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1、第一节第一节 电阻应变片电阻应变片电阻应变传感器由弹性元件电阻应变传感器由弹性元件(Elastomer)、电阻应变片和相、电阻应变片和相应的测量电路组成。弹性元件用于感受被测量的变化，并将应的测量电路组成。弹性元件用于感受被测量的变化，并将被测量的变化转换为弹性元件表面应变被测量的变化转换为弹性元件表面应变;电阻应变片粘贴在弹电阻应变片粘贴在弹性元件上，将弹性元件的表面应变转换为应变片电阻值的变性元件上，将弹性元件的表面应变转换为应变片电阻值的变化化;测量电路将应变片电阻值的变化转换为便于输出测量的电测量电路将应变片电阻值的变化转换为便于输出测量的电量，从而实现非电量的测量。电阻应变片是应变测
2、量的关键量，从而实现非电量的测量。电阻应变片是应变测量的关键元件，为适应各种领域测量的需要，可供选择的电阻应变片元件，为适应各种领域测量的需要，可供选择的电阻应变片的种类很多，但按其敏感栅材料及制作方法可分类如的种类很多，但按其敏感栅材料及制作方法可分类如表表2-1所示。所示。一、金属电阻应变片一、金属电阻应变片1.金属丝电阻应变效应金属导体在发生机械变形时，其阻值金属丝电阻应变效应金属导体在发生机械变形时，其阻值发生相应变化，即形成导体的电阻应变效应。由于发生相应变化，即形成导体的电阻应变效应。由于下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变
3、片式中式中称为导体的泊松比，它表示导体横向应变量与纵向应变称为导体的泊松比，它表示导体横向应变量与纵向应变量成比例，式中量成比例，式中“-”号表示两者变形方向相反。号表示两者变形方向相反。 将式将式(2-3)和式和式(2-4)代人式代人式(2-2)，则可得，则可得令金属丝应变灵敏系数为令金属丝应变灵敏系数为其物理含义是单位纵向应变引起电阻的相对变化量。由式其物理含义是单位纵向应变引起电阻的相对变化量。由式(2-5)得得式中式中(1 + 2)决定于导体几何尺寸发生的变化决定于导体几何尺寸发生的变化; 上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电
4、阻应变片2.金属丝电阻应变片结构金属丝电阻应变片结构金属丝电阻应变片的基本结构如金属丝电阻应变片的基本结构如图图2-1所示图所示图2-1中，敏感中，敏感栅是电阻应变片的敏感元件，用于感受被测量的应变。敏感栅是电阻应变片的敏感元件，用于感受被测量的应变。敏感栅是由直径约为栅是由直径约为0. 025 mm、高电阻率的合金、高电阻率的合金(铜镍合金、铜镍合金、镍铬合金、铂铬合金、铂钨合金等镍铬合金、铂铬合金、铂钨合金等)电阻丝绕制而成的，栅长电阻丝绕制而成的，栅长为为L，栅宽为，栅宽为b,敏感栅静态电阻值有敏感栅静态电阻值有60 , 120 , 200 等多种规格。对敏感栅的大致要求如下。等多种规格
5、。对敏感栅的大致要求如下。 (1)较大的应变灵敏系数，并在测量范围内保持为稳定。较大的应变灵敏系数，并在测量范围内保持为稳定。 (2)具有高而稳定的电阻率具有高而稳定的电阻率 (3)抗氧化，耐腐蚀，且有足够的抗拉强度抗氧化，耐腐蚀，且有足够的抗拉强度 (4)加工性能好加工性能好 上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片图图2-1中基片和覆盖层用于固定敏感栅、引线的几何形状和中基片和覆盖层用于固定敏感栅、引线的几何形状和相对位置。基片多采用砧结剂和有机树脂薄膜制成，厚度为相对位置。基片多采用砧结剂和有机树脂薄膜制成，厚度为0.02-0.04 mm，它也是敏感栅与弹性元件间的绝缘层。，
6、它也是敏感栅与弹性元件间的绝缘层。覆盖层起保护敏感栅作用，也是由砧结剂和树脂薄膜制成的。覆盖层起保护敏感栅作用，也是由砧结剂和树脂薄膜制成的。覆盖层、敏感栅和基片由砧结剂砧结在一起，并用砧结剂牢覆盖层、敏感栅和基片由砧结剂砧结在一起，并用砧结剂牢牢地砧结在弹性元件上。牢地砧结在弹性元件上。 应变片的引线常用直径为应变片的引线常用直径为0. 1 - 0. 15 mm的镀锡铜线，或的镀锡铜线，或用偏带形金属导线，引线与敏感栅焊接可靠，电阻率低，电用偏带形金属导线，引线与敏感栅焊接可靠，电阻率低，电阻温度系数小，抗氧化，耐腐蚀，且对外连接方便阻温度系数小，抗氧化，耐腐蚀，且对外连接方便3.金属丝电阻
7、应变片基本特性金属丝电阻应变片基本特性 1)横向效应横向效应 上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片直线金属丝受纵向拉伸力时，丝上各段所感受的纵向应力直线金属丝受纵向拉伸力时，丝上各段所感受的纵向应力(Stress)应变是相同的，因而每段的伸长也是相同的，金属应变是相同的，因而每段的伸长也是相同的，金属丝总电阻的增加等于各段电阻增加的总和。将金属丝绕制成丝总电阻的增加等于各段电阻增加的总和。将金属丝绕制成敏感栅后，在同样的拉伸力作用下，沿拉伸力方向的直线段敏感栅后，在同样的拉伸力作用下，沿拉伸力方向的直线段仍感受纵向拉应变而伸长仍感受纵向拉应变而伸长;但弯曲的圆弧段在感受纵向拉应
