CPU是怎样制造的？解析intel Core i7生产全过程

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1、CPUCPU是怎样制造的？是怎样制造的？解析解析intel Core i7intel Core i7生产全过程生产全过程根据玩家联盟资料制作沙子沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤尤其是石英其是石英)最多包含最多包含25的硅元素，以二氧化硅的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的的形式存在，这也是半导体制造产业的基础形式存在，这也是半导体制造产业的基础硅熔炼硅熔炼：1212英寸英寸/300/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EG

2、S)(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂 质原子。此图质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭的就是硅锭(Ingot)(Ingot)。单晶硅锭单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度千克，硅纯度 99.9999。制造第一阶段制造第一阶段_提炼硅锭提炼硅锭(小结）小结）硅锭切割硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆的晶圆 (Wafer) (Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆

3、都是圆形。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？的了吧？晶圆晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。事实上，甚至可以当镜子。事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成而是从第三方半导体企业那里直接购买成 品，然后利用品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在主流的自己的生产线进一步加工，比如现在主流的45nmHKMG(高高K金属栅极金属栅极)。值得一提的是，。值得一提的是，Intel公司创公司创立之初使用的晶圆尺寸只有立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸英寸/50毫米

4、毫米制造第二阶段制造第二阶段_切割晶圆切割晶圆( (小结）小结） 光刻胶光刻胶(PhotoResist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平光刻光刻：光刻胶层随：光刻胶层随后透过掩模后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线被曝光在紫外线(UV)之下，变得可之下，变得可溶，期间发生的化溶，期间发生的化学反应类似按下机学反应类似按下机械相机快门那一刻械相机快门那一刻胶片的变化。掩模胶片的变化。掩模上印着预上印

5、着预 先设计先设计好的电路图案，紫好的电路图案，紫外线透过它照在光外线透过它照在光刻胶层上，就会形刻胶层上，就会形成微处理器的每一成微处理器的每一层电路图案。一般层电路图案。一般来说，在晶圆上得来说，在晶圆上得到的电路图案是掩到的电路图案是掩模上图案的四分之模上图案的四分之一一光刻光刻：由此进入：由此进入50-200纳米尺寸纳米尺寸的晶体管级别。一的晶体管级别。一块晶圆上可以切割块晶圆上可以切割出数百个处理器，出数百个处理器，不过从这里开始把不过从这里开始把视野缩小到其中一视野缩小到其中一个上，展示如何制个上，展示如何制作晶体管等部作晶体管等部 件。件。晶体管相当于开关，晶体管相当于开关，控制

6、着电流的方向。控制着电流的方向。现在的晶体管已经现在的晶体管已经如此之小，一个针如此之小，一个针头上就能放下大约头上就能放下大约3000万个万个制造第三阶段_光刻过程(小结）小结）溶解光刻胶溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致掉，清除后留下的图案和掩模上的一致蚀刻蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。清除光刻胶清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣

7、告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。清除后就可以看到设计好的电路图案。制造第四阶段制造第四阶段_光刻胶的使命光刻胶的使命(小结）小结）光刻胶光刻胶：再次浇上光刻胶：再次浇上光刻胶(蓝色部分蓝色部分)，然后光刻，并洗掉，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。那部分材料。离子注入离子注入(IonImplantation)：在真空系统中，：在真空系统中，用经过加速的、用经过加速的、要掺杂的原子的要掺杂的原子的离子照射离子照射(注入注入)固体材料，从而固体材料，从而在被注入的区域在被注入的区域形成特殊的

8、注入形成特殊的注入层，并改变这些层，并改变这些区区 域的硅的导电域的硅的导电性。经过电场加性。经过电场加速后，注入的离速后，注入的离子流的速度可以子流的速度可以超过超过30万千米每万千米每小时。小时。清除光刻胶清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域区域(绿色部分绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。候的绿色和之前已经有所不同。制造第五阶段制造第五阶段_离子注入离子注入(小结）小结） 晶体管就绪晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材：至此，晶体管已经基本完成。在

9、绝缘材(品品红色红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。互连。电镀电镀：在晶：在晶圆上电镀一圆上电镀一层硫酸铜，层硫酸铜，将铜离子沉将铜离子沉淀到晶体管淀到晶体管上。铜离子上。铜离子会从正极会从正极(阳阳极极)走向负极走向负极(阴极阴极)。铜层铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。形成一个薄薄的铜层。制造第六阶段制造第六阶段_电镀晶圆电镀晶圆(小结）小结） 抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。金属层金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约：晶体管级别，六个晶体管的组合

