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1、数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础电子课件郑州大学电子信息工程学院郑州大学电子信息工程学院Wednesday, July 31, 2024Wednesday, July 31, 2024数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础第二章 门电路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.1 2.1 概述概述门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门与门、与非门、或门 门电路中以高门电路中以高门电路中以高门电路中以高/ /低电平表低电平表低电平
2、表低电平表示逻辑状态的示逻辑状态的示逻辑状态的示逻辑状态的1/01/0数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础正逻辑和负逻辑： 在逻辑电路中存在两种逻辑状态，分别用二值逻辑的在逻辑电路中存在两种逻辑状态，分别用二值逻辑的1 1和和0 0来表示。如果以输出的高电平表示逻辑来表示。如果以输出的高电平表示逻辑1 1，以输出低电平表，以输出低电平表示逻辑示逻辑0 0，则这种逻辑制称为正逻辑。反之，若以逻辑，则这种逻辑制称为正逻辑。反之，若以逻辑1 1代表代表低电平，而以逻辑低电平，而以逻辑0 0代表高电平，则称为负逻辑。代表高电平，则称为负逻辑。 数字电子技术基础数字电子技术基
3、础数字电子技术基础数字电子技术基础2.2 2.2 半导体开关特性半导体开关特性2.2.1 2.2.1 半导体二极管的开关特性半导体二极管的开关特性2.2.2 2.2.2 半导体三极管的开关特性半导体三极管的开关特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二极管的开关特性：二极管的开关特性： v vI I=V=VIHIH, , D D截止，截止，v vO O=V=VOHOH=V=VCCCC v vI I=V=VILIL, , D D导通，导通，v vO O=V=VOLOL=0.7V=0.7V高电平：VIH=VCC低电平：VIL=0 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子
4、技术基础数字电子技术基础二极管的动态特性：二极管的动态特性：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.2.2 2.2.2 半导体三极管的开关特性（半导体三极管的开关特性（TransistorTransistor）一、三极管的开关特性一、三极管的开关特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 截止工作状态截止工作状态 放大工作状态放大工作状态 饱和工作状态饱和工作状态数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础动态开关特性动态开关特性 主要开关参数主要开关参数 饱和压降饱和压降 开启延迟时间开启延迟时间 关闭延迟时间关闭延迟
5、时间 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、二、MOSMOS管的开关特性管的开关特性1 1、MOSMOS管的结构管的结构S (Source)：源极G (Gate)：栅极D (Drain)：漏极B (Substrate):衬底金属层氧化物层半导体层PN结数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2 2、静态开关特性、静态开关特性 截止区 可变电阻区 恒流区 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础3 3、MOSMOS管的动态开关特性管的动态开关特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础4 4、主
6、要开关参数、主要开关参数 导通电阻：导通电阻：MOSMOS管导通时，且管导通时，且 为固定值条件下，漏极为固定值条件下，漏极电压的变化量与漏极电流变化量之间的比值，即电压的变化量与漏极电流变化量之间的比值，即 截止电阻：截止电阻：MOSMOS管截止时，漏极和源极之间的电阻值，大管截止时，漏极和源极之间的电阻值，大小约为小约为 跨导跨导 ：在：在 一定的条件下，漏极电流变化与栅源极电压一定的条件下，漏极电流变化与栅源极电压变化之比，它表示栅源电压对漏极电流的控制能力变化之比，它表示栅源电压对漏极电流的控制能力 开启电压开启电压 和夹断电压和夹断电压 ：对于：对于NN沟道增强型沟道增强型MOSMO
7、S管管 为正值，为正值，P P沟道增强型沟道增强型 为负值；对于为负值；对于NN沟道耗尽型沟道耗尽型MOS MOS 管为负值，管为负值，P P沟道耗尽型沟道耗尽型 为正值为正值。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础5 5、MOSMOS管的四种类型管的四种类型增强型增强型耗尽型耗尽型大量正离子导电沟道数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.3 2.3 最简单的与、或、非门电路最简单的与、或、非门电路二极管与门二极管与门设设VCC = 5V加到加到A,B的的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时二极管导通时 VDF=0.7VA AB BY
