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1、电子技术基础一，分类模拟电子，数字电子，电力电子二，电子元器件电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管等1， 电阻用符号 R 来表示.作用：阻碍电流的流动。电阻的两个基本参数是阻值和功率。阻值用来表示对电流的阻碍大小，用欧姆来表示。功率表示电阻所能承受的最大电流和最高电压的乘积，用瓦特来表示，如1/16W，1/8W，1/4W 等，如超过此值电阻器就会被烧坏。11 电阻的分类：根据制作材料来分可分为水泥电阻，碳膜电阻，金属膜电阻。根据阻值是否可变分为微调电阻，可调电阻（电位器）等。特殊电阻器：光敏电阻，压敏电阻，热敏电阻等12 电阻阻值的识别直接标注法：电阻的阻值和功率在电阻器上直接标注出来，
2、如水泥电阻。色环标注法：电阻的阻值用色环在电阻器上表示出来，如膜式电阻。在对电阻的阻值要求不是很精确的情况下，用四环色码来表示电阻值。在对电阻值要求相对较高的情况下，一般用五环色码来表示。如图 金橙绿 红上图为四环电阻的例子，其电阻为 3.5K 欧姆(35*10 2).色码对照表:色别 第一环色码表示电阻值的第一位有效数第二环色码表示电阻值的第二位有效数第三环色码表示10 的次方第四环色码表示电阻的误差黑 0 0 0棕 1 1 10 的 1 次方红 2 2 10 的 2 次方橙 3 3 10 的 3 次方黄 4 4 10 的 4 次方绿 5 5 10 的 5 次方蓝 6 6 10 的 6 次方
3、紫 7 7 10 的 7 次方灰 8 8 10 的 8 次方白 9 9 10 的 9 次方金 5%银 10%无色 20%读数时将表示误差的一环(如金色 ,灰色) 放在最右边,如带有金色色码的电阻将金色放在最右边,从左向右读数不可倒放,否则就会读错电阻值.对于五环电阻读数与四环类同.在没有误差环时或色环不明显的情况下,请用万用表测量.数码表示法:用在 SMD 贴片电阻上,如贴片电阻上标 223,那么它的阻值为 22K 欧( 即 22*103 欧),第一个数码表示电阻值的第一位有效数字,第二个数码表示电阻值的第二位有效数字,第三个数码表示10 的次方.电阻器的检测方法：一般电阻器的检测注意事项：用
4、万用表测电阻值时首先要选择合适的量程，最好让所测得的电阻值在量程的 20%-80%之间；在测量十几千欧以上的电阻时，手不要接触表笔和电阻的导体部分，以免造成测量误差(防止人体与所测电阻并联后产生测量误差) ；在 PCB 板上测量电阻时，要将电阻的一个引脚从电路中焊下来，以免电阻与其它的电子元器件构成并联造成测量误差。特殊电阻器的检测：热敏电阻器的检测及注意事项：热敏电阻：分为正温度系数的热敏电阻 PTC 和负温度系数的热敏电阻 NTC。在室温接近 25 度的环境下测量，用万用表测量电阻器的两个引脚，测量不要将手接触热敏电阻体(以免人体温度产生测量误差 )，测量时要选择合适的量程，此为静态测量。
5、动态测量：将电烙铁靠近电阻器但不要碰到电阻器以免温度过高而烧坏电阻器，在此过程中如果电阻值随温度的升高而升高，那么此电阻为 PTC，如果电阻值随温度的升高而下降，那么此电阻为 NTC，如果电阻值随温度的升高而不变，那么此电阻已变质，不可用。压敏电阻的检测：用万用表的电阻档 R*1 档测量电阻的两个引脚，正向与反向均要测量如果电阻值为无穷大，说明压敏电阻的绝缘性较好，是可用的；如果测量有电阻值，那么此压敏电阻有漏电现象。(漏电流过大的压敏电阻不可用) 。光敏电阻的检测：用黑纸片将光敏电阻的透光窗口挡住，用万用表的电阻档测量其电阻，理想的情况下其阻值应为无穷大，其值越大，说明光敏电阻的电阻性能越好