8、变但弯曲的圆弧段在感受纵向拉应变的同时，也感受与纵向拉应变相反的横向压应变，称之为横的同时，也感受与纵向拉应变相反的横向压应变，称之为横向效应，且弯曲半径越大，横向效应越严重，致使电阻的增向效应，且弯曲半径越大，横向效应越严重，致使电阻的增加值减小，应变片灵敏系数降低。加值减小，应变片灵敏系数降低。2)机械滞后机械滞后 在恒温下，应变片受力后，其内部会产生不可逆的残余变形，在恒温下，应变片受力后，其内部会产生不可逆的残余变形，致使应变电阻在加载和卸载时，出现一定的差值，致使应变电阻在加载和卸载时，出现一定的差值，上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片此差值称为机械滞后此差值称为机
9、械滞后(Hysteresis),也将引起应变片灵敏系也将引起应变片灵敏系数下降数下降 3)蠕变蠕变 应变片受恒定力作用时，应变电阻值随时间而变化，这是因应变片受恒定力作用时，应变电阻值随时间而变化，这是因为应力在粘胶层中传递时出现滑动现象，胶层越厚、滑动越为应力在粘胶层中传递时出现滑动现象，胶层越厚、滑动越严重，这种现象称为蠕变，蠕变结果也将引起灵敏系数下降。严重，这种现象称为蠕变，蠕变结果也将引起灵敏系数下降。因而在应变片制作及往弹性元件上粘贴时，不但要选用同型因而在应变片制作及往弹性元件上粘贴时，不但要选用同型号优质砧结剂，而且砧结层要薄而均匀。号优质砧结剂，而且砧结层要薄而均匀。 4)温
10、漂温漂 应变片材料的电阻一般都受温度影响，温度变化引起应变片应变片材料的电阻一般都受温度影响，温度变化引起应变片电阻值变化的现象称为温漂，电阻值变化的现象称为温漂，上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片这种由于物质内部热激发所引起的热输出，通常是导致灵敏这种由于物质内部热激发所引起的热输出，通常是导致灵敏度下降的主要因素，因而在应变测量中都要采取相应的温度度下降的主要因素，因而在应变测量中都要采取相应的温度补偿措施。补偿措施。4.金属箔应变片金属箔应变片这类应变片的敏感栅是用这类应变片的敏感栅是用0. 001 0. 01 mm厚的金属箔厚的金属箔通过光刻技术制作成的，可以很方便地
11、制作成各种形状的应通过光刻技术制作成的，可以很方便地制作成各种形状的应变片，常称其为应变花，如变片，常称其为应变花，如图图2-2所示箔式应变片横栅较宽，所示箔式应变片横栅较宽，因而横向效应较丝式应变片小。由于箔栅的厚度远比丝栅小，因而横向效应较丝式应变片小。由于箔栅的厚度远比丝栅小，因而有较好的散热性能，允许通过较大的工作电流因而有较好的散热性能，允许通过较大的工作电流(100一一300 mA )，耐压高，输出功率大，耐压高，输出功率大;同时因栅薄，柔性好，便同时因栅薄，柔性好，便于粘贴到弯曲的弹性元件表面上于粘贴到弯曲的弹性元件表面上;且粘贴面积大，且粘贴面积大，上一页 下一页返回第一节第一
12、节 电阻应变片电阻应变片能很好地跟随弹性元件的表面形变，因而应力传递性能好，能很好地跟随弹性元件的表面形变，因而应力传递性能好，蠕变和机械滞后较小。在应变测量中，箔式应变片已逐渐取蠕变和机械滞后较小。在应变测量中，箔式应变片已逐渐取代丝式应变片而占有主要位置。代丝式应变片而占有主要位置。 5.金属薄膜应变片金属薄膜应变片 这类应变片的敏感栅是用真空蒸镀或溅射的方法将金属材料这类应变片的敏感栅是用真空蒸镀或溅射的方法将金属材料淀积在绝缘基片上，然后用刻蚀技术制成各种形状的栅，其淀积在绝缘基片上，然后用刻蚀技术制成各种形状的栅，其厚度比箔栅还要薄，一般在厚度比箔栅还要薄，一般在0. 1m以下，其灵
13、敏系数比箔以下，其灵敏系数比箔式应变片还要高，且传递性能好，是一种很有前途的新型金式应变片还要高，且传递性能好，是一种很有前途的新型金属应变片。属应变片。 二、半导体电阻应变片二、半导体电阻应变片 金属电阻应变片工作性能稳定、精度高、应用广泛，金属电阻应变片工作性能稳定、精度高、应用广泛，上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片至今还在不断改进和开发新型应变片，以适应工程应用的需至今还在不断改进和开发新型应变片，以适应工程应用的需要，但其主要缺点是灵敏系数小，一般为要，但其主要缺点是灵敏系数小，一般为2-4。为了改善这。为了改善这一不足，一不足，20世纪世纪60年代后期，相继开发出
14、多种类型的半导年代后期，相继开发出多种类型的半导体电阻应变片，其灵敏度可达金属应变片的体电阻应变片，其灵敏度可达金属应变片的5080倍倍,且尺且尺寸小、横向效应小、蠕动及机械滞后小寸小、横向效应小、蠕动及机械滞后小,更适用于动态测量更适用于动态测量1.半导体应变片的压阻效应半导体应变片的压阻效应 沿着半导体某晶向施加一定的压力而使其产生应变时，其电沿着半导体某晶向施加一定的压力而使其产生应变时，其电阻率将随应力改变而变化，这种现象称为半导体的压阻效应。阻率将随应力改变而变化，这种现象称为半导体的压阻效应。不同类型的半导体，其压阻效应不同不同类型的半导体，其压阻效应不同;同一类型的半导体，受同一
