M27C4001(中文)

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1、川云农夫山泉水是宜宾县柏溪镇解放村解放组生产的M27C40014比特(512 Kb x 8)紫外线和OTP EPROM编程只读存储器特性概述5伏10%读操作的电源电压访问时间:35 ns低功耗:目前的30 -活跃的马在5 MHz目前100A备用编程电压:12.75伏0.25 V编程时间:100s /词电子签名写入该设备通过下面的编程过程。对于应用程序的内容是程序只有一个时间和擦除不是需要时,M27C4001提供PDIP32,PLCC32和TSOP32(820毫米)包。为了符合环保要求,提供了在ECOPACK圣M27C4001包。ECOPACK包是无铅。 第二层次互连的范畴标记在产品包装和标签内

2、盒,符合JESD97 JEDEC标准。相关的最大额定值焊接条件也标在内部箱子标签。ECOPACK是一个圣商标。ECOPACK规格可在:图1。逻辑图表1。信号名称A0-A18 地址输入Q0-Q7 数据输出E 芯片使G 输出使VPP 项目供应VCC 电压VSS 地面图2。DIP 引脚定义LCC引脚定义TSOP引脚定义设备操作这个模式的运行M27C4001列在表的操作模式。一个电源中需要读模式。所有输入都是除了VPP TTL水平和12 V在A9电子签名的。2.1读模式这个M27C4001有两个控制功能,两者都必须在逻辑上活跃为了获取数据输出。芯片启用(E)是功率控制和应该用于设备的选择。输出启用(G

3、)是输出控制和应该用于门数据输出插脚,独立于设备的选择。假设这个地址是稳定的,地址访问时间(tAVQV)等于推迟E输出(tELQV)。数据可以在输出的tGLQV延迟一段时间从掉落的边上G,假定E已经被低和地址已经至少tAVQV-tGLQV稳定。2.2待机模式这个M27C4001有待机模式从而减少电流从30到100A马。这个M27C4001置于待机模式通过应用CMOS高信号到E输入。当在待机模式下,输出高阻抗状态,独立的G输入。两行输出控制2.3因为EPROMs通常被用在更大的内存数组,此产品的特点2行控制功能,可以容纳使用多个记忆之间的联系。这两行控制功能允许:一个可能的内存)最低的功率消耗,

4、b)完成保证输出总线竞争将不会发生。对于最有效地利用这两种控制线路,E应该解码和使用的主要设备选择功能,而G应该做了一个常见的连接到所有设备在数组和连接到读线从系统控制总线。这确保所有deselected内存设备在他们的低功耗待机模式下,输出针脚只有活动数据时,需要从一个特定的存储装置。2.4系统的考虑功率开关特性的先进CMOS EPROMs需要小心解耦的设备。目前供应,国际刑事法庭,有三个领域感兴趣的系统设计者:备用当前水平,积极的当前水平,和瞬态电流山峰所产生下降和上升的边缘的大肠严重性的瞬态当前的山峰是依赖于电容和电感的加载设备输出。相关的瞬态电压峰值能遵守加以抑制两行输出控制和通过适当

5、选择偶合电容。建议一个0.1F陶瓷电容器,每个设备上使用,VSS VCC之间。这应该是一个高频率电容器的低固有的电感和应该放在尽可能靠近尽可能的设备。此外,一个4.7F大部分应该使用电解电容器VCC之间,每8个设备VSS。大部分电容器应当靠近电源连接点。大部分电容器的目的就是要克服电压下降导致的归纳影响的PCB导线。2.5编程当交付(和之后的每一个擦除紫外线EPROM),所有的碎片M27C4001在“1”状态。数据是通过有选择性地介绍了编程 0的成所需的一些地点。尽管只有 0的将被编程,不论是“1和“0可以出现在数据字。要想改变一个0一个 1 是死暴露于紫外线(UV EPROM)。这个M27C

6、4001就是编程模式当VPP输入是12.75 V,G是在VIH和E脉冲以饰。数据被应用于8位并行数据输出针。所要求的水平的地址和数据输入TTL。VCC是指定6.25伏0.25 V。2.6很快II编程算法转眼间II编程算法允许整个阵列输入一系列保证利润率,在一个典型的52.5秒的时间。编程和PRESTO II包括应用序列的100s程序脉冲每个字节,直到一个正确的验证发生(见图5)。在编程和验证操作、保证金模式电路自动激活,以保证每一个细胞都是编程拥有足够的保证金。没有overprogram脉冲是应用自验证模式提供保证金的必要的保证金,每个程序性细胞。图5。程序流程图2.7程序抑制在并行编程的多个

