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施密特触发器的应用施密特触发器的应用多谐振荡器多谐振荡器利用施密特触发器可以构成多谐振荡器。其电路如图 3 所示。图 3 用施密特触发器构成的多谐振荡器接通电源瞬间，电容C上的电压为 0V，输出 vO为高电平。vO通过电阻R 对电容C 充电，当 v达到VT+时，施密特触发器翻转，输出为低电平，此后电容C又开始放电，v下降，当 v下降到VT-时，电路又发生翻转，如此周而复始而形成振荡。其输入、输出波形如图 10.10.4 所示。图 4 施密特触发器构成的多谐振荡器的波形若在图 3 中采用的是 CMOS 施密特触发器，且VOHVDD，VOL0，根据图.4 的电压波形得到振荡周期计算公式为T =T1+T2当采用 TTL 施密特触发器（例如 7414）时，考虑到输入电路对电容充放电的影响，电阻R不能大于 470，以保证输入端能够达到负向阈值电平。R 的最小值由门的扇出数确定（不得小于 100）。对于典型的参数值（VT-=0.8V, VT+=1.6V，输出电压摆幅为 3V）,最大可能的振荡频率为 10MHz。