15、类型的半导体，受力方向不同，压阻效应也不同力方向不同，压阻效应也不同 半导体应变片的纵向压阻效应可由式半导体应变片的纵向压阻效应可由式(2-5)改写为改写为上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片式中式中半导体晶体纵向压阻系数半导体晶体纵向压阻系数; E半导体晶体弹性模量。半导体晶体弹性模量。 式中式中1 + 2是由纵向应力而引起应变片几何形状的变化，金是由纵向应力而引起应变片几何形状的变化，金属电阻应变灵敏系数主要由此项决定；属电阻应变灵敏系数主要由此项决定；E是因纵向应力所引是因纵向应力所引起的压阻效应，半导体电阻应变灵敏系数主要由起的压阻效应，半导体电阻应变灵敏系数主要由E决
16、定，其决定，其大小一般可达大小一般可达100以上，故以上，故1 + 2可以忽略不计，此时可以忽略不计，此时其应变灵敏系数为其应变灵敏系数为上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片由式由式(2-9)可知，半导体应变片的应变灵敏系数正比于半导可知，半导体应变片的应变灵敏系数正比于半导体纵向压阻系数和弹性模量。体纵向压阻系数和弹性模量。 用于制作半导体应变片的材用于制作半导体应变片的材料有硅、锗、锑化锢、磷化稼等，但目前一般用硅和锗的杂料有硅、锗、锑化锢、磷化稼等，但目前一般用硅和锗的杂质半导体。质半导体。 图图2 -3所示为半导体晶向示意图，硅和锗在不同晶向下具有所示为半导体晶向示意图
17、，硅和锗在不同晶向下具有不同的压阻效系数和弹性模量，如不同的压阻效系数和弹性模量，如表表2-2所示。由表所示。由表2 -2可可知，对于半导体硅，知，对于半导体硅，P型型111晶向和晶向和N型型100晶向，其晶向，其电阻应变灵敏系数最大电阻应变灵敏系数最大;对于半导体锗，无沦是对于半导体锗，无沦是P型还是型还是N型，型，在在111晶向可得到最大灵敏系数从表晶向可得到最大灵敏系数从表2 -2中还可看出，半中还可看出，半导体不同晶向灵敏系数的符号有正、有负，导体不同晶向灵敏系数的符号有正、有负，上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片一般由掺杂决定，一般由掺杂决定，P型半导体为正，型半导
18、体为正，N型半导体为负，而金型半导体为负，而金属应变灵敏系数均为正值属应变灵敏系数均为正值2.半导体应变片基本结构半导体应变片基本结构半导体应变片由基片、敏感栅和电极引线等部分组成，如半导体应变片由基片、敏感栅和电极引线等部分组成，如图图2 -4所示。敏感栅由硅或锗条构成，内引线是连接敏感栅和电所示。敏感栅由硅或锗条构成，内引线是连接敏感栅和电极的金线，基片是绝缘胶膜，带状电极引线一般由康铜箔制极的金线，基片是绝缘胶膜，带状电极引线一般由康铜箔制成成 半导体应变片根据其敏感栅形成的方法不同，可分为体型、半导体应变片根据其敏感栅形成的方法不同，可分为体型、扩散型和薄膜型扩散型和薄膜型3种。体型半
19、导体应变片的敏感栅是根据晶体种。体型半导体应变片的敏感栅是根据晶体切片制成的切片制成的;扩散型和薄膜型的敏感栅分别是利用扩散技术扩散型和薄膜型的敏感栅分别是利用扩散技术上一页 下一页返回第一节第一节 电阻应变片电阻应变片真空蒸渡或溅射技术制成的极薄的导电膜片。真空蒸渡或溅射技术制成的极薄的导电膜片。 半导体电阻应变片的主要缺点是温度稳定性差，测量较大应半导体电阻应变片的主要缺点是温度稳定性差，测量较大应变时非线性严重，在应用时要采取相应的温度补偿和非线性变时非线性严重，在应用时要采取相应的温度补偿和非线性校正措施。校正措施。上一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路在
20、非电量检测中，由机械应变所引起的电阻值变化量很小，在非电量检测中，由机械应变所引起的电阻值变化量很小，难以直接用测阻表作精确测量，故通常采用电桥将电阻变化难以直接用测阻表作精确测量，故通常采用电桥将电阻变化转换成电压或电流后放大测量。转换成电压或电流后放大测量。 测量电桥根据供桥电源不同可分为直流电桥和交流电桥，应测量电桥根据供桥电源不同可分为直流电桥和交流电桥，应变电桥各桥臂是电阻，故采用直流电桥，如变电桥各桥臂是电阻，故采用直流电桥，如图图2-5所示所示 在实际应变测量时，测量电桥输出都应接高输人电阻放大器，在实际应变测量时，测量电桥输出都应接高输人电阻放大器，故可把电桥看成开路工作状态，
21、此时按电路理沦分析，可得故可把电桥看成开路工作状态，此时按电路理沦分析，可得到图到图2-5所示电桥的输出表达式为所示电桥的输出表达式为电桥投人测量之前，应将电桥调平衡，以消除电桥因不平衡电桥投人测量之前，应将电桥调平衡，以消除电桥因不平衡而产生的零漂。而产生的零漂。下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路调零方法是在电桥输出端调零方法是在电桥输出端A和和C之间接一检流计，调桥臂电阻之间接一检流计，调桥臂电阻使检流计指示为使检流计指示为0，即电桥输出电流，即电桥输出电流I。=0,输出电压输出电压U。=0，电桥达到平衡状态。由式，电桥达到平衡状态。由式(2-10)可知，