10、，大约500纳纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看 起起来异常平滑，但事实上可能包含来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。层高速公路系统。 制造第七阶段制造第七阶段_抛光处理抛光处理(小结）小结） 晶圆测试晶圆测试：内核级别，大约：内核级别，大约10毫米毫米/0.5英寸。图中是晶英寸。图中是晶圆的局部，

11、正在接受第一次功能性测试，使用参考电路圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。图案和每一块芯片进行对比。晶圆切片晶圆切片(Slicing)：晶圆级别，：晶圆级别，300毫米毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核个处理器的内核(Die)。丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步。制造第八阶段_晶圆切片(小结）小结） 单个内核单个内核：内核级别。从晶圆上切割下来的：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是单个内核，这里展示的是Corei7的核心。的核心。封装

12、封装：封装级别，：封装级别，20毫米毫米/1英寸。衬底英寸。衬底(基片基片)、内核、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底衬底(绿色绿色)相当于一个底座，并为处理器内相当于一个底座，并为处理器内 核提供电气核提供电气与机械界面，便于与与机械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片系统的其它部分交互。散热片(银银色色)就是负责内核散热的了。就是负责内核散热的了。处理器处理器：至此就得到完整的处理器了：至此就得到完整的处理器了(这里是一颗这里是一颗Corei7)。这种在世界上最干净的房间里制造出来的最复杂的。这种在世界上最干

13、净的房间里制造出来的最复杂的产品实际上是经过数百个步骤得来的，这里只是展示了产品实际上是经过数百个步骤得来的，这里只是展示了其中的一些关键步骤。其中的一些关键步骤。制造第九阶段_封装(小结）小结）等级测试等级测试：最后一次测试，可以鉴别出每一颗处理器的关：最后一次测试，可以鉴别出每一颗处理器的关键特性，比如最高频率、功耗、发热量等，并决定处理器键特性，比如最高频率、功耗、发热量等，并决定处理器的等级，比如适合做成最高端的的等级，比如适合做成最高端的Corei7-975Extreme，还是低端型号，还是低端型号Corei7-920。装箱装箱：根据等级测试结果将同样级别：根据等级测试结果将同样级别

14、的处理器放在一起装运。的处理器放在一起装运。零售包装：制造、测试完毕的处理器要么批量交付给OEM厂商，要么放在包装盒里进入零售市场。这里还是以Corei7为例。制造第十阶段制造第十阶段_成品出炉成品出炉(小结）小结） 总结1 1、制造第一阶段制造第一阶段_提炼硅锭提炼硅锭2 2、制造第二阶段制造第二阶段_切割晶圆切割晶圆3 3、制造第三阶段制造第三阶段_光刻过程光刻过程4 4、制造第四阶段制造第四阶段_光刻胶的使命光刻胶的使命5 5、制造第五阶段制造第五阶段_离子注入离子注入 6 6、制造第六阶段制造第六阶段_ _电镀晶圆电镀晶圆7 7、制造第七阶段制造第七阶段_ _抛光处理抛光处理 8 8、

15、制造第八阶段制造第八阶段_ _晶圆切片晶圆切片 9 9、制造第九阶段制造第九阶段_ _封装封装( (小结）小结）1010、制造第十阶段制造第十阶段_ _成品出炉成品出炉( (小结）小结） CPU是如何生产出来的是如何生产出来的（收转）（收转）2010-03-2616:00作为计算机的核心组件，作为计算机的核心组件，CPU（CentralProcessorUnit，中央处理器）在用户的心中一直是十分神秘的：，中央处理器）在用户的心中一直是十分神秘的：在多数用户的心目中，它都只是一个名词缩写，他们甚至连它的全写都拚不出来；在一些硬件高手的眼在多数用户的心目中，它都只是一个名词缩写，他们甚至连它的全

16、写都拚不出来；在一些硬件高手的眼 里，里，CPU也至多是一块十余平方厘米，有很多脚的块块儿，而也至多是一块十余平方厘米，有很多脚的块块儿，而CPU的核心部分甚至只有不到一平方厘米大。他们知道的核心部分甚至只有不到一平方厘米大。他们知道这块不到一平方厘米大的玩意儿是用多少微这块不到一平方厘米大的玩意儿是用多少微 米工艺制成的，知道它集成了几亿几千万晶体管，但鲜有了解米工艺制成的，知道它集成了几亿几千万晶体管，但鲜有了解CPU的制造流程者。今天，就让我们来详细的了解一下，的制造流程者。今天，就让我们来详细的了解一下，CPU是怎样练成的。是怎样练成的。 基本材料基本材料多数人都知道，现代的多数人都知

