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1、 第三章第三章 薄膜工艺薄膜工艺3.1 淀积工艺淀积工艺3.2 薄膜电阻器工艺薄膜电阻器工艺3.3 光刻材料和工艺光刻材料和工艺3.4 腐蚀材料和工艺腐蚀材料和工艺3.5 薄膜微桥跨接电路薄膜微桥跨接电路 3.1 淀积工艺淀积工艺在制造薄膜微电路时，基片材料选定后，下一步便是在基在制造薄膜微电路时，基片材料选定后，下一步便是在基片上淀积片上淀积金属或金属化合物金属或金属化合物，这些金属材料将提供，这些金属材料将提供导体和导体和电阻器的图形和功能电阻器的图形和功能。一般情况，在基片上顺序地淀积一。一般情况，在基片上顺序地淀积一层层电阻材料电阻材料，一层，一层阻挡层金属材料阻挡层金属材料和一层和一
2、层顶层导体材料顶层导体材料。这些层相当薄（这些层相当薄（20-2000nm），可用真空蒸发、溅射淀积），可用真空蒸发、溅射淀积和化学气相淀积和这些工艺的变种来实现。和化学气相淀积和这些工艺的变种来实现。导语导语 3.1 淀积工艺淀积工艺薄膜淀积工艺是薄膜淀积工艺是IC制造中的重要组成部分：在硅表面以上制造中的重要组成部分：在硅表面以上的器件结构层绝大部分是由的器件结构层绝大部分是由淀积工艺淀积工艺形成的形成的。金属层间金属层间绝缘介质绝缘介质多晶多晶-金属金属绝缘介质绝缘介质场氧化层场氧化层N阱阱源极源极栅氧化层栅氧化层P型衬底型衬底漏极漏极接触孔接触孔通孔通孔多晶硅栅多晶硅栅第第1层金属层金
3、属第第2层金属层金属3.1.1 蒸发淀积蒸发淀积蒸发淀积包括在相当高的真空蒸发淀积包括在相当高的真空中加热一种材料，以至于它的中加热一种材料，以至于它的蒸发压力超过周围环境的压力，蒸发压力超过周围环境的压力，使它能很快的蒸发。被涂覆的使它能很快的蒸发。被涂覆的基片放在真空室中源材料的邻基片放在真空室中源材料的邻近，如图近，如图3.1所示。当蒸气接所示。当蒸气接触到基片上较冷的表面时，通触到基片上较冷的表面时，通过晶核形成的机理使蒸气浓缩，过晶核形成的机理使蒸气浓缩，且在基片上各颗粒边界处成长且在基片上各颗粒边界处成长出膜层。出膜层。图图3.1 真空蒸发台示意图真空蒸发台示意图3.1.1 蒸发淀
4、积蒸发淀积 蒸发蒸发蒸发蒸发工艺是最早出现的金属淀积工艺。工艺是最早出现的金属淀积工艺。工艺是最早出现的金属淀积工艺。工艺是最早出现的金属淀积工艺。真空度一般要求真空度一般要求真空度一般要求真空度一般要求高于高于高于高于10-5Torr10-5Torr。图图3.2 JS-1600直流溅射仪直流溅射仪 3.1.2 直流（直流（DC）溅射）溅射p溅射是一种电物理过程，溅射是一种电物理过程，靶（作为阴极）被高能正靶（作为阴极）被高能正离子轰击，转变能量，进离子轰击，转变能量，进行能量传递，将靶材的粒行能量传递，将靶材的粒子弹出。这种溅射的粒子子弹出。这种溅射的粒子在阳极或接地的支架夹持在阳极或接地的