22、电桥的平衡条可知，电桥的平衡条件为件为R1 R3=R2R4。 应变测量电桥有应变测量电桥有3种接法，即单臂桥、半桥和全桥，下面分别种接法，即单臂桥、半桥和全桥，下面分别叙述叙述3种测量电桥的工作特性种测量电桥的工作特性一、单臂桥一、单臂桥应变片单臂测量电桥如应变片单臂测量电桥如图图2-6所示，桥臂所示，桥臂AD为工作臂，接应为工作臂，接应变片变片;R1为应变片静态电阻，为应变片静态电阻，R为工作时应变片电阻的变化为工作时应变片电阻的变化量。量。R可以是正值，称之为正应变，此时应变片承受拉应变，可以是正值，称之为正应变，此时应变片承受拉应变，图中符号箭头向上标示为正应变图中符号箭头向上标示为正应
23、变;当当R为负值时，为负值时，上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路由以上分析可知，单臂桥不但输出电压小，灵敏度低，且具由以上分析可知，单臂桥不但输出电压小，灵敏度低，且具有一定的非线性有一定的非线性二、半桥二、半桥应变片半桥即为双臂桥，如应变片半桥即为双臂桥，如图图2-7所示，此时有两个相邻桥所示，此时有两个相邻桥臂接应变片，且一个正应臂接应变片，且一个正应 一个负应变，此时一个负应变，此时R1= R, R2=-R,即接即接R1的桥臂为拉应变的桥臂为拉应变,接接R2的桥臂为压应变
24、的桥臂为压应变在等臂桥下，在等臂桥下，R1=R2=R3=R4=R，由式，由式(2-10)可得半可得半桥输出表达式为桥输出表达式为上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路半桥的灵敏度为半桥的灵敏度为可见半桥的输出电压和灵敏度都比单臂桥大一倍，且非线性可见半桥的输出电压和灵敏度都比单臂桥大一倍，且非线性得到改善。得到改善。三、全桥三、全桥 应变片全桥应变片全桥(Entire Bridge)是指是指4个桥臂都接有应变片，个桥臂都接有应变片，如如图图2-8所示，此时相邻桥臂所接的应变片承受相反应变，所示，此时相邻桥臂所接的应变片承受相反应变，相对桥臂所接的应变片承受
25、相同应变，即相对桥臂所接的应变片承受相同应变，即R1=R2=R3=R4=R、R1=R3=R2=R4=-R由式由式(2-11)可得全桥输出表达式为可得全桥输出表达式为上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路全桥的灵敏度为全桥的灵敏度为 可见全桥不但有很好的线性输出，而且全桥的输出电压和灵可见全桥不但有很好的线性输出，而且全桥的输出电压和灵敏度比半桥还要大一倍，显然应尽量采用全桥。敏度比半桥还要大一倍，显然应尽量采用全桥。四、应变测量电桥性能的提高四、应变测量电桥性能的提高测量电桥工作性能对应变测量的精度影响很大，为了实现高测量电桥工作性能对应变测量的精度影响很
26、大，为了实现高精度测量，必须改善测量电桥的工作性能，如提高灵敏度、精度测量，必须改善测量电桥的工作性能，如提高灵敏度、改善非线性及进行温度补偿等改善非线性及进行温度补偿等1.灵敏度的提高灵敏度的提高 各种测量电桥的灵敏度都与电桥供电电压有关，供桥电压越各种测量电桥的灵敏度都与电桥供电电压有关，供桥电压越高，电桥灵敏度越高。高，电桥灵敏度越高。上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路式式(2-17)表示出差动桥输出电压的加减特性，即当相邻桥臂表示出差动桥输出电压的加减特性，即当相邻桥臂
27、电阻的变化量极性相反时，其变化量相减等于相加，使输出电阻的变化量极性相反时，其变化量相减等于相加，使输出电压增加电压增加;而当相邻桥臂电阻的变化量极性相同时，其变化量而当相邻桥臂电阻的变化量极性相同时，其变化量相减而相互抵消，使输出电压减小。相减而相互抵消，使输出电压减小。2.非线性误差及其补偿非线性误差及其补偿 由式由式(2-17)可知，差动桥输出表达式中不含非线性项，因而可知，差动桥输出表达式中不含非线性项，因而采用差动桥是改善非线性的有效方法当采用单臂桥时，由式采用差动桥是改善非线性的有效方法当采用单臂桥时，由式(2-11)得单臂桥电压非线性输出为得单臂桥电压非线性输出为上一页 下一页返
28、回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路按二项式定理展开为级数得按二项式定理展开为级数得由此式得单臂桥非线性误差为由此式得单臂桥非线性误差为可见可见K越大，越大，越大越大;但由于但由于1，即，即K 1，故可认为单，故可认为单臂桥非线性误差约为臂桥非线性误差约为显然，当采用单臂桥时，为了改善测量桥的非线性，以减小显然，当采用单臂桥时，为了改善测量桥的非线性，以减小非线性误差，必须采取相应的措施。下面推荐两种方法非线性误差，必须采取相应的措施。下面推荐两种方法 1)采用恒流源电桥采用恒流源电桥 上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路产生非线
29、性误差原因之一是在测量时通过桥臂的电流不恒定，产生非线性误差原因之一是在测量时通过桥臂的电流不恒定，当采用恒流源供电时，单臂测量桥电路如当采用恒流源供电时，单臂测量桥电路如图图2-9所示，此时所示，此时按分流定律可得各桥臂电流为按分流定律可得各桥臂电流为若若R1= R2 = R3 = R4 = R时，电桥输出电压表达式为时，电桥输出电压表达式为上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路此时单臂桥非线性误差约为此时单臂桥非线性误差约为比较式比较式(2-20)和式和式(222)可得可得:恒流源单臂桥非线性误差恒流源单臂桥非线性误差比恒压源单臂桥减少了比恒压源单臂桥