6、。如果其值接近 0，说明此光敏电阻已坏，不可用。将黑纸片拿走将一光源对准光敏电阻的透光窗口，测量其电阻值应有很大的摆动，其电阻值越小说明光敏电阻的电阻性能越好。若仍为无穷大或测得的电阻值较大，说明光敏电阻已坏，不可用。2,电容用 C 来表示电容,电容的参数有电容量,耐压值,绝缘电阻等电容量表示所能存储电量的大小,用 F 来表示,还有其它的 MF,UF,Nf,PF.耐压值表示电容所能承受的最大电压值.容抗表示电容对电流的阻碍的大小,用 1/WC 表示.W 指的是角频率.W=2Pf,f 指的是工频率。绝缘电阻又叫做做漏电电阻，是电容两极板之间的电阻。21 电容的分类：一般根据电容介质来分陶瓷电容，
7、云母电容，塑料，纸电容等。电容有的无极性而有的分正负极的，有极性的电容常见的是电解电容器，电解电容的电容量相对较大。31 电容器的好坏判断：对于其电容量小于 10PF 以下的电容器，由于电容量太小只能定性的检查其电容内部是否有漏电或短路，击穿现象，用指针万用表的电阻档任意测量电容的两引脚，如果其电阻值为无穷大，说明电容是好的，反之若为 0 则电容器已坏。对于大于 10PF 的电容器，用指针万用表的电阻档测量电容两引脚，若在测过程中指针有明显的摆动，那么可判定电容器是好的。如果电容容量仍较小，可用三极管放大后判断。两个电容容量的大小判定：拿两个电容器，用指针万用表电阻档测电容器的两个引脚（测量过
8、程中万用表开始时会有较大的摆动达到一定电阻值后，其电阻值会回降，比较两次测量回降副度较大的电容容量较高。在不知电容极性的情况下如何判定电容的极性？仅对于电解电容。将指针式万用表调到电阻档的 1 档。首先将指针式万用表的+极和- 极任意接电容的两个引脚，待指针停下来的时候读取电阻值。然后将电容放电，并且将万用表的两表笔对调，重新测量，记下指针停下来时候的电阻值。两次测量中电阻值大的那次万用表的正极所对应的是电容的正极，万用表的负极所对应的是电容的负极。 （电容正向导通时，漏电流小（漏电阻大） ） 。电容串联时，电容量减小（相当于增大电容两极板的距离） 。电容并联时，电容量增大（相当于增大电容两极
9、板的面积）电容在电路中的主要作用：隔直通交，滤波的作用。4，电感电感用 L 来表示，单位：H 来表示电感量。电感的参数：电感量，感抗等感抗表示阻碍电流大小，用 WL 表示，W 表示工作角频率。品质因数表示了线圈工作时的损耗大小，用 Q=WL/R 表示R 表示线圈总损耗电阻。 品质因数越大越好，也就是让 R 越小越好。电感的作用是通直隔交。典型的电感器件：变压器变压器的初级电压与次极电压之比等于变压器的初级与次极线圈匝数之比。判别变压器的好与坏：将万用表调至电阻档的*10 档。变压器的初级端与次极端所测得的电阻值应为无穷大为正常；初级端和次极端分别与机壳的之间的电阻值为无穷大为正常。5， 二极管
10、半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的物质。半导体、绝缘体及导体之间的区别：物质的导电性能决定于原子结构，导体是一个低价元素，其最外层的电子受原子核的束缚力很小，极易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，而自由电子在外电场的作用下让自由电子产生定向移动而成为电流。而绝缘体是一个高价元素，其最外层电子受原子核的不缚力很强，其最外层电子不易挣脱原子核的束缚。半导体的常用材料是硅和锗，它是四价元素，最外层电子既不像导体那样容易挣脱，也不像绝缘体束缚的那么紧，这就决定了它的导体性能介于导体于绝缘体之间。硅和锗材料不加任何的其它元素而形成的单晶体结构的半导体为本征半导体。本征半导体中有两种载流子：空穴和自由电
11、子并且本征半导体中这两种载流子数量少，所以其导电性能较差，同时本征半导体受温度影响较大，温度升高，浓度增大，其导电性增强；当温度下降到热力学温度 0 度时，本征半导体会成为绝缘体。实际应用中的半导体材料都是在本征半导体中掺杂的其它元素的材料而形成的，目的是为了增加其导电性能。根据掺杂的元素不同，而形成 P 形和 N 形半导体，掺入五价无素则形成 N 形半导体；掺入三价元素，则形成 P 型半导体。掺入五价元素 P（磷）后，除了与原本征半导体形成共价键外，多出一个价电子，便形成了 N 形半导体，这个电子不受束缚，只要有很少的能量就可以成为自由电子，其浓度越高导电性越好。N 形半导体中的自由电子为多