5、支架夹持着的基片上淀积成薄膜。着的基片上淀积成薄膜。如图如图3.2所示为所示为2JS-1600直直流溅流溅射仪。射仪。直流溅射作为一种最简单的溅射，其装置由一个二极管或直流溅射作为一种最简单的溅射，其装置由一个二极管或平行板系统构成，如图平行板系统构成，如图3.3所示，被溅射的材料是附在阴极所示，被溅射的材料是附在阴极板上的，而待涂覆的基片放在对面为阳极或接地的平板上。板上的，而待涂覆的基片放在对面为阳极或接地的平板上。 3.1.2 直流（直流（DC）溅射）溅射图图3.3 直流溅射装置直流溅射装置 真空中充入的氩气真空中充入的氩气真空中充入的氩气真空中充入的氩气 在在在在电场下产生气体放电电场
6、下产生气体放电电场下产生气体放电电场下产生气体放电（等离子体）（等离子体）（等离子体）（等离子体） 高能高能高能高能Ar+Ar+轰击靶材轰击靶材轰击靶材轰击靶材（阴极）（阴极）（阴极）（阴极），使其表面原，使其表面原，使其表面原，使其表面原子剥离并子剥离并子剥离并子剥离并淀积到对面阳淀积到对面阳淀积到对面阳淀积到对面阳极（硅片）极（硅片）极（硅片）极（硅片）表面表面表面表面阴极（靶）阴极（靶）氩等离子体氩等离子体硅片硅片阳极阳极真空腔室真空腔室 3.1.3 射频溅射射频溅射图图3.4 RF溅射装置示意图溅射装置示意图氩气入口氩气入口到真空泵到真空泵RF发生器发生器真空室真空室匹配网络匹配网络接
7、地护罩接地护罩金属衬背金属衬背介质靶介质靶基片基片 射频溅射比直流溅射有更多的功射频溅射比直流溅射有更多的功能。除了金属和合金以外，它可用于能。除了金属和合金以外，它可用于在相当低的温度和压力下淀积几乎任在相当低的温度和压力下淀积几乎任何介质材料，包括氧化硅、氮化硅、何介质材料，包括氧化硅、氮化硅、玻璃、氧化铝、难溶氧化物和一些塑玻璃、氧化铝、难溶氧化物和一些塑料如聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯。料如聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯。 如图所示，射频溅射装置除了增如图所示，射频溅射装置除了增加加13.56MHz和和1-2kW功率的功率的RF发生发生器和冷却靶的设施以外，器和冷却靶的设施以外，RF溅射所溅
8、射所用装置实质上与用装置实质上与DC溅射是相同的。溅射是相同的。3.1.4 反应溅射反应溅射 反应溅射是溅射的另一个变种。这里，反应气体反应溅射是溅射的另一个变种。这里，反应气体随着惰性气体氩被引入形成等离子。因为反应气体是随着惰性气体氩被引入形成等离子。因为反应气体是活泼的，与从靶处被溅射出来的原子进行化学结合，活泼的，与从靶处被溅射出来的原子进行化学结合，组成一种新的化合物。所以，反应溅射是一种组合的组成一种新的化合物。所以，反应溅射是一种组合的物理、电气和化学反应过程。氮化钽的反应溅射是淀物理、电气和化学反应过程。氮化钽的反应溅射是淀积薄膜电阻最常用的两种工艺之一。积薄膜电阻最常用的两种
9、工艺之一。 3.1.5 蒸发和溅射工艺的比较蒸发和溅射工艺的比较薄膜溅射薄膜溅射明显地优于蒸发淀积，其明显地优于蒸发淀积，其优点优点如下：如下：溅射膜对基片有更强的溅射膜对基片有更强的附着力附着力。溅射膜更溅射膜更致密致密、更、更均匀均匀。溅射工艺更为通用。溅射工艺更为通用。导体（金属、合金）或非导体（介质、绝缘体）膜都可以导体（金属、合金）或非导体（介质、绝缘体）膜都可以淀积。淀积。溅射工艺也可以溅射工艺也可以逆向模式逆向模式使用，用于清洁基片表面或刻蚀使用，用于清洁基片表面或刻蚀细线。细线。淀积的速率、膜的厚度和膜的均匀性能更好地控制。淀积的速率、膜的厚度和膜的均匀性能更好地控制。3.2
