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1、太阳库专注为您建光伏电站 http:/ Si 电池、硅光电池的比较GaAs 太阳电池的发展是从上世纪 50 年代开始的，至今已有已有 50 多年的历史。1954 年世界上首次发现 GaAs 材料具有光伏效应。在 1956 年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性，他们指出 Eg 在 1.21.6eV 范围内的材料具有最高的转换效率。目前实验室 GaAs 电池的效率最高已经能够达到 50%。GaAs 太阳电池是一种族化合物半导体太阳电池，与 Si 太阳电池相比，其特点为：(1)转换效率高。GaAs 的禁带宽度相比于 Si 要宽，光谱响应特性与太阳光谱的匹配度也比
2、Si 要好。所以，GaAs 太阳能电池的光电转化效率要高于 Si 太阳能电池。Si 电池的理论效率仅为 23%，而单节的 GaAs 电池理论效率为 27%，而多节 GaAs 的电池理论效率更是高达 50%。(2)可以制成超薄型电池。GaAs 是直接带隙半导体，而 Si 是间接带隙半导体，在可见光到红外的光谱内，GaAs 的吸收效率要远远高于 Si。同样吸收 95%的太阳光，Si 需要 150m 以上的厚度，但是 GaAs 只需要5m10m，用 GaAs 制成的太阳能电池，在质量上可以大大减轻。(3)耐高温太阳库专注为您建光伏电站 http:/ 的本征载流子浓度低，GaAs 太阳电池的最大功率温
3、度系数(-210-3-1)较低比 Si(-4.410-3-1)太阳电池小很多。200时，Si 太阳电池已不能工作，而 GaAs 太阳电池的效率仍有约10%。这使得 GaAs 电池可以在聚光领域有很好的应用。(4)抗辐射性能好GaAs 少子寿命短，在离结几个扩散度外产生的损伤，对光电流和暗电流均无影响。因此，其抗高能粒子辐照的性能优于间接禁带的 Si 太阳电池。在电子能量为 1MeV，通量为 11015 个/cm2 辐照条件下，辐照后与辐照前太阳电池输出功率比，GaAs 单结太阳电池0.76，GaAs 多结太阳电池0.81，而 BSFSi 太阳电池仅为 0.70。(5)可制成效率更高的多结叠层太
4、阳电池随着 MOCVD 技术的日益完善，族三元、四元化合物半导体材料(GaInP、AlGaInP、GaInAs)的生长技术取得重大突破，为多结叠层太阳电池研制提供了多种可供选择的材料。砷化镓电池与硅光电池的比较1、光电转化率：砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。硅电池的理论效率大概为 23%，而单结的砷化镓电池理论效率达到 27%，而多结的砷化镓电池理论效率更超过 50%。太阳库专注为您建光伏电站 http:/ 250的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在 200就已经无法正常运行。3、机械强度和比重砷化镓较硅质在物理性质上要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，常把其制成薄膜，并使用衬底(常为 Ge锗)，来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。