8、Y0V0V0V0V0.7V0.7V0V0V3V3V0.7V0.7V3V3V0V0V0.7V0.7V3V3V3V3V3.7V3.7VA AB BY Y0 00 00 00 01 10 01 10 00 01 11 11 1规定3V以上为10.7V以下为0数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二极管构成的门电路的缺点二极管构成的门电路的缺点电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.3.2 2.3.2 三极管非门（反相器）三极管非门（反相器）三极管的基本开关电路就是非门三极管的基本开关电路就是非门实际应用中，
9、为保证实际应用中，为保证v vI I=V=VILIL时时T T可靠截止，常在可靠截止，常在 输入接入负压输入接入负压 参数合理？参数合理？参数合理？参数合理？v vI I=V=VILIL时，时，时，时，T T截止，截止，截止，截止，v vOO=V=VOHOHv vI I=VIH=VIH时，时，时，时，T T截止，截止，截止，截止，v vOO=V=VOLOL数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础输入信号悬空时： 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.3.3 2.3.3 二极管二极管- -三极管与非、或非门三极管与非、或非门 数字电子技术基础
10、数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.4 TTL2.4 TTL门电路（门电路（Transistor-Transistor LogicTransistor-Transistor Logic）2.4.1 TTL2.4.1 TTL与非门电路结构和工作原理与非门电路结构和工作原理一、电路结构一、电路结构 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、工作原理二、工作原理二、工作原理二、工作原理1 1当输入中有一个为低电平时，这时对应的发射极当输入中有一个为低电平时，这时对应的发射极必然导通，并在深度饱和状态。必然导通，并在深度饱和状态。T2T2和和T5T5管截止。管
11、截止。T4T4导通，导通，T5T5截止，输出为高电平。截止，输出为高电平。 2 2当输入全为高电平时，此时假设当输入全为高电平时，此时假设T1T1导通，则导通，则T1T1的基极电压钳位在的基极电压钳位在2.1V2.1V。这样。这样T1T1管的所有发射结管的所有发射结均反偏，相当于把原来的集电极作为发射极使用，均反偏，相当于把原来的集电极作为发射极使用，原来的发射极作为集电极使用，也就是说原来的发射极作为集电极使用，也就是说T1T1管工管工作在作在倒置状态倒置状态。T2T2导通使导致导通使导致T4T4截止，截止，T5T5导通，导通，输出变为低电平。输出变为低电平。 数字电子技术基础数字电子技术基
12、础数字电子技术基础数字电子技术基础2.4.2 TTL与非门的外部特性及参数与非门的外部特性及参数一、静态输入特性和输出特性一、静态输入特性和输出特性一、静态输入特性和输出特性一、静态输入特性和输出特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础1 1输入特性输入特性 输入低电平电流输入低电平电流 输入高电平电流输入高电平电流0.7V 1.4V T2开始导通，但T1管集电极支路电流仍很小 时T5管导通， 随着 增大迅速减小这时T1管处于倒置状态，T1管的集电极电流流入T2管的基极，输入电流方向与参考方向一致。 转变为正值。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电
13、子技术基础2 2输出特性输出特性 输出高电平时的输出特性输出高电平时的输出特性（a）等效电路 （b）高电平输出特性曲线数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 输出低电平时的输出特性输出低电平时的输出特性（a）等效电路 （b）低电平输出特性曲线数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、负载特性二、负载特性二、负载特性二、负载特性1 1输入端负载特性输入端负载特性输入端接入负载时电路 输入负载特性曲线当当 时，时， 随随 的变化规律为的变化规律为数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 例：在图例：在图TTLTTL与非门电
14、路中，如果用内阻为的电压表测量输与非门电路中，如果用内阻为的电压表测量输入端入端B B的电压时，请问在下列情况下，测到的电压值为多的电压时，请问在下列情况下，测到的电压值为多少？少？ 输入端输入端A A接接0.2V0.2V。 输入端输入端A A接地。接地。 输入端输入端A A通过一个的电阻接地。通过一个的电阻接地。 输入端输入端A A通过一个的电阻接地。通过一个的电阻接地。解：解：解：解： 当输入端当输入端A A接接0.2V0.2V电平时，这时电平时，这时T1T1管处于深度饱和管处于深度饱和状态，基极电位被钳位在状态，基极电位被钳位在 当用电压表测当用电压表测量量B B端时的电压为端时的电压为