10、薄膜电阻器工艺薄膜电阻器工艺在选择薄膜电阻器时，几个重要的问题需要考虑：在选择薄膜电阻器时，几个重要的问题需要考虑：在实际的厚度范围，具有可控制的及能重复得到的面在实际的厚度范围，具有可控制的及能重复得到的面电阻率电阻率低的低的TCR紧密的阻值跟踪紧密的阻值跟踪长期的稳定性（在加电或热老化时有低的漂移）长期的稳定性（在加电或热老化时有低的漂移） 薄膜电阻器薄膜电阻器薄膜电阻器可分类成纯金属、金属合金、金属化合物或薄膜电阻器可分类成纯金属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷（陶瓷和金属的组合）金属陶瓷（陶瓷和金属的组合） 3.2.1 镍铬工艺镍铬工艺 不管用的时镍铬、氮化钽或不管用的时镍铬、氮化钽或
11、时金属陶瓷电阻器，其工艺时金属陶瓷电阻器，其工艺步骤时十分相似的。如右图步骤时十分相似的。如右图所示为薄膜导体所示为薄膜导体/电阻网络电阻网络淀积光刻的工艺流程。淀积光刻的工艺流程。薄膜电阻所用的镍铬时镍和薄膜电阻所用的镍铬时镍和铬的合金。可以使用这两种铬的合金。可以使用这两种金属的各种配比来获得不同金属的各种配比来获得不同的面电阻数值。的面电阻数值。 3.2.2 镍铬电阻器的特性镍铬电阻器的特性镍铬电阻器的特性如下表，薄膜电阻器的特性高度地取决镍铬电阻器的特性如下表，薄膜电阻器的特性高度地取决于在其上进行淀积的基片的表面特性，基片表面越光滑，于在其上进行淀积的基片的表面特性，基片表面越光滑，
12、电阻值越稳定。然而，许多其他的因素对电阻稳定性性也电阻值越稳定。然而，许多其他的因素对电阻稳定性性也有贡献，其中主要有退火、稳定性烘烤和调阻条件。有贡献，其中主要有退火、稳定性烘烤和调阻条件。面电阻率面电阻率25300/，100200/（典型值）（典型值）面电阻率公差面电阻率公差标称值的标称值的10%TCR（050）ppm/,(025)ppm/（专门退（专门退火）火）TCR跟踪跟踪*2ppm电阻漂移电阻漂移2000ppm，在，在150下下1000h后后1000ppm，用专门方法退火，用专门方法退火200ppm，350退火的溅射膜退火的溅射膜比值跟踪比值跟踪5ppm在退火后和激光调阻后的阻值公差
13、在退火后和激光调阻后的阻值公差0.1%噪音（噪音（100Hz1MHz）-35dB（最大）（最大） 3.2.3 镍铬电阻器的特性镍铬电阻器的特性较高的温度较高的温度、较长的退火时间较长的退火时间，提供更为稳定的电阻，提供更为稳定的电阻器、器、低的低的TCR和更和更紧密的电阻跟踪紧密的电阻跟踪。如下表所示。如下表所示镍铬电阻器面镍铬电阻器面电阻率电阻率退货条件（空气中）退货条件（空气中）老化后阻值改变（老化后阻值改变（ppm）淀积方法淀积方法淀积时淀积时（/）温度（温度（）时间时间（min）50h，N2,150168h，N2,125500h，N2,125最后最后TRC瞬间蒸发无瞬间蒸发无Ni阻挡阻
