交流输出电阻。并说明理由。22. 下图中，设 Kn2Kp（KnnCox） ， p 2n ，每个支电路偏值电流相等。设每个管的 W/L相等且均工作在饱和区。确定哪个或哪些电路具有下列特性：1.最高小信号电压增益；2.最低小信号电压增益；3.最高小信号输出电阻；4.最低小信号输出电阻 ； 5.最低功耗；6.最大 Vout；7.最小Vout；。并说明理由。