30、减少了1/2。半导体电阻应变测量电桥都采。半导体电阻应变测量电桥都采用恒流源供电。用恒流源供电。 2)有源单臂测量电桥有源单臂测量电桥 某些有源单臂桥也可以改善测量电桥的非线性，如某些有源单臂桥也可以改善测量电桥的非线性，如图图2-10所所示。示。 根据运放的零输人特性可得该电桥输出电压表达式为根据运放的零输人特性可得该电桥输出电压表达式为上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路显然式显然式(2-23)是一个线性表达式，且输出电压比一般单臂桥是一个线性表达式，且输出电压比一般单臂桥增加一倍，即灵敏度提高一倍。同时由运放输出，使得测量增加一倍，即灵敏度提高一倍
31、。同时由运放输出，使得测量桥输出电阻减小，带负载能力增强。桥输出电阻减小，带负载能力增强。3.电桥的温度补偿金属电阻应变片和半导体电阻应变片，都电桥的温度补偿金属电阻应变片和半导体电阻应变片，都对温度变化十分敏感，因而温度变化将引起电桥测量误差，对温度变化十分敏感，因而温度变化将引起电桥测量误差，通常采取温度补偿通常采取温度补偿(Temperature Compensation的方的方法有下述法有下述3种。种。 1)桥路补偿桥路补偿利用差动电桥输出电压的加减特性，可实现温度自补偿。当利用差动电桥输出电压的加减特性，可实现温度自补偿。当采用差动桥时，由式采用差动桥时，由式(2-18)可知可知:由
32、于差动桥各桥臂应变片由于差动桥各桥臂应变片处于同一温度场下，处于同一温度场下，上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路即温度变化引起各桥臂电阻的变化量大小相等、极性相同，即温度变化引起各桥臂电阻的变化量大小相等、极性相同，使相邻桥臂电阻变化量相减为使相邻桥臂电阻变化量相减为0，因而差动桥具有温度自补，因而差动桥具有温度自补偿功能。因而，首先应考虑选用差动半桥或全桥偿功能。因而，首先应考虑选用差动半桥或全桥 当采用单臂桥时，应使单臂桥对温度场呈现差动输出状态。当采用单臂桥时，应使单臂桥对温度场呈现差动输出状态。即在单臂桥工作臂的相邻臂接人相同型号的应变片，此应
33、变即在单臂桥工作臂的相邻臂接人相同型号的应变片，此应变片不受应力的影响，但与工作臂上的应变片处于同一温度场片不受应力的影响，但与工作臂上的应变片处于同一温度场中，称其为补偿片，如中，称其为补偿片，如图图2-11所示。图中所示。图中R1为工作臂应变为工作臂应变片，片，R2为温度补偿片，当温度变化时其电阻变化量为温度补偿片，当温度变化时其电阻变化量R1和和R2大小相等、极性相同，在等臂桥状态下，此时单臂桥因大小相等、极性相同，在等臂桥状态下，此时单臂桥因温度变化引起的输出电压由式温度变化引起的输出电压由式(2-17)得得上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路可
34、见，两桥臂因温度变化引起的电阻变化量在输出电压表达可见，两桥臂因温度变化引起的电阻变化量在输出电压表达式中相减为零，因而亦具有温度自补偿功能。式中相减为零，因而亦具有温度自补偿功能。 2)应变片自补偿应变片自补偿 采用具有温度自补偿采用具有温度自补偿(Self-compensated )的应变片，可的应变片，可以使温度变化时应变片电阻基本不变。如选用温度系数小的以使温度变化时应变片电阻基本不变。如选用温度系数小的材料作应变片，或选择温度系数一正一负的两种材料制成互材料作应变片，或选择温度系数一正一负的两种材料制成互补型组合应变片，如双金属互补型金属电阻应变片、补型组合应变片，如双金属互补型金属
35、电阻应变片、P一一N互互补型半导体电阻应变片。补型半导体电阻应变片。 3)外补偿外补偿 如在电路输出端接人热敏电阻如在电路输出端接人热敏电阻RT，如，如图图2-12所示。图中热所示。图中热敏电阻敏电阻R1与测量桥应变片处于同一个温度场中，与测量桥应变片处于同一个温度场中，上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路当温度上升使测量桥输出电压下降时，热敏电阻当温度上升使测量桥输出电压下降时，热敏电阻RT的阻值也的阻值也相应减小，以保证输出电压相应减小，以保证输出电压U。不受温度变化的影响。不受温度变化的影响。 图中图中R5为分流电阻，为分流电阻，R5的选择应使得的
36、选择应使得:当温度上升时，当温度上升时，RT使输出电压上升的速率等于应变片使电桥输出电压下降的速使输出电压上升的速率等于应变片使电桥输出电压下降的速率，从而获得最佳的温度补偿率，从而获得最佳的温度补偿4.电桥的零位调整电桥的零位调整 电桥投人测量之前要进行零位调整，以消除因各桥臂电阻不电桥投人测量之前要进行零位调整，以消除因各桥臂电阻不匹配引起的零位输出。直流电桥的零位调整两种基本方法简匹配引起的零位输出。直流电桥的零位调整两种基本方法简介如下。介如下。1)电阻串联法电阻串联法 上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路串联法是指在桥臂电阻之间串人调零电阻以实
