电子线路第二章教案.

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1、课题第二章晶体三极管和场效晶体管课型新课授课班级授课时数1教学目标1掌握三极管的结构、分类和符号2理解三极管的工作电压和基本连接方式3理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用新课A引入在电子线路中,经常用的基本器件除二极管外,还有三引脚的三极管。B新授课2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1观察外形2三极管的结构图 三极:发射极、基极、集电极两结:发射结、集电结三区:发射区、基区、集电区3特点(1)发射区掺杂浓度较大,以利于发射区向基区发射载流子。(2)基区很薄,掺杂少,载流子易于通过。(3)

2、集电区比发射区体积大且掺杂少,收集载流子。注意:三极管并不是两个PN结的简单组合,不能用两个二极管代替。二、图形符号 aNPN型 bPNP型三、分类1内部三个区的半导体分类:NPN型、PNP型2工作频率分类:低频管和高频管3以半导体材料分:锗、硅2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、三极管的工作电压1三极管工作时,发射结加正向电压,集电结加反向电压。2偏置电压:基极与发射极之间的电压。二、三极管在电路中的基本连接方式1共发射极接法共用发射极2共基极接法共用基极3共集电极接法共用集电极2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系 三极管的特殊构造,使三极管具有特殊作用。1实验电路

3、2三极管中电流分配关系(1)IE = IC+IB。(2)基极电流IB很小,所以IE = IC。3ICEO 基极开路时c、e的电流 ICEO越小,说明温度稳定性越好。4ICBO发射极开路时c、b间的电流 集电极、基极反向饱和电流二、电流放大作用1当IB有较小变化时,IC就有较大变化2交流电流放大系数:注意:工作电流不同,不同,在IC较大范围内,变化很小。3直流电流放大系数4ICbIBIC b IBICEO(讲解)(引导:比较两种符号,箭头说明发射结导通的方向)(学生观察)教师讲授练习小结三极管结构分类电流分配关系布置作业习题二 2-1,2-2,2-3,2-4教学后记课题2.1.4三极管的输入和输

4、出特性课型新课授课班级授课时数1教学目标1熟悉三极管的输入和输出特性曲线2能正确指出输出特性曲线的三个区域,明确三极管的三个状态3能正确判别三极管的三个状态教学重点三极管的输出特性曲线、工作状态教学难点工作状态的判别新课A复习 1三极管的类型、分类、结构。2三极管的电流分配关系。3三极管的电流放大作用。B引入三极管的基本作用已经明了,还需进一步了解三极管的特性,包括输入特性和输出特性的特性曲线,三极管在不同电压条件下的工作状态等。C新授课一、三极管共发射极输入特性1定义:VBE与IB的数量关系。2输入特性曲线对每一个固定的VCE值,IB随VBE的变化关系。(1)当VCE增大时,曲线应右移。(2

5、)当VBE 0.3 V时,曲线非常靠近。(3)当VBE大于发射结死区电压时,IB开始导通。导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值,硅管为0.7 V,锗管约为0.3 V。二、晶体三极管的输出特性曲线1定义每一个固定的IB值,测出IC和VCE对应值的关系。2三个区域(1)截止区:IB = 0,三极管截止,IB = 0以下的区域。IB = 0,IC0,即为ICEO。三极管发射结反偏或两端电压为零时,为截止。(2)饱和区:VCE较小的区域。IC不随IB的增大而变化。饱和时的VCE值为饱和压降。VCES:硅管为0.3 V,锗管为0.1 V。发射结、集电结都正偏,处于饱和。(3)放大区:IC受I

6、B控制,IC=bIB,具有电流放大作用。恒流特性:IB一定,IC不随VCB变化,IC恒定。发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。总结:三极管工作状态由偏置情况决定。放 大截 止饱 和发射结正偏集电结反偏发射结反偏或零偏发射结正偏集电结正偏NPNVCVBVEVBVEVBVE,VCVEPNPVCVBVEVBVEVBVE,VCVE例题:1判别三极管的工作状态 2将上题改为PNP型硅管再作判别。3判断三极管的放大状态,各极名称、管型。 4根据输出特性曲线计算直流放大系数、交流放大系数、ICEO、ICBO等(学生根据电路图写公式)(本组题为已知管型。)指导:先看VBE再看VBC,NPN多为硅管,PNP多

