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1、本科毕业设计（论文）格式模板本科毕业设计（论文）格式模板 本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时 请以班为单位到教材科领取纸质封面及资请以班为单位到教材科领取纸质封面及资 料袋后再装订料袋后再装订 毕业设计（论文）诚信声明毕业设计（论文）诚信声明 本人本人郑郑重声明：所呈交的重声明：所呈交的毕业设计毕业设计（ （论论文）是我文）是我 个人在个人在导师导师指指导导下下进进行的研究工作及取得的研究成行的研究工作及取得的研究成 果。就我所知，除了文中特果。就我所知，除了文中特别别加以加以标标注和致注和致谢谢的地的地 方外，方外，论论文中不包含其他人已文中不包含其他人
2、已经发经发表和撰写的研究表和撰写的研究 成果，也不包含成果，也不包含为获为获得得华东华东交通大学或其他教育机交通大学或其他教育机 构的学位或构的学位或证书证书所使用所使用过过的材料。的材料。 如在文中涉及抄如在文中涉及抄袭袭或剽窃行或剽窃行为为，本人愿承担由，本人愿承担由 此而造成的一切后果及此而造成的一切后果及责责任。任。 本人签名_ 导师签名_ 年年 月月 日日 华东交通大学毕业设计（论文）任务书华东交通大学毕业设计（论文）任务书 姓名 学 号 毕业届 别 专 业 毕业设计（论文） 题目 指导教 师 学 历 职 称 具体要求： 进度安排： 指导教师签字： 年 月 日 教研室意见： 教研室主
3、任签字： 年 月 日 题目发出日 期 设计（论文）起止 时间 附注： 华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书 课题名称 课题来源课题类型导 师 学生姓名学 号专 业 开题报告内容： 1）研究意义 2）研究内容 方法及预期目的： 1）研究方法或设计方法 2）预期目的： 指导教师签名： 日期： 课题类型：（1）A工程设计；B技术开发；C软件工程；D理论研究； （2）X真实课题；Y模拟课题；Z虚拟课题 （1） 、 （2）均要填，如 AY、BX 等。 华东交通大学毕业设计华东交通大学毕业设计(论文论文)评阅书评阅书(1) 姓名姓名学号学号专业专业 毕业设计毕业设计
4、(论文论文)题目题目 指导教师评语：指导教师评语： 指导教师签字：指导教师签字： 年年 月月 日日 评阅人评语：评阅人评语： 评阅人签字：评阅人签字： 年年 月月 日日 得分得分 得分得分 等级 华东交通大学毕业设计华东交通大学毕业设计(论文论文)评阅书评阅书(2) 姓名姓名学号学号专业专业 毕业设计毕业设计(论文论文)题目题目 答辩小组评语：答辩小组评语： 等级等级 组长签字：组长签字： 年年 月月 日日 答辩委员会意见：答辩委员会意见： 等级等级 答辩委员会主任签字：答辩委员会主任签字： 年年 月月 日（学院公章）日（学院公章） 注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委
5、员会审定，盖学院公章。 “等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成 绩） 。 华东交通大学毕业论文评阅书（华东交通大学毕业论文评阅书（1） 姓名陈 力学号20090111200140 指导教师评分 评评 分分 标标 准准 得分得分 学 习 能 力、 态 度 3025 分 2422 分 2119 分 18 分 18 分 学习主动、认真，出勤率全，能熟练综合运用所学知识，全面出色完成任务。 学习认真、较主动，出勤率高，能综合运用知识，全面完成任务。 学习尚认真，出勤率较高，能运用所学知识，按期完成任务。 学习要求不高，出勤率一般，在教师帮助下能运用所
6、学知识，按期完成任务。 学习马虎，出勤率较低，运用所学知识能力较差，不能按期完成任务。 研究论文 2017 分 1615 分 1413 分 12 分 12 分 研究方案合理，论证充分，创新意思强，计算正确无误。 能较全面考虑问题，研究方案较合理，有创新意思，论证较充分，计算正确。 尚能全面考虑问题，研究方案较合理，有些创新，论证基本正确，计算无原则错误。 全面考虑问题不够，研究方案尚可，论证不够充分，计算无重大原则错误。 考虑问题片面，研究方案不合理，计算中有重大原则错误。 实 验 研 究 2017 分 1615 分 1413 分 12 分 12 分 实验方案合理，实验动手能力强，实验数据准确
7、，数据处理正确。 实验方案较合理，实验动手能力较强，实验数据基本准确，数据处理正确。 实验方案基本合理，实验动手能力较强，实验数据基本准确，数据处理基本正确。 实验方案基本合理，实验动手能力一般，实验数据基本准确，数据处理无原则错误。 实验方案不太合理，实验动手能力差，实验数据不准确，数据处理有重大错误。 外 语、 计 算 机 能 力 2017 分 1615 分 1413 分 12 分 12 分 能熟练阅读外文参考资料，能正确无误的写出外文摘要，能熟练应用计算机。 能较熟练阅读外文参考资料，能用外文写出论文摘要，能较熟练应用计算机。 能基本独立完成教师规定的外语、计算机应用方面要求。 能完成教
8、师规定外语、计算机方面的要求。 末达到教师规定外语、计算机方面的要求。 毕 业 实 习 109 分 8 分 7 分 6 分 6 分 实习主动、积极，实习日记、实习报告内容完整、充实，图文并茂。 能认真的完成实习任务，实习日记、实习报告内容完整、质量较好。 基本完成实习任务，实习日记、实习报告内容不够完整，质量一般。 实习报告内容不完整，但尚能将大部分规定的内容写出，质量较差。 实习不认真，实习日记、报告马虎潦草，内容不完整。质量差。 总评分（满分 100） 指导教师： _年_月_日 华东交通大学毕业论文评阅书（华东交通大学毕业论文评阅书（2） 姓 名陈 力学 号 20090111200140