17、道，现代的CPU是使用硅材料制成的。硅是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元是使用硅材料制成的。硅是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交素周期表中金属元素区与非金属元素区的交 界处，界处， 所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。从某种意义上说，沙滩上的沙子的主要成分也是硅目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。从某种意义上说，沙滩上的沙子的主要成分也是硅 （二氧化（二氧化硅），而生产硅），而生产CPU所使用的硅材料，实际

18、上就是从沙子里面提取出来的。当然，所使用的硅材料，实际上就是从沙子里面提取出来的。当然，CPU的制造过程中还要使用到一的制造过程中还要使用到一些其它的材料，这也就是为什么我们不些其它的材料，这也就是为什么我们不 会看到会看到Intel或者或者AMD只是把成吨的沙子拉往他们的制造厂。同时，制只是把成吨的沙子拉往他们的制造厂。同时，制造造CPU对硅材料的纯度要求极高，虽然来源于廉价的沙子，但是由于材料提纯工艺的对硅材料的纯度要求极高，虽然来源于廉价的沙子，但是由于材料提纯工艺的 复杂，我们还是无法将一复杂，我们还是无法将一百克高纯硅和一吨沙子的价格相提并论。百克高纯硅和一吨沙子的价格相提并论。制造

19、制造CPU的另一种基本材料是金属。金属被用于制造的另一种基本材料是金属。金属被用于制造CPU内部连接各个元件的电路。铝是常用的金属材料之内部连接各个元件的电路。铝是常用的金属材料之一，因为它廉价，而且性能不差。而现今一，因为它廉价，而且性能不差。而现今 主流的主流的 CPU大都使用了铜来代替铝，因为铝的电迁移性太大，已经无大都使用了铜来代替铝，因为铝的电迁移性太大，已经无法满足当前飞速发展的法满足当前飞速发展的CPU制造工艺的需要。所谓电迁移，是指金属的个别原子在特定条件下（例制造工艺的需要。所谓电迁移，是指金属的个别原子在特定条件下（例 如高电压）如高电压）从原有的地方迁出。从原有的地方迁出

20、。很显然，如果不断有原子从连接元件的金属微电路上迁出，电路很快就会变得千疮百孔，直到断路。这也就很显然，如果不断有原子从连接元件的金属微电路上迁出，电路很快就会变得千疮百孔，直到断路。这也就是为什么超频者尝试对是为什么超频者尝试对NorthwoodPentium4的电压进行大幅度提升时，这块悲命的的电压进行大幅度提升时，这块悲命的CPU经常在经常在“突发性突发性Northwood死亡综合症（死亡综合症（SuddenNorthwoodDeathSyndrome，SNDS）”中休克甚至牺牲的原因。中休克甚至牺牲的原因。SNDS使得使得Intel第一次将铜互连（第一次将铜互连（CopperInter

21、connect）技术应用到）技术应用到CPU的生产工艺中。铜互连技术能的生产工艺中。铜互连技术能够明显的减少电迁移现象，同时还能比铝工艺制造的电路更小，这也是在纳米级制造工够明显的减少电迁移现象，同时还能比铝工艺制造的电路更小，这也是在纳米级制造工 艺中不可忽视的一个问题。艺中不可忽视的一个问题。不仅仅如此，铜比铝的电阻还要小得多。种种优势让铜互连工艺迅速取代了铝的位置，成为不仅仅如此，铜比铝的电阻还要小得多。种种优势让铜互连工艺迅速取代了铝的位置，成为CPU制造的主流制造的主流之选。除了硅和一定的金属材料之外，还有之选。除了硅和一定的金属材料之外，还有 很多复很多复 杂的化学材料也参加了杂的

