led芯片的制造工艺简介

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1、 LED 芯片的制造工艺简介芯片的制造工艺简介 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测 工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段 （Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如 晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有 关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学

2、气相沉 积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最 终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶 粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格 的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe） 仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开， 分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格 的晶粒则舍弃。 3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把 晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的

3、插脚连接，以作为与外界电路 板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受 到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里 可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特 殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、 运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特 殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分 芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须 为客户设计专

4、用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标 识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况 定作降级品或废品。 LED 芯片的制造工艺流程：外延片清洗镀透明电极层透明电极图形光刻腐蚀去胶平台图形光 刻干法刻蚀去胶退火SiO2 沉积窗口图形光刻SiO2 腐蚀去胶N 极图形光刻预清洗镀膜剥离退火P 极图形光刻镀膜剥离研磨 切割芯片成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对 LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割 LED 外延片（以前 切割 LED 外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽

5、取九 个点做参数测试，如图所示：1、 主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片 再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一 边另外处理。2、 晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大 30 倍数 的显微镜下进行目测。3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片 进行全自动化挑选、测试和分类。4、 最后对 LED 芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心， 蓝膜上最多有 5000 粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于 1000 粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的 背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排 列整齐和质量合格。这样就制成 LED 芯片（目前市场上统称方片）。在 LED 芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来， 这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就 自然成了边片或毛片等。刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的 晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做 LED 方片，也就不做任何分 检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的 LED 大圆片（但是大圆片里也有 好东西，如方片）。