三极管的参数,半导体三极管的参数分为三大类:,直流参数,交流参数,极限参数, 直流电流放大系数,= IC/IE= IB/1+ IB= /1+ ,a.共基极直流电流放大系数：,半导体三极管的参数,b.共射极直流电流放大系数：,=（ICICEO）/IBIC / IB vCE=const,在放大区基本不变在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取 IC / IB ，如下左图所示在 IC 较小时和 IC 较大 时，会有所减小，这一关系见下右图三极管的直流参数,CB代表集电极和基极, 极间反向电流,a.集电极基极间反向饱和电流ICBO,O是Open的字头，代表第三个电极E开路,它相当于集电结的反向饱和电流三极管的直流参数,b.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO,ICEO和ICBO之间的关系：ICEO=（1+ ）ICBO,相当于基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0时曲线所对应的Y坐标的数值,如图所示三极管的直流参数,三极管的交流参数,a.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const,在放大区 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上通过垂直于X 轴的直线求取IC/IB。
或在图上通过求某一点的斜率得到具体方法如图所示交流电流放大系数,三极管的交流参数,b.共基极交流电流放大系数=IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， 、 ，可以不加区分三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示特征频率fT,三极管的极限参数,集电极最大允许电流ICM,如图所示，当集电极电流增加时， 就要下降，当值下降到线性放大区值的7030时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM至于值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别可见，当ICICM时，并不表示三极管会损坏三极管的极限参数,集电极最大允许功率损耗PCM,集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCBICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上 在计算时往往用VCE取代VCB三极管的极限参数,反向击穿电压:反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力，其测试时的原理电路如图所示三极管的极限参数,a.V(BR)CBO,发射极开路时的集电结击穿电压。
下标CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。