铂粉物理特性对厚膜铂电阻温度系数的影响

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1、铂粉物理特性对厚膜铂电阻温度系数的影响! 陈峤!,贺昕,朱晋,吴聪,李治宇 (北京有色金属研究总院 有研亿金新材料股份有限公司,北京! # #) 摘要:采用化学还原方法制备$种超细铂粉,通过对铂粉物理特性的测试和微观结构分析,解释了引起电阻温度系数 (% ! ,在! 2范围 % 粉为表面光滑的球形粉末, 颗粒度均匀, 最大颗 粒小于 ( )#*;$ $: ;粉比!$: ;粉和-$: ;粉粗,表 面光滑。图!反映出的性能与表!基本一致。 ! ( - 铂电阻膜制备 将表!中的$种铂粉按同样配比、相同工艺制 成对应的铂电阻浆料,经+ 目丝网印刷在? ) 的 氧化铝陶瓷基片上,制成线分辨率为 ( !*

2、 *1 ( ! * *的 “弓形” 图案,经! , 2烘干! * A ,在峰值 温度! - , 2下,恒 温!B,烧 结 制 成 铂 电 阻 膜, 包封后, 用扫描电镜进行电阻膜微观结构分 表! 种铂粉的粉末特性比较 # $ % ) 图! 种铂粉的电子显微镜照片 (#)!$ %粉; (2 :值测试 将种铂粉对应所得种厚膜铂电阻按? A B ! 标准的方法获得的= :值由 (!) 式计算: = :C!D! ( D!)C! (!) 式中 !,为测定温度,!,!为相应温度下的电 阻。 = :值见表所示。从表看出,! !$ %粉对应 = :平均值最低,仅为 E ! F ! G D H ID !; !$

3、 %粉对 应= :平均值最高,为 E B E F ! G D H ID !; !$ %粉对 应= :平均值为 E B F ! G D H ID !,与国际电工委员 会? A B !标准的= : C E B G F ! G D H ID !最为接近。 表! 种厚膜铂电阻的# $ % # ) 、比表面积大 (! A; + D !) 、表面形状复杂的!$ %粉制作厚膜铂电 阻,电阻膜表面和内部有大量的晶格缺陷,= :值 较低,仅为 E ! F ! G D H ID !。粉末粒径小,比表面 积大,颗粒表面越粗糙,或表面凹凸越严重,粉末 本身存在严重的晶格缺陷,电子散射增加,电子迁 移率下降,!增大;烧

4、结时金属膜层越容易收 缩 ,形成大量缩孔,膜层形状粗糙,产生大量的 HHJ 稀有金属 K 卷 界面,粉末颗粒对玻璃相浸润面增加,被包围的玻 璃相越多,这种物理边界层类似于引入了外来杂 质,电子散射增强,! !增大。当温度升高时,由于 杂质散射和晶格散射随温度变化的趋势相反,迁移 率随温度变化较小,!值较小。由公式 (!) 可以看 出, # $值降低。因此! % 8 1 : ? = 1 A ? ; / A =,B A 8C = 8 ; , % D ; 4 E A = 1 F ; G = ? I J D 4 A ; 8 F/ = G D = 4 ? = E K : A L A =#, M ? J

5、I F,N I ; D A E ?,! O O ! , ( 3 , (7 89 : ; 8 1 : ? = 1 A ? ; / A =,B A 8C = 8 ; , % D ; 4 E A = 1 F; G A = = ? I 4 ; = G D = 4 ; = I 4 = A 44 ; / J ; = = D F ? = E? 4 D F#, P 4 L : A U 8( # $ % $ $ V E D F V D J D J ? D EL U4 : / A 4 ? ID E 8 4 = / E , : J : U F A 4 ? I4 : ? D ? 4 G V E DV ? F / ?

6、F 8 D E , : D ; 8 1 :? = ? I U W A = 1 F G V E D, G # $X ? I 8 V ? F K J I ? A = E ,Y 8 = E V E D, / ? D Z EV A ; = A F * , ! # * , .$/, : F J 4 A G A 4 F 8 D G ? 4 A F! - 0 ) / ( 1 2 !? = E/ ? = 8 G ? 4 G D H F A F / V E D;& : A 4 Z G A I /J I ? & A = 8 /D F A F & ? = 4 ; # $ .00 期陈峤等铂粉物理特性对厚膜铂电阻温度系数的影响

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