15、 当输入端当输入端A A接地时，由于接地时，由于T1T1管的发射结导通，使管的发射结导通，使 ，电压表测量，电压表测量B B端时端时数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 当输入端当输入端A A通过通过 的电阻接地时，因为所接电阻大于开启电阻的电阻接地时，因为所接电阻大于开启电阻 ，A A端相当于输入高电平，这时端相当于输入高电平，这时 钳位在钳位在2.1V2.1V的电平上，所以测得的电平上，所以测得B B端端电压为电压为 当输入端当输入端A A通过通过 的电阻接地时，等效在的电阻接地时，等效在A A端加了一个输入电压端加了一个输入电压 相当于在相当于在A A端加一个
16、端加一个0.2V0.2V的逻辑低电平，与第一种情况一样，电的逻辑低电平，与第一种情况一样，电压表测得压表测得B B端电压为端电压为0.2V0.2V。2 2带负载能力带负载能力 TTLTTL与非门带负载能力表示一个与非门所能驱动同类门的最大数与非门带负载能力表示一个与非门所能驱动同类门的最大数目，常用扇出系数目，常用扇出系数 表示表示 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础当驱动门的输出高电平时当驱动门的输出高电平时当驱动门输出低电平时当驱动门输出低电平时 扇出系数扇出系数 取取 和和 的较小者的较小者。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础三
17、、电压的传输特性三、电压的传输特性 1 1ABAB段（截止区）：段（截止区）： 2 2BCBC段（线性区）：段（线性区）： 3 3CDCD段（转折区）：段（转折区）： 线性下降线性下降 快速下降快速下降阈值电压或门槛电压阈值电压或门槛电压 4 4DEDE段（饱和区）：段（饱和区）：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础四、噪声容限四、噪声容限数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础五、五、TTLTTL与非门的动态特性与非门的动态特性一、传输延迟时间一、传输延迟时间1 1、现象：、现象：数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术
18、基础二、动态尖峰电流二、动态尖峰电流数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.4.3 2.4.3 其他类型的其他类型的TTLTTL门电路门电路一、其他逻辑功能的门电路一、其他逻辑功能的门电路1. 1. 与或非门与或非门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2. 2. 异或门异或门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、集电极开路的门电路二、集电极开路的门电路1 1、推拉式输出电路结构的局限性、推拉式输出电路结构的局限性 输出电平不可调输出电平不可调 负
19、载能力不强，尤其是高电平输负载能力不强，尤其是高电平输出出 输出端不能并联使用输出端不能并联使用 OCOC门门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2 2、OCOC门的结构特点门的结构特点数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础3 3、外接负载电阻、外接负载电阻R RL L的计算的计算数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础3 3、外接负载电阻、外接负载电阻R RL L的计算的计算数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础3 3、外接负载电阻、外接负载电阻R RL L的计算的计算数字电子技术基础数字
20、电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础三、三态门电路（三、三态门电路（Three state Output Gate ,TSThree state Output Gate ,TS）数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础三态门的用途三态门的用途 三态门构成单向总线 三态门构成双向总线数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.4.4 TTL2.4.4 TTL电路的改进系列电路的改进系列一一、肖特基、肖特基TTLTTL门系列（门系列（74S74S）1. 1.电路改进电路改进(1)(1)采用抗饱和三极管采用抗饱和三极管(2)(2)用有源泄放电路
21、代替用有源泄放电路代替74H74H系列中的系列中的R3R3(3)(3)减小电阻值减小电阻值2. 2. 性能特点性能特点速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大 抗饱和三极管 肖特基TTL与非门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、低功耗肖特基系列二、低功耗肖特基系列74LS74LS（Low-Power Low-Power SchottkySchottky TTL TTL） 低功耗肖特基TTL与非门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.4.5 TTL2.4.5 TTL门电路的使用门
