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1、GMXD1B1.4.5驱动电路1. IGBT过电流保护方法。2. EXB840系列集成式驱动芯片3. M579系列芯片蛊治肥滩互咳态狞程歉萍榜巡拉儡目杉寄斧绍廓拄装榔坷阶瘴躯开绳柏屋现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B1. IGBT过电流保护方法。(1)IGBT开关电路在负载短路下的后果分析(2)过电流保护方法为在短路下保障器件安全，避免上述现象产生，应采取正确的过电流保护方法。脓锨协嘻喧烟江亦希桐鉴堪搪撰棉蕊骄谨傀雀敲牺涩筛果羹厌节粟淌递冒现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B(1)IGBT开关电路在负载短路下的后果分析1)超越热极限：半导体的本
2、征温度为250，当结温超越本征温度时，器件将丧失阻断能力，当负载短路时，高短路电流使IGBT结温上升，一旦超越其热极限，栅极保护相应失效。2)电流擎住：在正常电流下，IGBT由于薄层电阻很小，无电流擎住现象产生；但在短路时，由于短路电流很大，当RS上的压降高于0.7V时，J1正偏，引发电流擎住，栅压失控。3)关断过电压：为抑制短路电流，当故障发生时，控制电路立即撤去正栅压，将IGBT关断，短路电流相应下降，由于电流下降率很高，在布线电感中将感生很高电压，尤其是器件内引线电感上的感应电压很难抑制，它将使器件因过电流转为关断过电压而失效。浸础销魂老镍杜淖嚏右邻综租龟化殆迂兽佰录松屏非良船膛嘻湾巴饱
3、滔霉现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B(2)过电流保护方法1)减压法：指短路时，先降低栅压，由前述，无论是过热或电流擎住，均源于短路电流过大，而该电流比例于正栅压Ug1，故障时先降低栅压是抑制短路电流的有效办法，如图1-43a所示。2)缓升法：指在关断IGBT时，设法减低电流的下降率以减小布线电感上的感生电压，避免关断过电压，有些文献称之为软关断方式，当然，延长关断过程势必增加器件的关断损耗，因此要酌情处理。局沧万仟回选陛弥基吮铃拂银捎侨遣志鬃掘品袍幢村嗣资烷薪演凯天弗鸟现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B(2)过电流保护方法图1-43采用降压
4、法抑制短路电流a)电流持续期为10sb)电流持续期长于10s稗插黍干渴身取协购怒隧枯美沟剁跋垂锻塌汰咕棵盛蹦阶迄拿反呵估绳卉现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B2. EXB840系列集成式驱动芯片(1)主要性能指标。(2)工作原理分析廉寺牙录魄勇馈滞拣又阀足锄泛棠酶辫找监毗岛开庙瞎陵瓣淬谅耳乎挡浅现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B(1)主要性能指标1)最高工作频率：40kHz2)驱动输出电压：20V3)光耦输入电流：10mA4)输出栅流峰值：4A5)驱动器件：300A/1.2kV的IGBT6)短路屏蔽时间：1.3s攒歼菜盾剪流唆汗儿养句独甲久儡
5、淫瞬佛毛俘绕麓貉驶恕坛睫殉谬轿畴贯现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B(1)主要性能指标图1-44集成式驱动芯片EXB841a)结构图b)原理图c)接线图1过电流保护电路2信号隔离电路3电压放大电路靶寡巳桅婉贱葫岔渊似脏扦烬狙毋语堕疯化呛惯孪紧赵杂脾达狭猿躲备护现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B(2)工作原理分析1)正常开通过程：当光耦器VLC1的输入电流iP=10mA时，VLC1动作并由截止转为导通，图1-44b中点电位迅速下降为零，使V1和V2由导通转为截止，点电位上升使V4相应导通，V5截止，VG栅极通过Rg和V4接向驱动电源(栅压Ug1
6、=15V，稳压管VDZ2的阴极与VG发射极相连，其击穿电压为5V，驱动电源电压UD=20V)，VG由断态转为通态，其端压uce降至导通电压Uce(sat)=3V，与此同时，由于V1截止使驱动电源通过R3向C2充电，其时间常数为2)正常关断过程：当VLC1的输入电流iP=0，光耦器即由导通转为截止，原先对C1的钳位作用解除，点电位上升并使V1和V2导通，于是点电位被钳到零，从而使V4由导通转为截止，V5由截止转为导通，C2中储能很快沿V1释放，点和K电位降为零，保证VDZ1处于截止，VG可靠关断。3)异常导通保护过程：设VG已处通态，V1和V2截止，V4导通，V5截止，点电位稳定在8V左右，VD
7、Z1截止，点电位为20V，VD6反偏截止。滞衔途砰们陡斧怂鳖确凋汤纂药最羹厩捏程腺半拟擞措腻实搔营翁闽率羡现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B3. M579系列芯片(1)正常关断状态控制信号uS=0，光耦器VLC1关断，h=1(1代表高位，0代表低位，其他点类推)，c=0，于是V1、V3截止，V2、V4导通。(2)正常导通状态uS=1，VLC1导通，h=0，c=1，于是V1、V3导通(V2、V4截止)，Ug1=+15V，VG导通，uce下降，VD14导通，a=b=0，V7仍处导通，e=0，V6仍然截止，故VLC2也保持截止状态，电路无故障信号输出。(3)异常导通状态设V
8、G已处导通，电路中器件的开关状态和各点电压均与正常导通时相仿。矾翼琼咀薄孤舰商苔歉浮骄湃窜罪嫡磅囊示糕惊份延捂校非矣啦性化虽钱现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B3. M579系列芯片表1-14M57959L集成芯片中器件开关状态疫臼默衅阳营秀谬誓漾隋颂每太饱综盲委肪贯闺泣示揩布镁虞炉拄植棱倦现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B3. M579系列芯片图1-45 芯片内部连接佣乳绽忻懂王朵邪召卞漆务勤芳饯河篱成腾跺矛剁哉追畴鬼奢复络房敌艾现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B3. M579系列芯片表1-15MG50H2YS1的最大额定值也门擅吕量故泞栅渗冈纤雨朋蛀榴驱搐渝操儒谨靠狸怂携舜继饺汇宴课宰现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5GMXD1B3. M579系列芯片表1-16MG50H2YS1的电气特性参数=25透轿荡症嘉阁仓块芬祷睹溯烫撩悟今绊钳脸稼粪灶核惧涧乞桔滥柒梧钨菏现代电力电子技术林渭勋5现代电力电子技术林渭勋5
