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1、构成 SSD 的主要 IC 有主控芯片和 NAND 闪存，估计有不少人认为单纯看主控就可以知道 SSD 的性能，其实这是错误的，就像 OCZ 现在的产品线那样，用的都是 SandForce SF-2281 主控，但是通过不同的闪存与固件搭配划分出 Vertex 3 MAX IOPS、Vertex 3、Agility 3 与 Solid 3 等不同层次的产品，相互之间性能差异比较大，可见 SSD 所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。今天我们就来说说这个 NAND 闪存 SLC、MLC 和 TLC 三者的区别TLC 是闪存一种类型，全称为 Triple-Level CellX3(3-b
2、it-per-cell)架构的 TLC 芯片技术是 MLC 和 TLC 技术的延伸，最早期NAND Flash 技术架构是 SLC(Single-Level Cell)，原理是在 1 个存储器储存单元(cell)中存放 1 位元(bit)的资料，直到 MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为 1 个存储器储存单元存放 2 位元。2009 年 TLC 架构正式问世，代表 1 个存储器储存单元可存放 3 位元，成本进一步大幅降低。如同上一波 SLC 技术转 MLC 技术趋势般，这次也是由 NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung
3、Electronics)也赶紧加入战局，使得整个 TLC 技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC 芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的 NAND Flash 相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD 或随身碟等。象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于 NAND Flash 效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用 SLC 或 MLC 芯片。2010 年 NAND Flash 市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用 SLC 或 MLC 芯片，因此这两种芯
4、片都处于缺货状态，而 TLC 芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构 iSuppli在统计 2010 年第 2 季全球 NAND Flash 产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从 2010 年第 1 季 43 亿美元下降至 41 亿美元，减少 6.5%。U 盘 MP3 中使用的 SLC、MLC、TLC 闪存芯片的区别：SLC = Single-Level Cell ，即 1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约 MLC 3 倍以上的价格），约 10 万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即 2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般
5、，约300010000 次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即 3bit/cell，也有 Flash 厂家叫 8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约 500 次擦写寿命，目前还没有厂家能做到 1000 次。目前，安德旺科技生产的指纹 U 盘产品中采用的闪存芯片都是三星 MLC 中的原装 A 级芯片。读写速度：采用 H2testwv1.4 测试，三星 MLC 写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星 SLC 写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的
6、次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。下面是 SLC、MLC、TLC 三代闪存的寿命差异SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储 1 个 bit 的信息，约 10 万次擦写寿命。MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储 2 个 bit 的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为 1/10】。TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储 3 个 bit 的信息，约 500-1000 次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了 1/2 倍，寿命缩短为 1/20】。闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有 TLC 闪存做的产品了鉴于 SLC 和MLC 或 TLC 闪存
7、寿命差异太大强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是 SLC 和 MLC 或 TLC 闪存产品许多人对闪存的 SLC 和 MLC 区分不清。就拿目前热销的 MP3 随身听来说，是买SLC 还是 MLC 闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么 SLC 闪存芯片的首选。但是大容量的 SLC 闪存芯片成本要比 MLC 闪存芯片高很多，所以目前 2G 以上的大容量，低价格的 MP3 多是采用 MLC 闪存芯片。大容量、低价格的MLC 闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。什么是 SLC？SL
8、C 英文全称(Single Level CellSLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC 技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存 1 个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于 Siliconefficiency 的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升 SLC 制程技术。什么是 MLC？MLC 英文全称（Multi Level CellMLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesa
9、s、三星使用。英特尔（Intel）在 1997 年 9 月最先开发成功 MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个 Floating Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC 通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC 架构是 0 和 1两个值，而 MLC 架构可以一次储存 4 个以上的值，因此，MLC 架构可以有比较好的储存密度。与 SLC 比较 MLC 的优势：签于目前市场主要以 SLC 和 MLC 储存为主，我们多了解下 SLC 和 MLC 储存。SLC架构是 0 和 1 两个值，而 M
10、LC 架构可以一次储存 4 个以上的值，因此 MLC 架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与 SLC 相比较，MLC 生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC 的读写性能应该还可以进一步提升。与 SLC 比较 MLC 的缺点：MLC 架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC 架构可以写入 10 万次，而MLC 架构只能承受约 1 万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC 芯片理论速度只能达到MB 左右。SLC 架构比 MLC 架构要快速三倍以上。再者，MLC 能耗比 SLC 高，在相同使用条件下比 SLC 要多 15%左右的电流消耗。虽然与 SLC 相比，MLC 缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前 MLC 还是占了绝对的优势。由于 MLC 架构和成本都具有绝对优势，能满足 2GB、4GB、8GB 甚至更大容量的市场需求。