22、化学材料也参加了CPU的制造工作。的制造工作。准备工作准备工作解决制造解决制造CPU的材料的问题之后，我们开始进入准备工作。在准备工作的过程中，一些原料将要被加工，以的材料的问题之后，我们开始进入准备工作。在准备工作的过程中，一些原料将要被加工，以便使其电气性能达到制造便使其电气性能达到制造CPU的要求。其的要求。其 一就是一就是 硅。首先，它将被通过化学的方法提纯，纯到几乎没有任何杂硅。首先，它将被通过化学的方法提纯，纯到几乎没有任何杂质。同时它还得被转化成硅晶体，从本质上和海滩上的沙子划清界限。质。同时它还得被转化成硅晶体，从本质上和海滩上的沙子划清界限。在这个过程中，原材料硅将被熔化，并

23、放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体在这个过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的 单晶单晶 硅。如果你在高中时把硫酸铜结晶实验做的很好，或者看到硅。如果你在高中时把硫酸铜结晶实验做的很好，或者看到过单晶冰糖是怎么制造的，相信这个过程不难理解。同时你需要理解的是，很多固体物质都具有晶体结过单晶冰糖是怎么制造的，相信这个过程不难理解。同时你需要理解的是，很多固体物质都具有晶体结 构，例如构，例如食盐。食盐。CPU制造过程中的硅也是这样。小心而缓慢

24、的搅拌硅的熔浆，硅晶体包围着晶种向同一个方向生长。最终，制造过程中的硅也是这样。小心而缓慢的搅拌硅的熔浆，硅晶体包围着晶种向同一个方向生长。最终，一块硅锭产生了。一块硅锭产生了。现在的硅锭的直径大都是现在的硅锭的直径大都是200毫米，而毫米，而CPU厂商正在准备制造厂商正在准备制造300毫米直径的硅锭。在确保质量不变的前提毫米直径的硅锭。在确保质量不变的前提下制造更大的硅锭难度显然更大，但下制造更大的硅锭难度显然更大，但 CPU厂厂 商的投资解决了这个技术难题。建造一个生产商的投资解决了这个技术难题。建造一个生产300毫米直径硅锭的毫米直径硅锭的制造厂大约需要制造厂大约需要35亿美元，亿美元，

25、Intel将用其产出的硅材料制造更加复杂的将用其产出的硅材料制造更加复杂的CPU。而建造一。而建造一 个相似的生产个相似的生产200毫米毫米直径硅锭的制造厂只要直径硅锭的制造厂只要15亿美元。作为第一个吃螃蟹的人，亿美元。作为第一个吃螃蟹的人，Intel显然需要付出更大的代价。花两倍多的钱建造显然需要付出更大的代价。花两倍多的钱建造这样一个制造厂似乎这样一个制造厂似乎 很划不来，但从下文可以看出，这个投资是值得的。硅锭的制造方法还有很多，上面介绍的很划不来，但从下文可以看出，这个投资是值得的。硅锭的制造方法还有很多，上面介绍的只是其中一种，叫做只是其中一种，叫做CZ制造法。制造法。硅锭造出来了

26、，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的制造。一般来说，晶圆切得越薄，相同量 的硅材的硅材 料能够制造的料能够制造的CPU成品就越多。接下来晶圆将被磨光，并被成品就越多。接下来晶圆将被磨光，并被检查是否有变形或者其它问题。在这里，质量检查直接决定着检查是否有变形或者其它问题。在这里，质量检查直接决定着CPU的最终良品率，是极为重要的。的最终良品率，是极为重要的。没有问题的晶圆将被掺入适当的其它材料，用以在上面制造出各种晶体

27、管。掺入的材料沉积在硅原子之间的缝隙没有问题的晶圆将被掺入适当的其它材料，用以在上面制造出各种晶体管。掺入的材料沉积在硅原子之间的缝隙中。目前普遍使用的晶体管制造技术叫做中。目前普遍使用的晶体管制造技术叫做 CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductors，互补式金属氧化物半导体）技术，相信这个词你经常见到。简单的解释一下，互补式金属氧化物半导体）技术，相信这个词你经常见到。简单的解释一下，CMOS中的中的C（Complementary）是）是 指两种不同的指两种不同的MOS电路电路“N”电路和电路和“P”电路之间的关系：它们是互补的。电路之间的关系：它们是

28、互补的。在电子学中，在电子学中，“N”和和“P”分别是分别是Negative和和Positive的缩写，用于表示极性。可以简单的这么理解，在的缩写，用于表示极性。可以简单的这么理解，在“N”型的基片上可以安装型的基片上可以安装 “ “P”井制造井制造“P”型的晶体管，而在型的晶体管，而在“P”型基片上则可以安装型基片上则可以安装“N”井制造井制造“N”型晶型晶体管。在多数情况下，制造厂向晶圆里掺入相关材料以制造体管。在多数情况下，制造厂向晶圆里掺入相关材料以制造“P”基片，因为在基片，因为在 “ “P”基片上基片上能够制造出具有更优良的能够制造出具有更优良的性能，并且能有效的节省空间的性能，并