14、挡层层1652251202000500700-20瞬间蒸发有瞬间蒸发有400的的Ni阻挡层阻挡层1652251201700350630-16瞬间蒸发有瞬间蒸发有800的的Ni阻挡层阻挡层1652251201400280400-12瞬间蒸发有瞬间蒸发有800的的Ni阻挡层阻挡层1653001201310260300-10瞬间蒸发有瞬间蒸发有800的的Ni阻挡层阻挡层16535012046070110+34溅射有有溅射有有800的镍的镍阻挡层阻挡层125350235*7141+3溅射有有溅射有有800的镍的镍阻挡层阻挡层105350315*96-96+80-3 3.2.4 氮化钽工艺氮化钽工艺p在
15、陶瓷上制造氮化钽电阻在陶瓷上制造氮化钽电阻/金属、导体电路图形的工艺，金属、导体电路图形的工艺，大体类似于制造镍铬电阻器的工艺。两种情况都使用大体类似于制造镍铬电阻器的工艺。两种情况都使用对多层金属结构进行选择性刻蚀的光刻技术。工艺上对多层金属结构进行选择性刻蚀的光刻技术。工艺上的不同处包括：的不同处包括：氮化钽是用钽在部分氮气气氛中反应溅射淀积，而不氮化钽是用钽在部分氮气气氛中反应溅射淀积，而不是直流溅射或瞬间蒸发。是直流溅射或瞬间蒸发。在氮化钽和金之间，分别用钛和钯作为捆绑层和阻挡在氮化钽和金之间，分别用钛和钯作为捆绑层和阻挡层；对镍铬电阻用镍作为阻挡层。层；对镍铬电阻用镍作为阻挡层。钛和
16、氮化钽是用氢氟酸钛和氮化钽是用氢氟酸-硝酸溶液腐蚀，对细线分辨率，硝酸溶液腐蚀，对细线分辨率，也可用溅射反刻。也可用溅射反刻。 3.2.4 氮化钽工艺氮化钽工艺 氮化钽电阻的两种剖面图如下所示：氮化钽电阻的两种剖面图如下所示： 3.2.5氮化钽电阻器的性能氮化钽电阻器的性能 氮化钽电阻器在它们的电性能方面类似于镍铬电阻，氮化钽电阻器在它们的电性能方面类似于镍铬电阻，包括面电阻率、电阻温度系数（包括面电阻率、电阻温度系数（TCR）、电阻跟踪和高温）、电阻跟踪和高温老化后的长期阻值漂移，如下表所示。老化后的长期阻值漂移，如下表所示。氮化钽电阻的一些特性氮化钽电阻的一些特性 3.2.6 陶瓷金属薄膜
17、电阻器陶瓷金属薄膜电阻器S最为广泛使用的薄最为广泛使用的薄膜陶瓷金属电阻器是膜陶瓷金属电阻器是氧化硅和铬（氧化硅和铬（SiO-Cr）的复合物，它主）的复合物，它主要是因为具有要是因为具有高的面高的面电阻率电阻率，能在，能在最小的最小的基片基片面积上制造出面积上制造出高高值电阻器值电阻器而被采用，而被采用，通过改变一氧化硅对通过改变一氧化硅对铬的配比，很宽范围铬的配比，很宽范围的电阻率是可能实现的电阻率是可能实现的。如右图所示为铬的。如右图所示为铬-氧化硅组分与电阻氧化硅组分与电阻率的关系。率的关系。3.3 光刻材料和工艺光刻材料和工艺 光刻光刻光刻光刻：是指通过是指通过是指通过是指通过曝光曝光
