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1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 ，少数载流子应是 。2、 在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_区、_区、_区。5、场效应管分为两大类：一类称为_，另一类称为_。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为_或_。7、半导体二极管的基本特性是 _，在电路中可以起_和_等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分
2、为_型和_型两种，它们的符号分别为_和_。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 运动和少数载流子的_运动。10、硅二极管的死区电压约为_V，锗二极管的死区电压约为_V。11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的_倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量_。12、场效应管实现放大作用的重要参数是_。13、PN结具有_特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是_和_。15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_偏置，集电路_偏置。16、场效应管是_控制型元件，而双极型三极管是_控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 ，少数载流子应是 。18、P型半导体的多数载流子是
3、 ，少数载流子是 。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 或_。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_、_和_。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_向电压；（2）集电结外加_向电压。22、N型半导体可用_离子和等量的_来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变_。24、二极管的两个电极分别称为_极和_极，二极管的符号是_。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_移，输出特性曲线会 _移，而且输出特性曲线之间的间隔将_。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是_。27、P型半导体可用_离子和等量的_来简化
4、表示。28、主要半导体材料是_和_；两种载流子是_和_；两种杂质半导体是_和_。 29、二极管外加 向电压导通，外加 向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数会 _，会 _，导通电压会 _ 。31、双极型三极管有两种载流子导电，即_和_导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即_导电。32、N型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是_。33、某晶体管的极限参数，。若它的工作电压，则工作电流不得超过_；若工作电压，则工作电流不得超过_；若工作电流，则工作电压不得超过_。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为=9V， =6.2V， =6V，则该三极管是_型三极管，A为_极，B为_极，C
5、为_极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_区、_区、_区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_。38、场效应管与晶体管比较， 管的热稳定好，输入电阻高， 管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是_、_和_。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。A0 B死区电压 C反向击穿电压 D正向压降2、杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。A少子 B多子 C杂质离子 D空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（
6、），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ ）。A截止 B放大 C饱和 D损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( )。A前者反偏、后者也反偏 B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏 D前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ ）和（ ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ ）的流动。A多子 B少子 C自由电子 D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为（）（）。A B C = D 7、对二极管正向电阻和反向电阻的要求是（ ）A、都大 B、都小 C很小，很大 D大，小8、稳压二极管动态电阻（ ），稳压性能愈好。A愈大 B 愈
7、小 C为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。A 放大 B 截止 C 饱和 D 无法确定10结型场效应管放大电路的偏置方式是（ ）A自给偏压电路 B外加偏压电路 C无须偏置电路D栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ），而少数载流子的浓度与（ ）有很大关系。A温度 B掺杂工艺 C杂质浓度 D晶体管缺陷12、场效应管属于（ ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（ ）控制型器件。A电荷 B电压 C电流13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。A大于 B小于 C等于 D变宽 E变窄 F不变14、当温
8、度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。A左移，下移 B右移，上移 C左移，上移 D右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ ）。A变窄 B基本不变 C变宽 D.先变窄，后变宽16、 在25C时，某二极管的死区电压Uth0.5V，反向饱和电流Is0.1pA，则在35C时，下列哪组数据可能正确：（ ）。A Uth0.575V，Is0.05pA B Uth0.575V，Is0.2pAC Uth0.475V，Is0.05pA D Uth0.475V，Is0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为
9、（ ）。A测试各极间电阻 B测试各极间、对地电压C测试各极电流 三、判断题1、 三极管在工作频率大于最高工作频率时会损坏。 （ ）2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）5、有人测得晶体管在=0.6V时，=5，因此认为在此工作点上的大约为。 （ ）6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ ）7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ）8、在N型半导体中
10、，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（ ）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ ）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（ ）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（ ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ）15、有人测试晶体管的，方法是通过测得晶体管的，推算出 。 （ ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V电极(e或b或c)NPN或PNP材料（Si或Ge）2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）管子类型NPNPNPNPNPNP各电极电位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2状态3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分） （a）（b）4、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V， 求Uo为多少？