29、且能有效的节省空间的“N”型晶体管；而这个过程中，制造厂会尽量避免产生型晶体管；而这个过程中，制造厂会尽量避免产生“P”型晶体管。型晶体管。接下来这块晶圆将被送入一个高温熔炉，当然这次我们不能再让它熔化了。通过密切监控熔炉内的温度、压力和加接下来这块晶圆将被送入一个高温熔炉，当然这次我们不能再让它熔化了。通过密切监控熔炉内的温度、压力和加热时间，晶圆的表面将被热时间，晶圆的表面将被 氧化成氧化成 一层特定厚度的二氧化硅（一层特定厚度的二氧化硅（SiO2），作为晶体管门电路的一部分），作为晶体管门电路的一部分基片。如果基片。如果你学过逻辑电路之类的，你一定会很清楚门电路这个概念。通过门电路，输入

30、一定你学过逻辑电路之类的，你一定会很清楚门电路这个概念。通过门电路，输入一定 的电平将得到一定的输出电平，的电平将得到一定的输出电平，输出电平根据门电路的不同而有所差异。电平的高低被形象的用输出电平根据门电路的不同而有所差异。电平的高低被形象的用0和和1表示，这也就是计算机使用二进制的原因。表示，这也就是计算机使用二进制的原因。在在Intel使用使用 90纳米工艺制造的纳米工艺制造的CPU中，这层门电路只有中，这层门电路只有5个原子那么厚。个原子那么厚。准备工作的最后一步是在晶圆上涂上一层光敏抗蚀膜，它具有光敏性，并且感光的部分能够被特定的化学物质准备工作的最后一步是在晶圆上涂上一层光敏抗蚀膜

31、，它具有光敏性，并且感光的部分能够被特定的化学物质清洗掉，以此与没有曝光的部分分离。清洗掉，以此与没有曝光的部分分离。完成门电路完成门电路这是这是CPU制造过程中最复杂的一个环节，这次使用到的是光微刻技术。可以这么说，光微刻技术把对光的制造过程中最复杂的一个环节，这次使用到的是光微刻技术。可以这么说，光微刻技术把对光的应用推向了极限。应用推向了极限。CPU制造商制造商 将会把将会把 晶圆上覆盖的光敏抗蚀膜的特定区域曝光，并改变它们的化学性质。而为晶圆上覆盖的光敏抗蚀膜的特定区域曝光，并改变它们的化学性质。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。想必你已经了避免

32、让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。想必你已经 在在Photoshop之类之类的软件里面认识到了遮罩这个概念，在这里也大同小异。的软件里面认识到了遮罩这个概念，在这里也大同小异。在这里，即使使用波长很短的紫外光并使用很大的镜头，也就是说，进行最好的聚焦，遮罩的边缘依然会受在这里，即使使用波长很短的紫外光并使用很大的镜头，也就是说，进行最好的聚焦，遮罩的边缘依然会受到影响，可以简单的想象成边缘到影响，可以简单的想象成边缘 变模糊变模糊 了。请注意我们现在讨论的尺度，每一个遮罩都复杂到不可想象，如果要了。请注意我们现在讨论的尺度，每一个遮罩都复杂到不可想象，如果要描述它

33、，至少得用描述它，至少得用10GB的数据，而制造一块的数据，而制造一块CPU，至少要用到，至少要用到20个这样的遮罩。对个这样的遮罩。对 于任意一个遮罩，请尝试于任意一个遮罩，请尝试想象一下北京市的地图，包括它的郊区；然后将它缩小到一块一平方厘米的小纸片上。最后，别忘了把每块地图都想象一下北京市的地图，包括它的郊区；然后将它缩小到一块一平方厘米的小纸片上。最后，别忘了把每块地图都连接起来，当然，我说的连接起来，当然，我说的 不是用一条线连连那么简单。不是用一条线连连那么简单。当遮罩制作完成后，它们将被覆盖在晶圆上，短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之当遮罩制作完成后，它们将被