37、现零位调整的串联法是指在桥臂电阻之间串人调零电阻以实现零位调整的方法，如方法，如图图2-13所示。在两桥臂之间串人调整电阻所示。在两桥臂之间串人调整电阻Rw，实，实际调零时，先以电位器代替际调零时，先以电位器代替Rw，调零后再以固定电阻，调零后再以固定电阻Rw代代替电位器。替电位器。 2)电阻并联法电阻并联法 在桥路中并人适当的电阻，也可以实现零位调整，如在桥路中并人适当的电阻，也可以实现零位调整，如图图2-14所示。此时调零能力主要由电阻所示。此时调零能力主要由电阻R5决定，决定，R5越小调零能力越小调零能力越强，但引人的测量误差也越大，因而只能在测量精度允许越强，但引人的测量误差也越大，因
38、而只能在测量精度允许的情况下，选得小一些，且的情况下，选得小一些，且Rw通常可取与通常可取与R5相同的数值，相同的数值，调零电阻值的最终确定要通过实际调零操作后作出。应变电调零电阻值的最终确定要通过实际调零操作后作出。应变电桥输出电压很小，一般应接放大器，桥输出电压很小，一般应接放大器，上一页 下一页返回第二章第二章 电阻应变传感器测量电路电阻应变传感器测量电路为避免直流放大器引人零漂，常采用交流放大器，此时应变为避免直流放大器引人零漂，常采用交流放大器，此时应变电桥需采用交流供电电源，考虑交流激励引起电桥引线分布电桥需采用交流供电电源，考虑交流激励引起电桥引线分布电容的影响，相当于各桥臂电阻
39、上并了一个电容，此时应按电容的影响，相当于各桥臂电阻上并了一个电容，此时应按交流正弦交流正弦(电源为正弦电源为正弦)阻抗电桥分析和调零。阻抗电桥分析和调零。上一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用电阻应变片除了可直接粘贴到被测的机械构件上进行应力应电阻应变片除了可直接粘贴到被测的机械构件上进行应力应变测量外，还可以和弹性元件一起构成各种应变式传感器，变测量外，还可以和弹性元件一起构成各种应变式传感器，用来测量力、扭矩、加速度及压力等非电量。用来测量力、扭矩、加速度及压力等非电量。 一、应变式力传感器一、应变式力传感器 电阻应变传感器主要用于载荷力的测量，称之为应变式力传
40、电阻应变传感器主要用于载荷力的测量，称之为应变式力传感器感器( Weighing Sensor ) ,其测力范围可以是几克到几其测力范围可以是几克到几百吨，精度可高达百吨，精度可高达0.05%FS。应变式力传感器根据所用的。应变式力传感器根据所用的弹性元件不同，主要有柱式力传感器、环式力传感器和悬臂弹性元件不同，主要有柱式力传感器、环式力传感器和悬臂梁式传感器。梁式传感器。1.柱式力传感器柱式力传感器 柱式力传感器是指用来感受力的弹性元件是实心或空心圆柱柱式力传感器是指用来感受力的弹性元件是实心或空心圆柱下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用如如图图2-15所示，应变
41、片粘贴在圆柱的表面上，轴向粘贴的所示，应变片粘贴在圆柱的表面上，轴向粘贴的应变片与切向粘贴的个数相等，以便接成差动测量电桥。应变片与切向粘贴的个数相等，以便接成差动测量电桥。 当柱体受拉当柱体受拉(如图如图2-15(a)所示所示)或压或压(如图如图2-15(b)所示所示)力时，由于作用力不可能正好通过柱体的中心轴线，因而柱力时，由于作用力不可能正好通过柱体的中心轴线，因而柱体除受拉或压力外，还受横向力和弯曲力，要恰当地布置应体除受拉或压力外，还受横向力和弯曲力，要恰当地布置应变片，以尽量减少横向及弯曲的影响。应变片受拉压力所产变片，以尽量减少横向及弯曲的影响。应变片受拉压力所产生的应变分析如下
42、。生的应变分析如下。 (1)与轴向任意角与轴向任意角a方向的应变为方向的应变为式中式中沿轴向的应变沿轴向的应变; 弹性元件的泊松比。弹性元件的泊松比。(2)轴向应变轴向应变(a = 0)为为上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用式中式中F载荷力载荷力(N); S弹性元件的横截面积弹性元件的横截面积(m2 ); E弹性元件的弹性模量弹性元件的弹性模量( N/m2 ) (3)切向应变切向应变(a = 90)为为2.环式力传感器环式力传感器 为了适应工程测量的需要，有时采用为了适应工程测量的需要，有时采用图图2-16所示的环式力传所示的环式力传感器，其弹性元件是圆形
43、或扁形吊环，环上粘贴的应变片应感器，其弹性元件是圆形或扁形吊环，环上粘贴的应变片应便于接成差动测量电桥，即承受拉应变的应变片数等于承受便于接成差动测量电桥，即承受拉应变的应变片数等于承受压应变的应变片数。压应变的应变片数。 上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用在相同的情况下，环式弹性元件比柱式弹性元件抗载偏心能在相同的情况下，环式弹性元件比柱式弹性元件抗载偏心能力强，且测力范围大，但制作较复杂，常用于检测力强，且测力范围大，但制作较复杂，常用于检测500 N以以上的载荷。上的载荷。 3.