7、为锗管,饱和区VCE0.3V)(本组题为未知管型仅知管脚电位)指导:1中间电位值的为基极。2电位值接近基极的为发射极。电位值与基极相差较大的是集电极。3VBE=0.7V或接近,为NPNVBE=-0.3V或接近,为PNP)练习习题二2-6,2-7,2-8,2-9小结1三极管特性曲线2三个区域、三个状态3三个状态判别的方法布置作业教学后记课题2.1.5三极管的主要参数课型新课授课班级授课时数1教学目标1了解三极管的主要参数。2会简单测试三极管硅管、锗管。教学重点参数和测试教学难点测试新课A复习1三极管的输入、输出特性曲线。2三极管的三个区域、三个状态。3各个状态的特性。B引入学习了三极管的基本特性

8、,要正确使用三极管必须了解三极管的参数,并会测试三极管。C新授课2.1.5三极管的主要参数一、共发射极电流放大系数1共发射极直流放大系数2共发射极交流放大系数b在同等工作条件下,=b二、极间反向饱和电流1集电极-基极反向饱和电流ICBO2集电极-发射极反向电流(穿透电流)ICEO关系:ICEO =(1+b)ICBO三、极限参数 三极管正常工作时,允许的最大电流、电压和功率等极限数值。1集电极电大允许电流ICM若IC过大,b将下降;当ICICM,b将下降很多。2集电极最大允许耗散功率PCMPCM最大允许平均功率是IC和VCB乘积允许最大值。3集电极发射极反向击穿电压VCEO基极开路时,加在集电极

9、和发射极之间的最大允许电压,电压超过此值后,会电击穿导致热击穿,损坏管子。2.1.6三极管或锗管的简易测试一、硅管或锗管的判别 原理:1硅管发射结正向压降为0.6 0.8V2锗管发射结正向压降为0.1 0.3V测试:二、估计比较b的大小1万用表 R1k 2方法3比较b的大小当开关S断开和接通时的电阻值,前后两个读数相关越大,表示三极管的b越高。三、估测ICEO1万用表R1k2方法 3结论:阻值越大,ICEO越小4阻值无穷大,三极管内部开路;阻值为零,则内部短路。四、NPN型管和PNP型管的判别1万用表R1k 或R1002方法(1)黑表笔搭接三极管某一管脚,红表笔搭接另管脚,如果阻值都很小,黑表

10、笔所接为NPN型管的基极。(2)红表笔搭接三极管一脚,黑笔搭另两脚,如果阻值都很大,红表笔所接为是PNP型管的基极。五、三个管脚的判别NPN型按电路连接阻值小的一次,黑笔接c,红笔接e。(讲解)(边测边学)指导:(1)搞清各电极在放大时的电位关系。(2)NPN截止,VCE间阻值大;放大,VCE间阻值小。练习小结1参数2三极管的测定方法布置作业习题二,2-10补充:三极管9011的参数为PCM = 400 mW,ICM = 30 mA,V(BR)CEO = 30 V,问该型号管子在以下情况下能否正常工作。1VCE = 20 V,IC = 25 mA2VCE = 3 V,IC = 50 mA教后反思课题2.2场效晶体管课型新课授课班级授课时数2教学目标1熟悉场效晶体管的分类、特性曲线、与普通三极管在性能上的异同点2能理解结型场效晶体管的工作原理,理解它的特性曲线教学重点结型场效晶体管的符号、工作特点、特性曲线教学难点转移特性曲线新课A引入普通三极管以基极电流的变化控制集电极电流,故称为电流控制器件,今天分析的是另一种

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