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1、合成系统吹扫方案（版次：A/0 版）文件编号：编制： 日期： 修订： 日期： 审核： 日期： 日期： 批准： 日期： 受控状态： 2011-05-15 发布 2011-实施国电内蒙古晶阳能源有限公司 目 录1.吹扫目的 .12.适用范围 .13.引用规范文件 .14.吹扫执行原则 .15.吹扫验收标准 .26.吹扫前具备条件 .27.吹扫前的准备工作 .28.吹扫步骤 .39.安全注意事项 .710.附件 .8附表 1 管道打压吹扫记录表8附表 3 需吹扫管道表91 吹扫目的1.1 清除管线内的铁锈、焊渣、灰尘、沙粒等污物，确保管线畅通及开工时不污染工艺介质、损害设备。1.2 根据合成工序试车
2、方案，为保证合成系统吹扫顺利进行，同时为保证投料试车顺利完成，产出合格的 TCS 供氢化还原工序生产多晶硅，特编制此方案。2 适用范围1.1 本规程依据合成工艺 PID 和工艺包，制定出三氯氢硅合成系统，液氯汽化系统，氯化氢合成系统的吹扫规程。1.2 本规范提供了合成系统运行中管道系统的吹扫方案。3 引用规范文件2.1 合成车间工艺流程 PID 图；2.2工业金属管道工程施工及验收规范GB50235-2010；2.3现场设备、工业管道焊接工程施工及验收规范GB50236-2011；2.4石油化工剧毒、可燃介质管道工程施工及验收规范SH3501-2002；2.5化学工业工程建设交工技术文件规定H
3、G20237-94；2.6 国电内蒙古晶阳能源有限公司年产 3000 吨多晶硅项目质量管理制度；2.7 国电内蒙古晶阳能源有限公司年产 3000 吨多晶硅项目工艺管理制度。4 吹扫执行原则4.1 吹扫气源使用压缩空气或氮气；气源压力为 0.6MPa0.8MPa；吹扫气体流动速度大于正常操作的流速，或最小不低于 20m/s。4.2 吹扫时拆开设备和阀门前的管道作为吹出口。4.4 将系统内的仪表、阀门、孔板、止回阀、截止阀、流量计等拆除，过滤器、止回阀抽芯并用临时短管代替，待吹洗合格后再重新恢复。8 q# L$ N M( n, F, K: e; 4.5 吹洗时管道的赃物不能进设备，吹扫时可以用木锤
4、敲打管子。4.6 吹扫压力一般不超过设计压力，且不得低于工作压力的 1.5 倍，可根据实际情况而定。4.7 吹扫方法：用压缩空气或氮气吹扫；用压缩空气时可接入氮气进设备和管道阀组中旁路阀对系统充压。4 x5 e* J3 X$ & f( L1) 一般工作介质为气体管道采用压缩空气吹扫，流速不宜小于 20m/s。2) 空气吹扫时，要反复进行三次以上，可进行先憋压再吹除的方法。8 M; i C. g1 3) 吹扫时间：管长低于 20m 的吹扫 5 分钟，大于 20m 时可吹扫 10-15 分钟。4) 在排气对着的管口用铁皮遮挡，使用氮气要防止窒息。4.8 已吹扫合格的管道系统，应按照流程将拆卸下来的
5、部件如：控制阀、流量计、孔板、爆破板、安全阀、压力表、温度计、疏水器、过滤器及阻火器等全部复位并安装正式垫片；4.9 已吹扫合格的管道系统，不应再进行切割、开孔等修改作业；封闭的管道系统，未经许可不得拆开，防止二次污染。5 吹扫验收标准5.1 吹扫过程中，目测无排气无烟尘时，在排气口设置贴白布或涂白漆的木制靶板检验，5min 内靶板上无铁锈、尘土及其他杂物，为合格；5.2 管道系统吹扫检验项目为保证项目，应 100检查。5.3 系统在进行氮气置换时，应进行取样分析出口含氧量，并在进气口和出气口分别用露点仪测量置换气露点，当含氧量达到要求值、进出口露点一致后，即可满足吹扫置换要求。6 吹扫前具备
6、条件6.1 合成车间各装置已完成中交，并验收合格。6.2 吹扫方案已经编制完成并经过审核批准，予以实施。6.3 不需吹扫的设备、管道、机泵、阀门等已装好盲板，并用警示牌设置禁区。6.4 公用工程空分空压装置已投入运行，满足连续供给压缩空气、氮气的条件。7 吹扫前准备工作7.1 各装置所属管线在吹扫前，应按吹扫路线认真检查，凡经拆装或新安装的设备应完全复位，发现问题及时处理。7.3 吹扫介质 N2 或干燥压缩空气已经正常供应使用，与调度室联系供气。7.4 吹扫组织机构已经建立，操作人员及安装维修人员已做好安排，并熟悉吹扫、方案。7.5 各种工器具及安全防护用品准备齐全。8 吹扫步骤8.1 TCS
7、 合成吹扫流程（TCS 合成系统以单套为例）8.1.1 合成炉统吹扫1. TCS 合成炉进 HCL 管：从 HCL 加热器到合成炉在流量计、调节阀处加设短节，HCL 加热器出口处加设挡板，设备法兰口加盲板。以 TCS 合成炉为气源，HCL 加热器出口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。2. TCS 合成炉出合成气管：从 TCS 合成炉到一级旋风分离器在一级旋风分离器前加设挡板做为吹扫口，设备法兰口加盲板。以 TCS 合成炉为气源，一级旋风分离器进口阀做为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。8.1.2 干法除尘系统吹扫1. 二级旋风分离器进气管：从一级旋风分离器到二级旋风分离器在二级旋风