18、曝光曝光和和和和选择性化学腐蚀选择性化学腐蚀选择性化学腐蚀选择性化学腐蚀等工序等工序等工序等工序将掩膜版上将掩膜版上将掩膜版上将掩膜版上 的的的的集成电路图形集成电路图形集成电路图形集成电路图形印制到硅片上印制到硅片上印制到硅片上印制到硅片上的精密表面加工技术。的精密表面加工技术。的精密表面加工技术。的精密表面加工技术。光源光源光源光源光阑光阑光阑光阑快门快门快门快门掩膜掩膜掩膜掩膜光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶硅片硅片硅片硅片一个简单的一个简单的一个简单的一个简单的光刻曝光系统光刻曝光系统光刻曝光系统光刻曝光系统示意图示意图示意图示意图像纸上的感光材料像纸上的感光材料像纸上的感光材料像纸上的感光材
19、料 光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶胶卷胶卷胶卷胶卷（底片）（底片）（底片）（底片） 掩膜版掩膜版掩膜版掩膜版曝光系统曝光系统曝光系统曝光系统（印像机）（印像机）（印像机）（印像机） 光刻机光刻机光刻机光刻机暗室暗室暗室暗室（小红灯）（小红灯）（小红灯）（小红灯） 光刻间（黄灯）光刻间（黄灯）光刻间（黄灯）光刻间（黄灯）显影液显影液显影液显影液定影液定影液定影液定影液3.3 光刻材料和工艺光刻材料和工艺光刻胶光刻胶是由溶解在一种或多种有是由溶解在一种或多种有机溶剂中的光敏聚合物或初始聚合机溶剂中的光敏聚合物或初始聚合物构成的有机合成物。由两种类型：物构成的有机合成物。由两种类型：一种能在曝光时进一步聚
20、合或交叉一种能在曝光时进一步聚合或交叉链接形成加固的能抵抗刻蚀溶液的链接形成加固的能抵抗刻蚀溶液的覆盖物（覆盖物（负型负型），另一种能在曝光），另一种能在曝光时分解，断裂并被溶解（时分解，断裂并被溶解（正型正型）。）。一般使用的紫外光波长一般使用的紫外光波长200-400nm如右图所示为三氧化二铝陶瓷基片如右图所示为三氧化二铝陶瓷基片上刻蚀金薄膜的步骤，使用负性光上刻蚀金薄膜的步骤，使用负性光刻胶和一个负图像的淹没。制造的刻胶和一个负图像的淹没。制造的图像与所用掩模板的图像相反。图像与所用掩模板的图像相反。 使用正性或负性光刻胶时用正掩模还是负掩模，使用正性或负性光刻胶时用正掩模还是负掩模，有
21、四种可能的组合如下图所示：有四种可能的组合如下图所示：3.3 光刻材料和工艺光刻材料和工艺3.3.1 负性光刻胶的化学反应负性光刻胶的化学反应p 负性光刻胶基于有乙烯或双键的化合物，当紫外光得负性光刻胶基于有乙烯或双键的化合物，当紫外光得到能量后，它分离成双游离基。这些自由基时不稳定的，到能量后，它分离成双游离基。这些自由基时不稳定的，很快头尾相连，形成长链或交链聚合物，和原来未曝光很快头尾相连，形成长链或交链聚合物，和原来未曝光的有机涂层相比，此聚合物不溶解且具有化学抗蚀性。的有机涂层相比，此聚合物不溶解且具有化学抗蚀性。特点：特点：特点：特点：大多数负胶通过曝光后的大多数负胶通过曝光后的大
22、多数负胶通过曝光后的大多数负胶通过曝光后的交联聚交联聚交联聚交联聚 合合合合而起作用，大而起作用，大而起作用，大而起作用，大的树脂分子相互连接，的树脂分子相互连接，的树脂分子相互连接，的树脂分子相互连接，变得不可溶变得不可溶变得不可溶变得不可溶。优点优点优点优点：感光：感光：感光：感光速度高速度高速度高速度高，粘附性和耐腐蚀性强，工艺易于控制，粘附性和耐腐蚀性强，工艺易于控制，粘附性和耐腐蚀性强，工艺易于控制，粘附性和耐腐蚀性强，工艺易于控制，成本低成本低成本低成本低。缺点缺点缺点缺点：易膨胀易膨胀易膨胀易膨胀。显影时图形线宽展宽，烘烤后恢复，但线。显影时图形线宽展宽，烘烤后恢复，但线。显影时
