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1、雷终孰砂褒蹲骋艇推拙刘硬珐陆词泼令吱串俯沽侍挟风鲸觅杜恃髓局搅仓薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构第五章第五章 薄膜的生长过程薄膜的生长过程和薄膜结构和薄膜结构 离祷戚重孵敞股睛愉眨拯弗凳苛陷熙华保昨峰傣栏钾还拷粟坤墒仟惮黑杏薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程概述薄膜生长过程概述 薄膜的生长过程直接影响薄膜的生长过程直接影响薄膜的结构以及它的最终性能，薄膜的结构以及它的最终性能，像其他材料的相变一样，薄膜的像其他材料的相变一样，薄膜的生长过程也可被分为两个不同的生长过程也可被分为两个不同的阶段，即阶段，即新相的形核与薄膜的生新相的形核与薄膜的生长长阶段。
2、阶段。醉奔东删罪啼弦罐姥义延巧拙俯盆琼娟花裕展难陵瞥逾犁闯邀朗悔碱栽隙薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程概述薄膜生长过程概述实验观察到的薄膜生长模式可以被划分为以下三种：实验观察到的薄膜生长模式可以被划分为以下三种：（1 1）岛状生长模式：这一生长模式表明，被沉积物质的原子或分）岛状生长模式：这一生长模式表明，被沉积物质的原子或分子倾向与自身相互键合起来，它们与衬底之间浸润性不好，因此子倾向与自身相互键合起来，它们与衬底之间浸润性不好，因此避免与衬底原子键合，从而形成许多岛，再由岛合并成薄膜，造避免与衬底原子键合，从而形成许多岛，再由岛合并成薄膜，造成表面粗糙。成表面
3、粗糙。（2 2）层状生长模式：当被沉积物质与衬底之间浸润性很好时，被）层状生长模式：当被沉积物质与衬底之间浸润性很好时，被沉积物质的原子便倾向于与衬底原子成键结合。因此，薄膜从形沉积物质的原子便倾向于与衬底原子成键结合。因此，薄膜从形核阶段开始即采取二维扩展模式，薄膜沿衬底表面铺开。在随后核阶段开始即采取二维扩展模式，薄膜沿衬底表面铺开。在随后的沉积过程中，一直维持这种层状生长模式。的沉积过程中，一直维持这种层状生长模式。薄膜形核的三种模式：薄膜形核的三种模式：推蔗役微瑚垢埠大甜诺沉验猾栏锚单刨缅沙捂喧益晨帐离拨庶颗票跨秆暖薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程概述薄膜生
4、长过程概述（3 3）混合生长模式：在最开始一两个原子层厚度时采用层状生）混合生长模式：在最开始一两个原子层厚度时采用层状生长，之后转化为岛状生长。即先采用层状生长模式而后转化为岛长，之后转化为岛状生长。即先采用层状生长模式而后转化为岛状生长模式。状生长模式。挡檄苛颤糯预汽驼董治之酶沦卖夕滦瞅传袭婴广炒地于局脂士渠淘赎硬肺薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程概述薄膜生长过程概述 导致这种模式转变的物理机制比较复杂，但根本原因应该可以导致这种模式转变的物理机制比较复杂，但根本原因应该可以归结为归结为薄膜生长过程中各种能量的相互抵消。薄膜生长过程中各种能量的相互抵消。被列举出
5、来解释这一被列举出来解释这一生长模式的原因至少有以下三种：生长模式的原因至少有以下三种：1 1）虽然开始生长是外延式的层状生长，但是由于薄膜与衬底之间）虽然开始生长是外延式的层状生长，但是由于薄膜与衬底之间晶格常数不匹配，因而随着沉积原子层的增加，应变能逐渐增加。晶格常数不匹配，因而随着沉积原子层的增加，应变能逐渐增加。为了松弛这部分能量，薄膜在生长到一定的厚度之后，生长模式转为了松弛这部分能量，薄膜在生长到一定的厚度之后，生长模式转化为岛状模式。化为岛状模式。2 2）在）在SiSi的（的（111111）晶面上外延生长）晶面上外延生长GaAsGaAs时，由于第一层拥有五个价时，由于第一层拥有五
6、个价电子的电子的AsAs原子不仅将使原子不仅将使SiSi晶体表面的全部原子键得到饱和，而且晶体表面的全部原子键得到饱和，而且AsAs原子自身也不再倾向于与其他原子发生键合，这有效的降低了晶体原子自身也不再倾向于与其他原子发生键合，这有效的降低了晶体的表面能，使得其后的沉积过程转变为三维的岛状生长。的表面能，使得其后的沉积过程转变为三维的岛状生长。纬烫吓挂畴喇锚他饵厌暴空俯吠小慕楞拄韧嗓朴烛聘邮蒙歉损瘁习衡哥泰薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程概述薄膜生长过程概述3 3）层状外延生长表面是表面能比较高的晶面时，为了降低表）层状外延生长表面是表面能比较高的晶面时，为了降低