44、悬臂梁式力传感器悬臂梁式力传感器 悬臂梁式力传感器的弹性元件是一个悬臂梁，载荷加在梁的悬臂梁式力传感器的弹性元件是一个悬臂梁，载荷加在梁的自由端，应变片沿梁的长度方向上下粘贴，悬臂梁分等强度自由端，应变片沿梁的长度方向上下粘贴，悬臂梁分等强度梁和等截面梁，其应变特性是不相同的。梁和等截面梁，其应变特性是不相同的。 1)等强度梁等强度梁 等强度梁等强度梁(Equal-strength Beam)应变传感器如应变传感器如图图2-17所示。所示。 上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用即式即式(
45、2-26)中中1x恒等于恒等于h，因而此时沿长度方向各点，因而此时沿长度方向各点X的的应变值为应变值为显然各点上的应力与显然各点上的应力与X有关，有关，X越大，应力应变就越大，即沿越大，应力应变就越大，即沿L方向的粘贴位置误差直接影响测量结果。方向的粘贴位置误差直接影响测量结果。 三种应变式力传感器相比，悬臂梁式力传感器具有最高的灵三种应变式力传感器相比，悬臂梁式力传感器具有最高的灵敏度，适用于小载荷力的精确测量，最小可测几十克重的载敏度，适用于小载荷力的精确测量，最小可测几十克重的载荷。荷。 从工程应用的角度考虑，在分析应变式力传感器时，至少应从工程应用的角度考虑，在分析应变式力传感器时，至
46、少应明白下面明白下面3个问题。个问题。 (1)根据测力现场需要，选择合适的弹性元件。根据测力现场需要，选择合适的弹性元件。 (2)根据所选的弹性元件正确地布片，根据所选的弹性元件正确地布片，上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用尽量使应变片保持与拉压力平行或垂直，使应变片承受最大尽量使应变片保持与拉压力平行或垂直，使应变片承受最大拉应变或压应变。拉应变或压应变。 (3)根据应变片的布片正确地连接测量电桥，尽量选择差动根据应变片的布片正确地连接测量电桥，尽量选择差动测量电桥。当接差动测量电桥时，应变片应遵循接桥原则，测量电桥。当接差动测量电桥时，应变片应遵循接桥
47、原则，即相邻桥臂所接的应变片承受相反应变，相对桥臂所接的应即相邻桥臂所接的应变片承受相反应变，相对桥臂所接的应变片承受相同应变，以使差动测量电桥输出电压具有变片承受相同应变，以使差动测量电桥输出电压具有“加减特加减特性性”。二、应变式压力传感器二、应变式压力传感器电阻应变传感器也适用于对压力的测量，配以合适的弹性元电阻应变传感器也适用于对压力的测量，配以合适的弹性元件，可实现几十件，可实现几十Pa(帕斯卡帕斯卡)至至1011 Pa大范围测量，测量大范围测量，测量精度可达精度可达0.1%F S。上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用应变式压力传感器应变式压力传感
48、器( Strain TypePressure Sensor)有有多种弹性元件，但主要用于气体和液体压力的测量，下面仅多种弹性元件，但主要用于气体和液体压力的测量，下面仅举两例。举两例。1.圆筒式压力传感器圆筒式压力传感器 圆简式压力传感器的弹性元件是一个薄壁圆简，如圆简式压力传感器的弹性元件是一个薄壁圆简，如图图2-18所所示。示。 当气体或液体进人圆简内对薄壁产生压力当气体或液体进人圆简内对薄壁产生压力P时，薄壁产生变形，时，薄壁产生变形，粘贴在薄壁上的应变片产生相应的应变，应变片粘贴在薄壁上的应变片产生相应的应变，应变片R1所承受的所承受的沿圆周线方向的切向应变值为沿圆周线方向的切向应变值
49、为式中式中d圆简的壁厚，圆简的壁厚，d=D0-D 上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用显然应变值与壁厚成反比。圆简上端实心部位处贴的应变片显然应变值与壁厚成反比。圆简上端实心部位处贴的应变片R2是温度补偿片，温度补偿片是温度补偿片，温度补偿片R2与应变片与应变片R1处于同一温度处于同一温度场中，但不受流体压力场中，但不受流体压力P的影响。这种传感器可用于较大压力的影响。这种传感器可用于较大压力的测量，测量范围为的测量，测量范围为106一一108 Pa2.膜片式压力传感器膜片式压力传感器 膜片式压力传感器如膜片式压力传感器如图图2-19所示，当流体进人膜盒后，
50、对膜所示，当流体进人膜盒后，对膜片产生一定的压力，此压力使膜片上的应变片承受相应的应片产生一定的压力，此压力使膜片上的应变片承受相应的应变图中变图中R1和和R3承受拉应变，即径向应变承受拉应变，即径向应变r，R2和和R4承受承受压应变，即切向应变压应变，即切向应变t，4个应变片可接成差动全桥测量电个应变片可接成差动全桥测量电路，从而获得较高的灵敏度。当压力路，从而获得较高的灵敏度。当压力P均匀地作用于膜片上时均匀地作用于膜片上时，膜片上各点的径向应变和切向应变可由下式确定。，膜片上各点的径向应变和切向应变可由下式确定。上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用式中
