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1、第章 存 储 器,4.1 概述,4.2 主存储器,4.3 高速缓冲存储器,4.4 辅助存储器,1,4.1 概 述,一、存储器分类,1. 按存储介质分类,(1) 半导体存储器,(2) 磁表面存储器,(3) 磁芯存储器,(4) 光盘存储器,易失,TTL 、MOS,磁头、载磁体,硬磁材料、环状元件,激光、磁光材料,2,(1) 存取时间与物理地址无关（随机访问）,顺序存取存储器 磁带,4.1,2. 按存取方式分类,(2) 存取时间与物理地址有关（串行访问）,随机存储器,只读存储器,直接存取存储器 磁盘,在程序的执行过程中 可 读 可 写,在程序的执行过程中 只 读,3,高,小,快,1. 存储器三个主要
2、特性的关系,二、存储器的层次结构,4.1,5,虚拟存储器,虚地址,逻辑地址,实地址,物理地址,主存储器,4.1,（速度）,（容量）,6,4.2 主存储器,一、概述,1. 主存的基本组成,7,2. 主存和 CPU 的联系,4.2,8,高位字节 地址为字地址,低位字节 地址为字地址,设地址线 24 根,按 字节 寻址,按 字 寻址,若字长为 16 位,按 字 寻址,若字长为 32 位,3. 主存中存储单元地址的分配,4.2,224 = 16 M,8 M,4 M,9,(2) 存储速度,4. 主存的技术指标,(1) 存储容量,(3) 存储器的带宽,主存 存放二进制代码的总位数,读出时间 写入时间,存储
3、器的 访问时间,读周期 写周期,位/秒,4.2,10,芯片容量,二、半导体存储芯片简介,1. 半导体存储芯片的基本结构,1K4位,16K1位,8K8位,10,4,14,1,13,8,4.2,11,片选线,读/写控制线,（低电平写 高电平读）,（允许读）,4.2,（允许写）,12,存储芯片片选线的作用,用 16K 1位 的存储芯片组成 64K 8位 的存储器,32片,4.2,13,2. 半导体存储芯片的译码驱动方式,(1) 线选法,4.2,14,(2) 重合法,4.2,0,0,15,三、随机存取存储器 ( RAM ),1. 静态 RAM (SRAM),(1) 静态 RAM 基本电路,A 触发器非
4、端,A 触发器原端,4.2,T1 T4,16, 静态 RAM 基本电路的 读 操作,4.2,读选择有效,17, 静态 RAM 基本电路的 写 操作,4.2,写选择有效,18,(2) 静态 RAM 芯片举例, Intel 2114 外特性,存储容量 1K4 位,4.2,19, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,4.2,20,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,21,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,22,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,23,4.2, Intel 2114 RAM
5、 矩阵 (64 64) 读,24,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,25,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O1,I/O2,I/O3,I/O4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,0,16,32,48,26,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,0,16,32,48,27,4.2, Inte
6、l 2114 RAM 矩阵 (64 64) 读,0,16,32,48,28,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,29,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,30,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,31,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,32,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,33,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,34,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,35,4.2, Intel
7、 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,36,4.2, Intel 2114 RAM 矩阵 (64 64) 写,37,(3) 静态 RAM 读 时序,4.2,38,(4) 静态 RAM (2114) 写 时序,4.2,39,(1) 动态 RAM 基本单元电路,2. 动态 RAM ( DRAM ),读出与原存信息相反,读出时数据线有电流 为 “1”,写入与输入信息相同,写入时 CS 充电 为 “1” 放电 为 “0”,4.2,T,无电流,有电流,40,(2) 动态 RAM 芯片举例, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 读,4.2,读 写 控 制 电 路,41, 三管动态 R