7、M27C4001s也可以很容易地使用不同的数据完成了。除了E,都喜欢输入包括G的平行M27C4001可能常见的。一个TTL低水平脉冲应用到一个M27C4001的E输入,VPP在12.75伏,M27C4001程序。 一个高水平的E输入抑制其他M27C4001s从编程。2.8程序验证一个验证(读)应进行了编程的位,确定他们正确的程序。验证是成就与G在维尔,E在VIH,VPP在12.75 V和VCC于6.25伏。2.9电子签名电子签名(ES)模式允许读出来的二进制代码从一个可编程只读存储器,它会识别其制造商和类型。这种模式是适用的编程设备自动匹配设备必须编程与它的相应的规划算法。e级的模式是在25C

8、功能5C环境温度范围,M27C4001时需要编程的。激活e级的模式下,编程设备必须强迫11.5 V 12.5 V的地址行A9M27C4001的与VPP = VCC = 5 V。 两个标识符字节也许就无法测出的设备输出通过启用地址行A0到VIH从饰。所有其他的地址线必须维尔举行在电子签名模式。字节0(A0 =饰)代表制造商代码和字节1(A0 = VIH)设备标识符的代码。对意法半导体M27C4001,这两个标识符字节表3给出了,可以在输出的读取器7 Q0。2.10擦除操作(适用于UV EPROM)消除M27C4001的特点是这样的,当细胞开始消除暴露在光线与波长短于约4000个。还应该注意的阳光

9、和一些类型的荧光灯的波长范围在3000 - 4000年的一个范围。数据显示,持续的接触到房间水平荧光灯可以抹去典型的M27C4001在大约3年,而这将造成约一星期擦除直接暴露于阳光的时候。如果M27C4001是会接触到这些类型的照明条件下时间延长,建议不透明的标签是把在M27C4001窗户以免意外擦除。推荐的擦除M27C4001过程是接触短波紫外线具有2537的波长。集成的剂量(即。紫外线强度x曝光时间)对擦除至少应在15 W-sec /平方厘米。与这个剂量的擦除时间大约是15到20分钟以一个紫外线灯与12000W / cm2额定功率。M27C4001的应放置在2.5厘米(1英寸)管的灯在擦除

10、。一些灯有一个过滤器在他们管这应该拆除之前擦除。表2。操作模式表3。电子签名3最高评级强调了设备高于评级列入绝对最大额定值表可能对器件造成永久性的损坏。这些只是应力等级和操作的设备在这些或任何其他条件表明上述操作的部分这个规范是不可取的。暴露于绝对最大评级条件时间延长可能影响器件的可靠性。还指意法半导体的肯定计划和其他相关质量文件。表4。绝对最大额定值1。取决于范围。-40年到125年CTBIAS温度在-50年到125年C的偏见-65年至150年TSTG储藏温度Cvio(2)2。至少在输入或输出直流电压为-0.5 V与可能低于-2.0 V一段时间不到20 ns。最大的直流电压输出是VCC +

11、0.5 V与可能的过度到VCC+ 2 V期少于20 ns。4直流和交流参数本节总结操作和测量条件和直流和交流设备的特点。参数的直流和交流特征表遵循源于测试条件下进行测量进行了总结相关的表。设计者应该检查操作条件的电路匹配测量条件时依靠引用参数。表5。AC测量条件高速 标准输入上升和下降 10 ns 20 ns输入脉冲电压 0到3 V 0.4到2.4 V输入和输出时间Ref电压 1.5伏。 0.8和2 V图6。AC测试输入输出波形高速 标准图7。AC测试负载电路测装置:DEVICE UNDER TESTCL = 30 pF对高速度CL = 100 pF标准CL包括夹具电容表6。电容符号 参数 测

12、试条件 单位1。TA = 25C,f = 1 MHz。 Input Capacitance:输入电容2。只取样,而不是100%的测试。 Output Capacitance:输出电容表7。读模式直流特性Input Leakage Current :输入泄漏电流 Output Leakage Current :输出泄漏电流 Supply Current:电流 Supply Current (Standby) TTL :电流(备用)TTLSupply Current (Standby) CMOS:电流(备用) Program Current:程序当前 Input Low Voltage:输入低电压

13、Input High Voltage :输入高电压Output Low Voltage:产量低电压Output High Voltage TTL:输出高电压TT L Output High Voltage CMOS:输出高电压CMOS1 TA = 0到70或-40至85CC,VCC = 5伏5%或5伏10%;VPP = VCC2 VCC同时必须应用或之前或之后VPP和移除同时VPP . .3 最大的直流电压输出是VCC + 0.5 V。表8。编程模式直流特性(1)(2)符号 参数 测试条件 Input Leakage Current :输入泄漏电流 Supply Current :电流 Program Current :程序当前 Input Low Voltage:输入低电压 Input High Voltage:输入高电压 Output Low Voltage :产量低电压Output High Voltage TTL:输出高电压TTA9 Voltage:A9电压1。TA = 25C,VCC = 6.25伏0.25 V;VPP = 12.75伏0.25 V。2。VCC同时必须应用或之前或之后VPP和移除同时VPP

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