22、电路的使用 这些门电路在实际使用时注意以下几点：这些门电路在实际使用时注意以下几点：一、电源及电源干扰的消除一、电源及电源干扰的消除二、不用输入端的处理及注意事项二、不用输入端的处理及注意事项三、输出端处理三、输出端处理四、其它四、其它数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.5 2.5 发射极耦合逻辑门（发射极耦合逻辑门（发射极耦合逻辑门（发射极耦合逻辑门（ECLECL）2.5.1 ECL2.5.1 ECL门电路的基本单元门电路的基本单元 当当 时，而此时时，而此时T3T3管基极电平管基极电平更高一些（更高一些（-1.3V-1.3V），故），故T1T1截止截止T3T
23、3导通，此时导通，此时 与输入端之间是逻辑非关系，与输入端之间是逻辑非关系， 与输入端之间是逻辑与关系。与输入端之间是逻辑与关系。 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.5.2 ECL2.5.2 ECL电路的结构和工作原理电路的结构和工作原理数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.5.3 ECL电路的主要特点优点：优点： 1 1ECLECL电路是目前各种数字集成电路中工作速度最快的一种，电路是目前各种数字集成电路中工作速度最快的一种，目前目前ECLECL传输延迟时间缩短至传输延迟时间缩短至1ns1ns以下。以下。 2 2电路内部的开关噪
24、声很低。电路内部的开关噪声很低。 3 3输出阻抗低，带负载能力强。国产输出阻抗低，带负载能力强。国产CE10KCE10K系列门电路的扇系列门电路的扇出系数可达出系数可达9090以上。以上。 4 4ECLECL电路具有或和或非两个互补输出端，使用方便、灵活。电路具有或和或非两个互补输出端，使用方便、灵活。缺点：缺点：电路功耗大；噪声容限低；输出电平稳定性差。电路功耗大；噪声容限低；输出电平稳定性差。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.6 2.6 集成注入逻辑集成注入逻辑集成注入逻辑集成注入逻辑 （Integrated Injection LogicIntegrat
25、ed Injection Logic） 2.6.1 2.6.1 电路结构与工作原理电路结构与工作原理 I2L基本单元电路结构及等效电路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.6.2 2.6.2 门电路的主要特点门电路的主要特点 电路两个严重的缺点电路两个严重的缺点 1 1抗干扰能力差。抗干扰能力差。I2LI2L电路的输出信号幅度比较小，噪电路的输出信号幅度比较小，噪声容限较低，所以抗干扰能力也较差。声容限较低，所以抗干扰能力也较差。2 2、工作速度低。因为、工作速度低。因为I2LI2L电路采用了饱和型逻
26、辑电路，电路采用了饱和型逻辑电路，这限制了工作速度。这限制了工作速度。I2LI2L电路的传输延迟时间可达到电路的传输延迟时间可达到2030ns2030ns。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.7 2.7 金属金属金属金属- -氧化物氧化物氧化物氧化物- -半导体逻辑（半导体逻辑（半导体逻辑（半导体逻辑（MOSLMOSL）2.7.1 CMOS2.7.1 CMOS反相器及工作原理反相器及工作原理一、电路结构一、电路结构数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、电压、电流传输特性二、电压、电流传输特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技
27、术基础数字电子技术基础三、噪声容限三、噪声容限结论：可以通过提高结论：可以通过提高V VDDDD来提高噪声容限来提高噪声容限数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.7.2 CMOS2.7.2 CMOS反相器的外部特性和参数反相器的外部特性和参数反相器的外部特性和参数反相器的外部特性和参数一、静态输入特性一、静态输入特性 CMOS反相器输入保护电路 CMOS反相器输入特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、静态输出特性二、静态输出特性数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子
28、技术基础数字电子技术基础三、动态特性三、动态特性传输延迟时间传输延迟时间数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2 2、交流噪声容限、交流噪声容限3 3、动态功耗、动态功耗数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.7.3 2.7.3 其他类型的其他类型的CMOSCMOS门电路门电路一、其他逻辑功能的门电路一、其他逻辑功能的门电路1. 1. 与非门与非门 2.2.或非门或非门 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础3 3、带缓冲极的、带缓冲极的CMOSCMO