8、AM 芯片 (Intel 1103) 写,4.2,42,4.2, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,43,4.2, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,44,4.2, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,45,4.2, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,46,4.2, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,47,4.2, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,读 写 控 制 电 路,48,4.2, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,读 写 控 制 电 路,49,4.2
9、, 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写,读 写 控 制 电 路,50, 单管动态 RAM 4116 (16K 1位) 外特性,4.2,51, 4116 (16K 1位) 芯片 读 原理,4.2,63,0,0,0,52, 4116 (16K1位) 芯片 写 原理,4.2,63,0,53,(3) 动态 RAM 时序,行、列地址分开传送,写时序,数据 DOUT 有效,数据 DIN 有效,读时序,4.2,54,(4) 动态 RAM 刷新,刷新与行地址有关,“死时间率” 为 128/4 000 100% = 3.2%,“死区” 为 0.5 s 128 = 64 s,4.2,以128 1
10、28 矩阵为例,55,tC = tM + tR,无 “死区”, 分散刷新（存取周期为1 s ）,(存取周期为 0.5 s + 0.5 s ),4.2,以 128 128 矩阵为例,56, 分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）,对于 128 128 的存储芯片（存取周期为 0.5 s ）,将刷新安排在指令译码阶段，不会出现 “死区”,“死区” 为 0.5 s,若每隔 15.6 s 刷新一行,每行每隔 2 ms 刷新一次,4.2,57,3. 动态 RAM 和静态 RAM 的比较,存储原理,集成度,芯片引脚,功耗,价格,速度,刷新,4.2,58,四、只读存储器（ROM）,1. 掩模 ROM ( MR
11、OM ),行列选择线交叉处有 MOS 管为“1”,行列选择线交叉处无 MOS 管为“0”,2. PROM (一次性编程),4.2,59,3. EPROM (多次性编程 ),(1) N型沟道浮动栅 MOS 电路,紫外线全部擦洗,4.2,60,(2) 2716 EPROM 的逻辑图和引脚,4.2,61,4. EEPROM (多次性编程 ),电可擦写,局部擦写,全部擦写,5. Flash Memory (闪速型存储器),比 EEPROM快,4.2,EPROM,价格便宜 集成度高,EEPROM,电可擦洗重写,具备 RAM 功能,62,用 1K 4位 存储芯片组成 1K 8位 的存储器,？片,五、存储器
12、与 CPU 的连接,1. 存储器容量的扩展,4.2,2片,63,(2) 字扩展（增加存储字的数量）,用 1K 8位 存储芯片组成 2K 8位 的存储器,4.2,？片,2片,64,(3) 字、位扩展,用 1K 4位 存储芯片组成 4K 8位 的存储器,4.2,？片,8片,65,2. 存储器与 CPU 的连接,(1) 地址线的连接,(2) 数据线的连接,(3) 读/写命令线的连接,(4) 片选线的连接,(5) 合理选择存储芯片,(6) 其他 时序、负载,4.2,66,例4.1 解:,(1) 写出对应的二进制地址码,(2) 确定芯片的数量及类型,A15A14A13 A11 A10 A7 A4 A3
13、A0,4.2,67,(3) 分配地址线,A10 A0 接 2K 8位 ROM 的地址线,A9 A0 接 1K 4位 RAM 的地址线,(4) 确定片选信号,4.2,68,例 4.1 CPU 与存储器的连接图,4.2,69,(1) 写出对应的二进制地址码,(2) 确定芯片的数量及类型,(3) 分配地址线,(4) 确定片选信号,1片 4K 8位 ROM 2片 4K 8位 RAM,A11 A0 接 ROM 和 RAM 的地址线,4.2,70,用 138 译码器及其他门电路（门电路自定）画出 CPU和 2764 的连接图。要求地址为 F0000HFFFFFH , 并 写出每片 2764 的地址范围。,
14、4.2,71,六、存储器的校验,编码的纠错 、检错能力与编码的最小距离有关,L 编码的最小距离,D 检测错误的位数,C 纠正错误的位数,汉明码是具有一位纠错能力的编码,4.2,1 . 编码的最小距离,任意两组合法代码之间 二进制位数 的 最少差异,72,汉明码的组成需增添 ？位检测位,检测位的位置 ？,检测位的取值 ？,2k n + k + 1,检测位的取值与该位所在的检测“小组” 中 承担的奇偶校验任务有关,组成汉明码的三要素,4.2,2 . 汉明码的组成,73,各检测位 Ci 所承担的检测小组为,gi 小组独占第 2i1 位,gi 和 gj 小组共同占第 2i1 + 2j1 位,gi、gj
15、 和 gl 小组共同占第 2i1 + 2j1 + 2l1 位,4.2,74,例4.4,求 0101 按 “偶校验” 配置的汉明码,解：, n = 4,根据 2k n + k + 1,得 k = 3,汉明码排序如下:,C1 C2 C4,0, 0101 的汉明码为 0100101,4.2,1,0,75,按配偶原则配置 0011 的汉明码,C1 C2 C4,1 0 0,解：, n = 4 根据 2k n + k + 1,取 k = 3, 0011 的汉明码为 1000011,练习1,4.2,76,3. 汉明码的纠错过程,形成新的检测位 Pi ，,如增添 3 位 （k = 3），,新的检测位为 P4 P2 P1 。,以 k = 3 为例，Pi 的取值为,对于按 “偶校验” 配置的汉明码,不出错时 P1= 0，P2 = 0，P4 = 0,C1,C2,C4,其位数与增添的检测位有关，,4.2,77,无错,有错,有错,P4P2P1 = 110,第 6 位出错，可纠正为 0100101