34、覆盖在晶圆上，短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮曝光。接下来停止光照并移除遮 罩，使罩，使 用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。的一层硅。当剩余的光敏抗蚀膜也被去除之后，晶圆上留下了起伏不平的二氧化硅山脉，当然你不可能看见它们。接下来当剩余的光敏抗蚀膜也被去除之后，晶圆上留下了起伏不平的二氧化硅山脉，当然你不可能看见它们。接下来添加另一层二氧化硅，并加上了一层多晶添加另一层二氧化硅，并加上了一层多晶 硅，然后硅，然后 再覆盖一层光敏抗蚀膜。多晶硅

35、是上面提到的门电路的另一部再覆盖一层光敏抗蚀膜。多晶硅是上面提到的门电路的另一部分，而以前这是用金属制造而成的（即分，而以前这是用金属制造而成的（即CMOS里的里的M：Metal）。光敏抗蚀膜再次被盖上决定这）。光敏抗蚀膜再次被盖上决定这 些多晶硅去留些多晶硅去留的遮罩，接受光的洗礼。然后，曝光的硅将被原子轰击，以制造出的遮罩，接受光的洗礼。然后，曝光的硅将被原子轰击，以制造出N井或井或P井，结合上面制造的基片，门电路就完井，结合上面制造的基片，门电路就完成了。成了。重复重复可能你会以为经过上面复杂的步骤，一块可能你会以为经过上面复杂的步骤，一块CPU就已经差不多制造完成了。实际上，到这个时候

36、，就已经差不多制造完成了。实际上，到这个时候，CPU的完成的完成度还不到五分之一。接下来的步骤与上面度还不到五分之一。接下来的步骤与上面 所说的所说的 一样复杂，那就是再次添加二氧化硅层，再次蚀刻，再次添加一样复杂，那就是再次添加二氧化硅层，再次蚀刻，再次添加重复多遍，形成一个重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导的核心。每几层中间都要填上金属作为导 体。体。Intel的的Pentium4处理器有处理器有7层，而层，而AMD的的Athlon64则达到了则达到了9层。层数决定于设计时层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电的

37、布局，以及通过的电流大小。流大小。测试、测试和测试测试、测试和测试在经过几个星期的从最初的晶圆到一层层硅、金属和其它材料的在经过几个星期的从最初的晶圆到一层层硅、金属和其它材料的CPU核心的制造过程之后，该是看看制造出来核心的制造过程之后，该是看看制造出来的这个怪物的时候了。这一的这个怪物的时候了。这一 步将测步将测 试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开（不是切开）测试。核心都将被分开（不是切开）测试

38、。通过测试的晶圆将被切分成若干单独的通过测试的晶圆将被切分成若干单独的CPU核心，上面的测试里找到的无效的核心将被放在一边。接下来核心将被核心，上面的测试里找到的无效的核心将被放在一边。接下来核心将被封装，安装在基板上。封装，安装在基板上。 然后，然后， 多数主流的多数主流的CPU将在核心上安装一块集成散热反变形片（将在核心上安装一块集成散热反变形片（IntegratedHeatSpreader，IHS）。每块）。每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些以被标

39、上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上（缓存占能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上（缓存占CPU核心面积的一半以核心面积的一半以 上），制造商仍然可以屏蔽掉它上），制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是依然能够出售，只是它可能是Celeron，可能是，可能是Sempron，或者是其它的了。，或者是其它的了。当当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保

40、之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率不同，它们被放进不同的包装，销行频率不同，它们被放进不同的包装，销 往世界往世界 各地。各地。读完这些，相信你已经对读完这些，相信你已经对CPU的制造流程有了一些比较深入的认识。的制造流程有了一些比较深入的认识。CPU的制造，可以说是集多方面尖端科的制造，可以说是集多方面尖端科学技术之大成，学技术之大成，CPU本身也就那么点本身也就那么点 大，如果大，如果 把里面的材料分开拿出来卖，恐怕卖不了几个钱。然而把里面的材料分开拿出来卖，恐怕卖不了几个钱。然而CPU的

41、制的制造成本是非常惊人的，从这里或许我们可以理解，为什么这东西卖这么贵了。造成本是非常惊人的，从这里或许我们可以理解，为什么这东西卖这么贵了。补充补充在测试、测试和测试这个环节很重要在测试、测试和测试这个环节很重要,你的处理器是你的处理器是6300还是还是6400就会在这个环节被划分，而就会在这个环节被划分，而 6300天生并不天生并不是是6300，而是在测试之后，发现处理器不能稳定的在，而是在测试之后，发现处理器不能稳定的在6400标准下工作，只能在标准下工作，只能在6300标准下稳定工作，于是对标准下稳定工作，于是对处理器定义，锁频，定义处理器定义，锁频，定义 ID，封装，印上，封装，印上

