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1、部部 分分 习习 题题 解解 答答部分物理常数：部分物理常数：第第 2 章章 1 、在在 N 区耗尽区中，高斯定理为：区耗尽区中，高斯定理为： 取一个圆柱形体积，底面在取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得：处。则由高斯定理可得：当当 x = xn 时，时，E(x) = 0，因此因此 ，于是得：，于是得： （2-5a） 3 、 4 、 6 、 ND2 ND1 8、(1) (2) 20、 24、 PN 结的正向扩散电流为结的正向扩散电流为式中的式中的 I0 因含因含 n
2、i2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为于是于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为 31、 当当 N- 区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为： 当当 N- 区缩短到区缩短到 W = 3 m 时，雪崩击穿电压成为：时，雪崩击穿电压成为： 34、 39、第第 3 章章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图缓变基区晶体管在放大区时的能带图 2、NPN 缓变基区晶体管在
3、放大区时的少子分布图缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图 3、 6、 7、 8、以、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（由式（3-33a）和式（和式（3-33b），），再根据注入效率的定义，可得：再根据注入效率的定义，可得： 9 、10、(1)(2)(3)(4) 14、 15、 20、当忽略基区中的少子复合及、当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时，时， 27、 实质上是实质上是 ICS 。 22、 使使 NB NC ，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。基区不易穿通。 39、 为提高穿通电压为提高穿通电压 Vpt ，应当增大应当增大 WB 和和 NB ，但这恰好与提但这恰好与提高高 相矛盾。解决方法：相矛盾。解决方法： 48、 当当 IE 很大时，很大时， 这时这时 0 ； 在在 IE 很小或很大时，很小或很大时， 都会有所下降。都会有所下降。 在正常的在正常的 IE 范围内，范围内， 几乎不随几乎不随 IE 变化，变化， 这时这时 0 与与 也有类似的关系也有类似的关系 。 58、 59、65、(1)(3)(2)(4) 68、第第 5 章章 1、 3、 5、6、 8、13、