9、评阅人评分 评阅人： _年_月_日 项目及权重(满分)分数 形式审查(30) 核心部分质量(50) 创新及综合能力(20) 合计(100) 答辩评分 答辩委员会评分 答辩组组长： 答辩委员会主任： _年_月_日 _年_月_日 项目及权重(满分)分数 设计(论文)、图纸规范化(30) 答辩陈述表现(20) 回答问题表现(30) 综合能力(20) 合计(100) 项目及权重分数 总评分(指导教师评分50% + 评阅人评分20% + 答辩小组评分30%) 审定等级(优 100-90，良 89- 80，中 79-70，及格 69-60，不 及格 59 及以下) 华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录华东
10、交通大学毕业设计（论文）答辩记录 姓 名 学 号 毕业届 别 专 业 题目答辩时间 答辩组成员（签字）： 答辩记录： 等小组答辩完成后，根据小组的5个问题，自己拟定答案，要求必须手写。 记录人为：同组的另一个同学 答辩组组长是一个老师的名字，要签名，不能打印。 记录人（签字）： 年 月 日 答辩小组组长（签字）： 年 月 日 附注： 摘要 I III-族氮化物及其高亮度蓝光 LED 外延片的 MOCVD 生长和性质研究 专 业： 学 号： 学生姓名： 指导教师： 摘要 宽禁带 III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光 器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前
11、景。自 1994 年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了 GaN 基蓝光 LED 外延材料生长技 术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了 批量或小批量生产 GaN 基 LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态， 材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获 取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究 GaN 基 材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度 GaN 基 LED 外延材料 提供科学依据。 本文在自制常压 MOCVD 和英国进口 MOCVD 系统上对 III族氮化物的生长 机理进行了研究，对材料
12、的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构， 生长的蓝光 LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了 如下有创新和有意义的研究结果： 1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单 晶膜的思想，并在 GaN 外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了 GaN 外延膜的结晶性能，使 GaN 基蓝光 LED 器件整体性能大幅度提高，大大降 低了 GaN 基蓝光 LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。 本文得到了国家 863 计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件 工程研究中心项目的资助。 关键词：关键词：氮化物； MOCV
13、D； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射 谱 中文摘要：独占一页；论文题目用小 2 号黑体字、居中 宋体，5 号，对齐居中 页眉：中文宋体，小五号，居中 正文用小 4 号宋体字 “摘要“用 3 号黑体字、居中 关键词用小 4 号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔 Abstract II Study on MOCVD growth and properties of III- nitrides and high brightness blue LED wafers Abstract GaN based - nitrides have potential applicatio
14、ns on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor. More than ten companies in America and Japan reported to have develope
15、d the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994. In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as: 1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. Thi