51、式中P流体压力流体压力(N/mL) ; 泊松比泊松比; E弹性模量弹性模量( N/m2 ); h膜片膜片(薄板薄板)厚度厚度(m); r膜片膜片(薄板薄板)有效圆半径有效圆半径(m); X应变片离圆心的径向距离应变片离圆心的径向距离(m) 显然径向应变显然径向应变r膜片圆边缘最大，即当膜片圆边缘最大，即当X =r时，有时，有切向应变切向应变t膜片圆中心处最大，即当膜片圆中心处最大，即当X=0时，有时，有当当 有有上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用因而一般在膜片圆片中心处沿切向贴两片因而一般在膜片圆片中心处沿切向贴两片R2和和R4，在膜片，在膜片圆边缘处沿径
52、向贴两片圆边缘处沿径向贴两片R1和和R3，以获得最大的切向应变和，以获得最大的切向应变和径向应变径向应变 三、应变式加速度传感器三、应变式加速度传感器 应变式加速度传感器应变式加速度传感器(Acceleration Transducer)是通过是通过悬臂梁和质量块构成的惯性系统，将振动加速度转换为力后悬臂梁和质量块构成的惯性系统，将振动加速度转换为力后作用于应变片上，其基本结构如作用于应变片上，其基本结构如图图2 -20所示。所示。 当测量振动体加速度时，根据被测加速度当测量振动体加速度时，根据被测加速度a的方向，把传感器的方向，把传感器固定在被测部位。当被测部位加速度固定在被测部位。当被测部
53、位加速度a沿图示方向变化时，悬沿图示方向变化时，悬臂梁随质量块上下振动而产生弯曲变形，致使梁上的应变片臂梁随质量块上下振动而产生弯曲变形，致使梁上的应变片R1和和R2产生大小相等极性相反的应变。产生大小相等极性相反的应变。上一页 下一页返回第三节第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用若悬臂梁为等截面梁，梁宽为若悬臂梁为等截面梁，梁宽为h，梁厚为，梁厚为h，应变片离自由端，应变片离自由端的距离为的距离为X，则振动使应变片上产生的应变如式，则振动使应变片上产生的应变如式(2-27 )所所示。此时示。此时F=ma，且测量加速度时，为了获得较高的灵敏度，且测量加速度时，为了获得较高的灵敏度，
54、应变片尽量靠近悬臂梁的固定端，则有应变片尽量靠近悬臂梁的固定端，则有式中式中m-质量块的质量质量块的质量;a-振动加速度，振动加速度，F=ma;L悬臂梁的悬臂梁的长度。长度。 显然当梁的结构确定之后，显然当梁的结构确定之后，6mL/Ebh2是一个常数，此时是一个常数，此时应变应变与加速度与加速度a成正比。微振动加速度传感器，多采用半导成正比。微振动加速度传感器，多采用半导体应变加速度传感器，此时的悬臂梁采用硅梁，即用硅单晶体应变加速度传感器，此时的悬臂梁采用硅梁，即用硅单晶作梁，在硅单晶薄片上形成扩散电阻，即作梁，在硅单晶薄片上形成扩散电阻，即N型硅应变片。型硅应变片。上一页 下一页返回第三节
55、第三节 电阻应变传感器的应用电阻应变传感器的应用这种加速度传感器不但体积小，而且灵敏度高，目前用于生这种加速度传感器不但体积小，而且灵敏度高，目前用于生物医学工程上的微型加速度传感器，其尺寸可以小到物医学工程上的微型加速度传感器，其尺寸可以小到2 mm x3 mm x 0. 6 mm，重量为，重量为0. 02g，量程范围为，量程范围为0.0150g 上一页返回图图2- 1 电阻应变片基本结构电阻应变片基本结构返回图图2- 2 箔式应变片箔式应变片返回图图2- 3 半导体晶向示意图半导体晶向示意图 返回图图2- 4 半导体应变片结构半导体应变片结构 返回图图2- 5 直流电桥直流电桥 返回图图2
56、- 6 单臂桥单臂桥 返回图图2- 7 半桥半桥 返回图图2- 8 全桥全桥 返回图图2- 9 恒流源电桥恒流源电桥返回图图2- 10 有源单臂桥有源单臂桥返回图图2- 11 单臂桥温度补偿法单臂桥温度补偿法 返回图图2-12 外补偿外补偿返回图图2-13 串联调零法串联调零法 返回图图2- 14 并联调零法并联调零法 返回图图2-15 柱式力传感器柱式力传感器 返回(a)实心柱;(b)空心柱;(c)柱面展开图图2-16 环式力传感器环式力传感器返回(a)圆形吊环；(b)扁环形吊环图图2-17 等强度梁等强度梁 返回图图2-18 圆筒式压力传感器圆筒式压力传感器 返回 图图2-19 膜片式压力传感器膜片式压力传感器返回图图2-20 应变式加速度传感器应变式加速度传感器返回表表2-1 电阻应变片分类电阻应变片分类 返回表表2-2 硅和锗半导体晶向参数硅和锗半导体晶向参数 返回