8、分离器前加设挡板做为吹扫口，设备法兰口加盲板。以 TCS 合成炉为气源，一级旋风分离器进口阀做为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。2. 粗过滤器进气管：从二旋风分离器到粗过滤器在粗过滤器前加设挡板做为吹扫口，设备法兰口加盲板。以 TCS 合成炉为气源，粗过滤器进口阀做为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。3. 粗过滤器出气管：从粗过滤器到湿式除尘塔在湿式除尘塔前加设挡板，设备法兰口加盲板。以粗过滤器为气源，除尘塔口阀做为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。 8.1.3 湿法除尘系统吹扫1. 除尘塔底再沸器出气管：从除尘塔底再沸器到除尘塔在进除尘塔前加设挡板，设备法兰口加盲板。以再沸器为
9、气源，除尘塔进口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。2. 除尘塔底再沸器进液管：从除尘塔底再沸器到除尘塔在除尘塔出口加设挡板，设备法兰口加盲板。以再沸器为气源，除尘塔进口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。3. 渣液贮槽进液管：从除尘塔底再沸器到渣液贮槽在进渣液贮槽进口处加设挡板，设备法兰口加盲板。以再沸器为气源，用渣液进口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。4. 除尘塔底回流液泵进液管：从除尘塔顶回流罐到回流液泵在回流液泵进口处加设挡板，以回流罐为气源，回流液泵进口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。5. 除尘塔底回流液泵回流管：从回流液泵到除尘塔顶回流罐在回流液泵出
10、口处加设挡板，以回流罐为气源，回流液泵出口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。6. 去 CDI1 液相管：从除尘塔顶回流罐到 CDI1 第一个手阀流量计 FT018A 与调节阀 LV016A 拆掉，接临时短管。在进 CDI1 第一个手阀后加设挡板，以回流罐为气源，CDI1 第一个手阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。7.湿式除尘塔进液管：从回流液泵到除尘塔顶在回流液泵出口处加设挡板，在湿式除尘塔压力表口处外接气源短管，以湿式除尘塔为气源，湿式除尘塔进口阀门为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。8.去 CDI1 气相管：从塔顶冷凝器到 CDI1 第一个手阀调节阀 PV085 拆掉，
11、接临时短管。在塔顶冷凝器出口加设盲板，在进 CDI1 第一个手阀后加设挡板。在压力表口外接气源软管进行充压，CDI1 第一个手阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。8.1.4 四氯化硅汽化系统吹扫1. 四氯化硅汽化槽进液管：从四氯化硅计量罐到四氯化硅汽化槽在四氯化硅计量罐出口处加设挡板，设备法兰口加盲板。以汽化槽为气源，四氯化硅计量罐出口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。2. 四氯化硅汽化槽出气管：从四氯化硅汽化槽到 TCS 合成炉流量计 FI007A 拆掉，接临时短管。在流量计后手阀出口与旁通阀出口加设挡板。以汽化槽为气源，流量计后手阀与旁通阀为控制点分别进行吹扫直至打靶合格并进
12、行恢复。8.2 HCL 合成吹扫流程（HCL 合成系统以单套为例）8.2.1 氢气缓冲罐及氯气缓冲罐系统1. 电解氢气管线：从氢气缓冲罐到调节阀前手阀调节阀 PV003A 拆掉，接临时短管。在调节阀前手阀进口与旁通阀进口加设挡板。以氢气缓冲罐为气源，流量计前手阀与旁通阀为控制点分别进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。2. CDI 回收氢气管线：从氢气缓冲罐到流量计前手阀流量计 FIR028 拆掉，接临时短管、止回阀 H009 抽芯。在流量计前手阀进口与旁通阀进口加设挡板。以氢气缓冲罐为气源，流量计前手阀与旁通阀为控制点分别进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。3. 进 HCL 合成炉主氢气管：从氢气缓冲
13、罐到 HCL 合成炉阻火器 SP002A、阻火器 SP003A、流量计 FR001A、调节阀 XV001A 拆掉接临时短管、止回阀 H001A 抽芯。在进合成炉进口处加设挡板，设备法兰口加盲板。以氢气缓冲罐为气源，合成炉进口阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。4. 进 HCL 合成炉吹扫氢及点火氢气管：从氢气缓冲罐到 HCL 合成炉流量计 FI023A 拆掉接临时短管，进合成炉及点火枪进口处加设挡板，设备法兰口加盲板。以氢气缓冲罐为气源，合成炉及点火枪进口针形阀阀为控制点进行吹扫直至打靶合格并进行恢复。5. 进 HCL 合成炉主氯气管：从氯气缓冲罐到 HCL 合成炉流量计 FT002A、调节阀 FV002A、阻火器 SP004A 拆掉接临时短管、止回阀H002A 抽芯。在进合成炉进口处加设挡板，设备法兰口加盲板。以氯气缓冲罐为气源，
