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1、 WORD 格式整理 专业知识分享 第 1 章 检测题 （共 100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空 0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微 量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂 质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对 外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电
2、极。 3、PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ， 有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN 结形成的过程中，P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N 型半导体中的多数 载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用， 当这两种运
3、动达到动态平衡时， PN 结 形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 R1K 档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相 接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，两表棒位 置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都 很小时，说明该二极管已经 绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为 场效应（MOS） 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 8、MOS 管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将
4、各电极短接。 二、判断正误：（每小题 1 分，共 10 分） 1、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明 P 型半导体呈负电性。 （错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 R10K 档位。 （错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （PN结反向偏置时，其内外电场方向一致 ） （错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流 ICM时
5、，该管必被击穿。 （错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错） 三、选择题：（每小题 2 分，共 20 分） 1、单极型半导体器件是（ C ） 。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 WORD 格式整理 专业知识分享 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ） 。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正
6、、反电阻均约等于 1K，说明该二极管（ C ） 。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V，VB2.8V，VC4.4V，说明此三极管处 在（ A ） 。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ） 。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ） 。 A、矩形方波； B、等
7、腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流ICM； B、集射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题 4 分，共 28 分） 1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子， 因此说 N 型半导体带负电，P 型半
8、导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得 了 N 型半导体或 P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V， 试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 答 ： 管脚和管脚电压相差 0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和 的电位都高， 所以一定是一个 NPN 型硅管。 再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射极， 管脚 是基极，管脚是集电极。 3、 图1-29所示电路中， 已知E
9、=5V，V， 二tusin10 i 极管为理想元件 （即认为正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=） ，试画出u0的波形。 答 ： 分析 ： 根据电路可知，当uiE时，二极管导通u0=ui，当uiE时， 二极 管截止时，u0=E。所以u0的波形图如下图所示： 图 1-29 u/V t 0 ui u0 10 5 WORD 格式整理 专业知识分享 4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？ 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载 流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型
10、晶体管内部只有多 数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。 5、 图 1-34 所示电路中， 硅稳压管DZ1的稳定电压为 8V，DZ2的稳定电压为 6V， 正向压降均为 0.7V， 求各电路的输出电压U0。 答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为 14V，所以U0=14V； （b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V； （c）图：两稳压管反向串联，U0=8.7V； （d）图：两稳压管反向并联，可认为 DZ1 截止不通，则U0=0.7V。 6、半导体二极管由一个 PN 结构成，三极管则由两个 PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地 连接在一起
11、构成一个三极管？如不能，说说为什么？ 答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基 区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区 中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大 作用的。 7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射 极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。 五、计算分析题：（共 17 分） 1、 图 1-31 所示三极管的输出特性曲
12、线， 试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（8 分） （1）UCE=3V，IB=60A，IC=？ （2）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？ （3）UCE=3V，IB由 4060A 时，=？ 图 1-30 WORD 格式整理 专业知识分享 解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。 （1）观察图 6-25，对应IB=60A、UCE=3V 处，集电极电流IC约为 3.5mA； （2）观察图 6-25，对应IC=4mA、UCE=4V 处，IB约小于 80A 和大于 70A； （3）对应 IB=20A、UCE=3V 处，IC1mA，所以1000/2050。 2、已知 NPN
13、型三极管的输入输出特性曲线如图 1-32 所示，当 （1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？ （2）IB=50A，UCE=5V，IC=？ （3）UCE=6V，UBE从 0.7V 变到 0.75V 时，求IB和IC的变化量，此时的（9 分）？ 解：（1）由（a）曲线查得UBE=0.7V 时，对应IB=30A，由(b)曲线查得IC3.6mA； （2）由（b）曲线可查得此时IC5mA； （3）由输入特性曲线可知，UBE从 0.7V 变到 0.75V 的过程中，IB30A，由输出特性曲线可知， IC2.4mA，所以2400/3080。 第 2 章 检测题 （共 100 分，120 分钟） 一、填
14、空题：（每空 0.5 分，共 21 分） 1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电 路。 2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。 3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使 图 1-32 IC (mA) UCE (V) 10 8 6 4 2 100A 80A 60A 40A 20A IB0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 （b）输出特性曲线（a）输入特性曲线 IB (A) 120 80 60 40 20 UBE (V) 0 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 IC (mA) UCE (V) 5 4 3 2 1 100A 80A 60A 40A 20A IB0 图 1-31 0 1 2 3 4 5 6 7 8 A B C WORD 格式整理 专业知识分享 放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也 增加的反馈，称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压