23、图形线宽展宽，烘烤后恢复，但线。显影时图形线宽展宽，烘烤后恢复，但线条变形。膨胀时靠的很近的线条可能会连在一起。条变形。膨胀时靠的很近的线条可能会连在一起。条变形。膨胀时靠的很近的线条可能会连在一起。条变形。膨胀时靠的很近的线条可能会连在一起。 3.3.2正性光刻胶的化学反应正性光刻胶的化学反应正光刻胶的化学反应正光刻胶的化学反应是基于重氮盐或二迭氮化合物的是基于重氮盐或二迭氮化合物的两种反应两种反应。在碱性条件下，重氮盐或二迭氮化物迅速地且几乎定在碱性条件下，重氮盐或二迭氮化物迅速地且几乎定量地与一耦合剂（一种酚的化合物）发生反应，通过将量地与一耦合剂（一种酚的化合物）发生反应，通过将这两种
24、成分配制在偏酸性的缓冲溶液中，能禁止或阻止这两种成分配制在偏酸性的缓冲溶液中，能禁止或阻止这种反应发生。显影液提供碱性引起发生耦合反应。这种反应发生。显影液提供碱性引起发生耦合反应。3.3.2 正性光刻胶的化学反应正性光刻胶的化学反应 正性光刻胶正性光刻胶正性光刻胶正性光刻胶 特点特点特点特点：正胶中的长链聚合物正胶中的长链聚合物正胶中的长链聚合物正胶中的长链聚合物曝光后分解而变得可溶曝光后分解而变得可溶曝光后分解而变得可溶曝光后分解而变得可溶。 优点优点优点优点：分辨率高，分辨率高，分辨率高，分辨率高，边缘整齐，边缘整齐，边缘整齐，边缘整齐，陡直度好陡直度好陡直度好陡直度好； 缺点缺点缺点缺
25、点：粘附性和耐腐蚀性较差粘附性和耐腐蚀性较差粘附性和耐腐蚀性较差粘附性和耐腐蚀性较差，成本，成本，成本，成本高高高高。重氮基团分解并释放重氮基团分解并释放出氮气。一旦暴露在出氮气。一旦暴露在紫外光下，形成的化紫外光下，形成的化合物不能够再发生耦合物不能够再发生耦合和成为不溶解的染合和成为不溶解的染料。如图为正性光刻料。如图为正性光刻胶的化学反应。胶的化学反应。3.3.3 工艺工艺典型的光刻工艺流程典型的光刻工艺流程8) 显影检查显影检查5) 曝光后烘焙曝光后烘焙6) 显影显影7) 坚膜烘焙坚膜烘焙紫外光紫外光掩膜版掩膜版 4) 对准和曝光对准和曝光光刻胶光刻胶2) 旋转涂胶旋转涂胶3) 软烘软
26、烘1) 气相成底膜气相成底膜HMDS3.3.3 工艺工艺 3.4 刻蚀材料和工艺刻蚀材料和工艺薄膜的刻蚀方法分成薄膜的刻蚀方法分成“湿法湿法”或或“干法干法”两种类型。湿法使用化两种类型。湿法使用化学溶液，通常是水溶性的酸或碱；干法刻蚀包含用反溅射、学溶液，通常是水溶性的酸或碱；干法刻蚀包含用反溅射、离子刻蚀或者通过气相化学反应去掉膜的分子。离子刻蚀或者通过气相化学反应去掉膜的分子。干法刻蚀的优点如下：干法刻蚀的优点如下：1.避免使用高度腐蚀性和有危险性的化学材料；避免使用高度腐蚀性和有危险性的化学材料；2.避免与化学溶液有关的处理和安全问题；避免与化学溶液有关的处理和安全问题；3.避免表面被