42、6300，AMD我比较熟，用我比较熟，用AMD的例子比较好举，同样核心的处理的例子比较好举，同样核心的处理器都是一个生产线下来的，如果稳定工作在器都是一个生产线下来的，如果稳定工作在2.8GHz，1M*2的缓的缓 存下，就被定义为存下，就被定义为5600+，如果缓存有瑕疵，如果缓存有瑕疵，切割有问题的那一半，成为切割有问题的那一半，成为5400+，如果缓存没问题而频率只能在，如果缓存没问题而频率只能在2.6G通过测试，那么就是通过测试，那么就是5200+， 如果缓如果缓存有瑕疵，就切割成为存有瑕疵，就切割成为5000+一直把它测到一直把它测到3800+，如果还不稳定，要么想办法变成速龙，如果还

43、不稳定，要么想办法变成速龙64单核或单核或者单核闪龙，或者就是出现过的者单核闪龙，或者就是出现过的ES版版 的双核闪龙，如果出现批量不能工作在的双核闪龙，如果出现批量不能工作在3800+条件下，而工作在条件下，而工作在3600+条件下，那么条件下，那么3600+就上市了，如果出现批量能工作在就上市了，如果出现批量能工作在3G，1M*2条件下，条件下， 那么那么6000+就上市了，这就是为就上市了，这就是为什么处理器总是中等型号的先上市，高端和底端的后上市，当然后期工厂可能会节约成本专门开出底端的流水线，什么处理器总是中等型号的先上市，高端和底端的后上市，当然后期工厂可能会节约成本专门开出底端的

44、流水线，专门生产底端专门生产底端 处理器，赛扬，闪龙的各种型号就相继上市，而高端的流水线因为个别处理器不稳定转变为底端处处理器，赛扬，闪龙的各种型号就相继上市，而高端的流水线因为个别处理器不稳定转变为底端处理器，例如将速龙理器，例如将速龙64缓存切割就变为闪龙缓存切割就变为闪龙64（这种情况很少，（这种情况很少， 比如比如03年的时候将速龙切割成为新毒龙）年的时候将速龙切割成为新毒龙）再举一个例子：再举一个例子：汽油在加工之后是没有本质区别的，而每一批的质量不大一样，检测之后就被区分为汽油在加工之后是没有本质区别的，而每一批的质量不大一样，检测之后就被区分为93号油，号油，98号油等等，而号油

45、等等，而他们的价格也不一样，而不是他们在生产的时候就他们的价格也不一样，而不是他们在生产的时候就 有有93号生产线，这类产品不同于其它产品，比如十字螺丝刀号生产线，这类产品不同于其它产品，比如十字螺丝刀就不会在不合标准的情况下去掉两块，磨平后改成一字螺丝刀，前段时间貌似看到某人说自己的就不会在不合标准的情况下去掉两块，磨平后改成一字螺丝刀，前段时间貌似看到某人说自己的 6300是是6400的流水线，所以超频能力比较强，其实它们是一个流水线生产出来的。的流水线，所以超频能力比较强，其实它们是一个流水线生产出来的。INTEL的检测标准都是国际的统一标准，还有，有人说的检测标准都是国际的统一标准，还

46、有，有人说INTEL比较稳定，其实比较稳定，其实AMD不稳定是因为在不稳定是因为在462时代时代核心没有保护盖，核心容易被破坏核心没有保护盖，核心容易被破坏另外有人说某某处理器超频后比别的处理器不超还稳定，根本就是无稽之谈，如果它在高频通过测试，厂商会把另外有人说某某处理器超频后比别的处理器不超还稳定，根本就是无稽之谈，如果它在高频通过测试，厂商会把它变为底端的卖？那厂商不是有问题？它变为底端的卖？那厂商不是有问题？还有只要超频就不能通过测试，不然厂商就会按照高频来卖，还有，有人恢复了切割的缓存说很稳定，完全没有还有只要超频就不能通过测试，不然厂商就会按照高频来卖，还有，有人恢复了切割的缓存说很稳定，完全没有根据。根据。