29、S门门如，与非门如，与非门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础4 4、漏极开路的门电路（、漏极开路的门电路（ODOD门）门）数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础5 5、CMOSCMOS传输门及模拟开关传输门及模拟开关传输门传输门数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 双向模拟开关双向模拟开关数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.7.4 NMOS2.7.4 NMOS逻辑门逻辑门 NMOS与非门 NMOS或非门数字电子技术基
30、础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.7.5 MOS2.7.5 MOS门电路的正确使用门电路的正确使用 一、电源电压一、电源电压 电源的上限电压不得超过允许的电源电压最大值；下电源的上限电压不得超过允许的电源电压最大值；下限电压不能低于保证系统速度所需的电源电压最小值。限电压不能低于保证系统速度所需的电源电压最小值。二、输入端二、输入端 1 1、每个输入端电流不超过、每个输入端电流不超过1mA1mA为佳，并限制在为佳，并限制在10mA10mA以内。以内。 2 2、当上述条件不能满足，即输入电流过大、输入端接线过、当
31、上述条件不能满足，即输入电流过大、输入端接线过长，或接大电容、大电感时，应在输入端串接长，或接大电容、大电感时，应在输入端串接 的保的保护电阻，将输入电流的瞬态值限制在护电阻，将输入电流的瞬态值限制在10mA10mA以下以下 数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 3 3未使用的输入端处理方法：与门和与非门的未用端应未使用的输入端处理方法：与门和与非门的未用端应接至正电源端或高电平，或门和或非门应接地或低电平。接至正电源端或高电平，或门和或非门应接地或低电平。不用输入端绝不能悬空。因为悬空的栅极易产生感应电不用输入端绝不能悬空。因为悬空的栅极易产生感应电荷，使输入端可
32、能为高电平也可能为低电平，造成逻辑荷，使输入端可能为高电平也可能为低电平，造成逻辑混乱。混乱。 4 4为了防止门电路开关过程中的过冲电流以及栅极易接为了防止门电路开关过程中的过冲电流以及栅极易接收静电电荷，在进行实验、测量和调试时，应先接入直收静电电荷，在进行实验、测量和调试时，应先接入直流电源，后接输入信号源；而关机时先关闭输入信号源，流电源，后接输入信号源；而关机时先关闭输入信号源，后关闭直流电源后关闭直流电源。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础 三、输出端三、输出端三、输出端三、输出端 CMOSCMOS集成电路的输出端不应直接和集成电路的输出端不应直接和 或
33、或 相连。否相连。否则，将因拉电流或灌电流过大而损坏器件。另外除了三则，将因拉电流或灌电流过大而损坏器件。另外除了三态门和态门和ODOD器件外，也不允许器件外，也不允许CMOSCMOS器件输出并联使用。器件输出并联使用。 输出与大电容、大电感直接相连时，将使功耗增加、工输出与大电容、大电感直接相连时，将使功耗增加、工作速度下降，为此应在输出和大电容之间串接保护电阻，作速度下降，为此应在输出和大电容之间串接保护电阻，并尽力减少容性负载的影响。并尽力减少容性负载的影响。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.8 2.8 门电路产品简介与接口电路门电路产品简介与接口电路2
34、.8.1 2.8.1 门电路产品简介门电路产品简介 集成集成TTL和和MOS型号分型号分类表表系列系列子系列子系列名称名称国际型号国际型号速度速度-功耗功耗TTL系列TTL标准TTL系列54/74TTL10ns-10mWHTTL高速TTL系列54/74HTTL6ns-22mWSTTL甚高速TTL系列54/74STTL3ns-19mWLSTTL低功耗肖特基系列54/74LSTTL5ns-2mWALSTTL先进低功耗肖特基系列54/74ALSTTL4ns-1mWMOS系列NMOSN沟道系列CD4000CMOS互补场效应管系列CC400045ns-5WHCMOS高速CMOS系列54/74HC10ns
35、-1WHCMOST与TTL兼容的HC系列54/74HCTECL系列发射极耦合高速器件10K2ns-25mW100K0.75ns-40mW数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础一、按制造工艺分类一、按制造工艺分类一、按制造工艺分类一、按制造工艺分类二、按逻辑功能分类二、按逻辑功能分类二、按逻辑功能分类二、按逻辑功能分类 按照逻辑功能门电路可分为与、与非、或、或非、与按照逻辑功能门电路可分为与、与非、或、或非、与或非、反相器和驱动器等或非、反相器和驱动器等 三、按输出结构分类三、按输出结构分类三、按输出结构分类三、按输出结构分类 按输出结构集成门电路又可分为推拉式输出或按输出结构集成门电路又可分为推拉式输出或CMOSCMOS反相器输出、反相器输出、OCOC输出或输出或ODOD输出和三态输出三种形式。输出和三态输出三种形式。数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础2.8.2 2.8.2 各门电路间的接口电路各门电路间的接口电路一、一、一、一、TTLTTL电路驱动电路驱动电路驱动电路驱动CMOSCMOS电路电路电路电路数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础数字电子技术基础二、二、二、二、CMOSCMOS电路驱动电路驱动电路驱动电路驱动TTLTTL电路电路电路电路