27、化学和离子沾污；避免表面被化学和离子沾污；4.刻蚀速率能更好的控制，具有更高的分辨率；刻蚀速率能更好的控制，具有更高的分辨率；5.刻蚀是各向异性的，避免了钻孔。刻蚀是各向异性的，避免了钻孔。 3.4.1金膜的化学刻蚀金膜的化学刻蚀 在混合微电路制造中，化学刻蚀在有电阻膜存在时在混合微电路制造中，化学刻蚀在有电阻膜存在时能有选择性的去掉导电膜或阻挡层是很重要的。王水能有选择性的去掉导电膜或阻挡层是很重要的。王水是一种古老的溶解金的溶液，但是今天的薄膜工艺中是一种古老的溶解金的溶液，但是今天的薄膜工艺中已不太常用。已不太常用。目前常用目前常用KI/I2来腐蚀金，通过加入禁止剂（如二来腐蚀金，通过加
28、入禁止剂（如二盐基磷酸铵或者二盐基磷酸钾盐基磷酸铵或者二盐基磷酸钾/磷酸）抑制甚至避免磷酸）抑制甚至避免对镍铬和镍的刻蚀。刻蚀金的反应方程式如下：对镍铬和镍的刻蚀。刻蚀金的反应方程式如下： KI+I KI3+KI(过量过量) 3KI3+2Au 2KAuI4+KI为了完全溶解碘，应使用过量的为了完全溶解碘，应使用过量的KI（过量（过量2-6克）克） 3.4.2 镍和镍铬膜的化学刻蚀镍和镍铬膜的化学刻蚀 能与镍铬发生反应从而溶解镍铬但又不攻击金的刻蚀液是能与镍铬发生反应从而溶解镍铬但又不攻击金的刻蚀液是由硫化铈、硝酸铵和硝酸的水溶液构成。刻蚀的机理通常包由硫化铈、硝酸铵和硝酸的水溶液构成。刻蚀的机
29、理通常包含镍和铬被氧化成为可溶解的盐。这些刻蚀液对金没有作用。含镍和铬被氧化成为可溶解的盐。这些刻蚀液对金没有作用。为了去掉镍阻挡层而又不腐蚀金并把对阻挡层下的镍铬的腐为了去掉镍阻挡层而又不腐蚀金并把对阻挡层下的镍铬的腐蚀速率降到最低程度，可使用三氯化铁溶液，浸泡时间必须蚀速率降到最低程度，可使用三氯化铁溶液，浸泡时间必须根据经验确定，以避免过量地去掉镍铬。根据经验确定，以避免过量地去掉镍铬。刻蚀是一种半经验性的工艺，在每种情况下，最佳工艺条刻蚀是一种半经验性的工艺，在每种情况下，最佳工艺条件（曝光时间、温度、溶液浓度和搅拌速度）都必由试验建件（曝光时间、温度、溶液浓度和搅拌速度）都必由试验建
30、立。一种工艺在生产线上实施之前，必须实行终点的视觉监立。一种工艺在生产线上实施之前，必须实行终点的视觉监视并对阻值、导体线宽间距和厚度进行测量。视并对阻值、导体线宽间距和厚度进行测量。 3.4.3 干法刻蚀干法刻蚀 不用化学刻蚀液溶解（湿不用化学刻蚀液溶解（湿法）而去掉金属、介质或半法）而去掉金属、介质或半导体薄膜的方法，叫做导体薄膜的方法，叫做干法干法刻蚀刻蚀。 干法刻蚀比化学刻蚀有干法刻蚀比化学刻蚀有许多许多优点优点，主要有：，主要有：1.能够产生小于能够产生小于0.1mil，可，可至微米范围细线几何图形；至微米范围细线几何图形；2.避免离子沾污，阻止化学避免离子沾污，阻止化学刻蚀；刻蚀；3.安全性高安全性高不可能发生化不可能发生化学溶液溢出，且能更好地控学溶液溢出，且能更好地控制毒性材料。制毒性材料。 3.5 薄膜微桥跨接电路薄膜微桥跨接电路 如何实现多层薄膜基片的互联？如何实现多层薄膜基片的互联？ 1968年年Bell实验室的实验室的Lepselter介绍了一种独特工艺介绍了一种独特工艺-气隙微桥工艺（如下图所示）。气隙微桥工艺（如下图所示）。