12、数载流子，空穴为少数载流子，N 型半导体主要靠自由电子导体；而掺入三价元素（硼） ，形成 P 型半导体，便会多出一个空穴，空穴的浓度比自由电子多，所以 P 型半导体的多数载流子是空穴，自由电子为少数载流子。再将 P 形半导体和 N 形半导体制作在一起，在其相结处便会产生变化：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差引起的运动称为扩散运动。由于扩散运动便在其相结处形成空间电荷区，从而形成内电场。内电场而又阻碍了扩散运动，使得 P 区的少子向 N 区运动，N 区的少子向 P 区运动，这种少子的运动形成了漂移运动，而由于这两个区的少子浓度相对较少，在一定的温度下，扩散运动和漂移运动会
13、达到一个平稳，在其交界面会产生一个空间电荷区，或耗尽层，阻挡层，也就是 PN 结（二极管）在外电场的作用下，如 P 端接正极，N 端接负极，此为正向偏置（正向接法） 。在这种情况下，外电场与内电场方向相反，故它消弱了内电场，使用空间电荷区变窄，这样有利于扩散运动。而由于扩散运动是由于多子的运动形成的，多子的浓度较高，便形成了正向电流。反之，称为反向偏置，有利于少子的运动，阻碍了多子的扩散运动，由于少子的浓度较少，所以反向电流很小，几乎接近 0。从而产生了二极管的一个重要特性：单向导电性，而反向截止（没有电流流过） 。二极管的表示符号：P N二极管正向导通时的正向压降在 0.6-0.7V（硅材料
14、） ，0.3-0.5V(锗材料).二极管的主要参数:最大平均电流:二极管正向导通时允许通过的最大平均电流.最高反向工作电压:允许加在二极管两端的最高反向电压 .反向电流此值越小越好.二极管最基本的作用是整流.下图的整流电路IL（半波整流电路）U1 U2 ULUL=0.45U2;IL=0.45U2/RL;二极管的最大反向电压为2 U2. U1 U2C RL （全波桥式整流电路）UL上图中不加电容时：U L=0.9U2;每个二极管上流过的电流为 ID=0.45U2/RL;上图中加上电容后便成了滤波电路:RLC=(3-5)T/2,T 为周期，T=1/f.电容滤波后的 UL=1.2U2稳压二极管稳压二
15、极管又叫做齐纳二极管,利用二极管反向时,其电压不随电流变化而制成的特殊二极管.RLz上图中的 RL为限流电阻,限流电阻的选择:一是稳压二极管流过的最小电流应大于稳定电流,二是稳压二极管流过的最大电流应小于最大稳定电流.限流电阻的作用是电网电压而不服波动时,调节电压的.二极管的好坏判断:将万用表拨到电阻档,分别测二极管两引脚正反向两次，根据二极管的单向导电性，正向时二极管的正向电阻小于反向电阻来判定，理想的情况下反向电阻为无穷大，但实际应用中二极管由制造工艺上的差异，测量时反向会有电阻值显示，但这个电阻值一定比正向的电阻值大。两次测量中，电阻值小的那次万用表的正极所接的二极管的引脚为 P 极，另
16、一个引脚为 N 极。6,三极管三极管是半导体器件，我们一般之为半导体三极管或晶体三极管或晶体管。它是构成各种电子电路的基本元件。三极管是学好模拟电子电路的基础，集成运放的核心元件及 TTL 电路的核心元件都是三极管，所以三极管在模电中的地位是非常主要的。6.1 三极管的结构三极管有 NPN 和 PNP 两种类型。 C（集电极）C（集电极）PNP NB（基极 B（基极）N PE（发射极） E（发射极）(NPN) (PNP)三极管有三个极：基极，发射极，集电极；三个区：集电区，基区，发射区；二个结：集电结，发射结。发射区多数载流子的浓度很高，基区很薄且多数载流子的浓度很低，而集电结的面积比较大。这种制造工艺结构决定了三极管在外电场的作用下,电子由发射极发出经过基区被基区吸收一小部分，大部分的电子窜过基区被集电区收集起来(对于 NPN 型)。6.2三极管的作用三极管主要作用的是作为放大管，进行对微弱信号的放大。在数字电路中常作为开关管使用，被看作为一个开关。6.2.1 三极管的放大作用。 （以