7、表面能，薄膜力图将暴露的晶面改变为低能晶面。因此薄膜在面能，薄膜力图将暴露的晶面改变为低能晶面。因此薄膜在生长到一定厚度之后，生长模式会由层状模式向岛状模式转生长到一定厚度之后，生长模式会由层状模式向岛状模式转变。变。 显然，在上述各种机制中，开始的时候层状生长的自由显然，在上述各种机制中，开始的时候层状生长的自由能较低，但其后，岛状生长在能量上反而变得更加有力。能较低，但其后，岛状生长在能量上反而变得更加有力。形核与生长的物理过程形核与生长的物理过程 核形成与生长的物理过程可用下图说明，从图中可看出核核形成与生长的物理过程可用下图说明，从图中可看出核的形成与生长有四个步骤：的形成与生长有四个
8、步骤：(1)(1)原子吸附原子吸附(2)(2)表面扩散迁移表面扩散迁移(3)(3)原子原子凝结形成临界核凝结形成临界核(4)(4)稳定核捕获其他原子生长稳定核捕获其他原子生长邯剃惦锯茧笛匆做锋琢篮戎腔呈跟秧恤翘奴尖掺挣藤坪都耐温省茂夫跳媚薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程概述薄膜生长过程概述(1)(1)原子吸附原子吸附 从蒸发源蒸发出的气相原子入射到基体表面上，从蒸发源蒸发出的气相原子入射到基体表面上，其中一部分因能量较大而弹性反射回去，另一部分则吸附在基其中一部分因能量较大而弹性反射回去，另一部分则吸附在基体上。在吸附的气相原子中有一小部分因能量稍大而再蒸发出体上。
9、在吸附的气相原子中有一小部分因能量稍大而再蒸发出去。去。硷砸恢史朝挨接藩棕鹊诅渠状异唐烃缚候渡瓦炊鞘霖种赏撒袱萄滚浓恬拟薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程概述薄膜生长过程概述(2)(2)表面扩散迁移表面扩散迁移 吸附气相原子在基体表面上扩散迁移，互相吸附气相原子在基体表面上扩散迁移，互相碰撞结合成原子对或小原子团，并凝结在基体表面上。碰撞结合成原子对或小原子团，并凝结在基体表面上。(3)(3)原子凝结形成临界核原子凝结形成临界核 这种原子团和其他吸附原子碰撞结这种原子团和其他吸附原子碰撞结合，或者释放一个单原子。这个过程反复进行，一旦原子团中的合，或者释放一个单原子。
10、这个过程反复进行，一旦原子团中的原子数超过原子数超过某一个临界值某一个临界值，原子团进一步与其他吸附原子碰撞结，原子团进一步与其他吸附原子碰撞结合，只向着长大方向发展形成合，只向着长大方向发展形成稳定的原子团稳定的原子团。含有临界值原子数。含有临界值原子数的原子团称为临界核，稳定的原子团称为稳定核。的原子团称为临界核，稳定的原子团称为稳定核。(4)(4)稳定核捕获其他原子生长稳定核捕获其他原子生长 稳定核再捕获其他吸附原子，或稳定核再捕获其他吸附原子，或者与入射气相原子相结合使它进一步长大成为小岛。者与入射气相原子相结合使它进一步长大成为小岛。垄眩焕罩御寸樊牌夯犯坞习孺确愚指条浊矽患磨肮怔吉警
11、腥驶赞惯烙蹄朔薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论 在薄膜沉积过程的最初阶段，首先要有新相的核心形成。在薄膜沉积过程的最初阶段，首先要有新相的核心形成。新相的形核过程可以被分为两种类型：新相的形核过程可以被分为两种类型：自发形核与非自发形核自发形核与非自发形核。所谓所谓自发形核自发形核，指的是整个形核过程完全是在相变自由能的推动，指的是整个形核过程完全是在相变自由能的推动下进行的，而下进行的，而非自发形核非自发形核则指的是除了有相变自由能作推动力外，则指的是除了有相变自由能作推动力外，还有其他的因素起着帮助新相核心生成的作用。还有其他的因素起着帮
12、助新相核心生成的作用。 在薄膜与衬底之间浸润性较差的情况下，薄膜的形核过程可以在薄膜与衬底之间浸润性较差的情况下，薄膜的形核过程可以近似地被认为是一个自发形核的过程。借助图近似地被认为是一个自发形核的过程。借助图5.35.3，可以考虑一下，可以考虑一下从过饱和气相中凝结出一个球形的新相核心的过程。从过饱和气相中凝结出一个球形的新相核心的过程。当形成一个新相核心时，体自由能变化为：当形成一个新相核心时，体自由能变化为：是单位体积的固相在凝结过程中的相变自由能之差。是单位体积的固相在凝结过程中的相变自由能之差。志潭找哩良加戒隐填瑚谅彼缸茁帐篆涝掌永捷胰蓖铂疏疾扼试遮焊奥纽洱薄膜的生长过程和薄膜结构
13、薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论荐尽喊推期妇措雨列赎膳着匡霞态禁痛幂洋凉颁啥通轿鸵壳隐趋怔热舅怂薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论没有新相的核心可以形成，或者已经形成的新没有新相的核心可以形成，或者已经形成的新相核心不再长大。相核心不再长大。（51）上式还可以写成：上式还可以写成：（52）是是气相的过饱和度。气相的过饱和度。它就是新相形核的驱动力。它就是新相形核的驱动力。在新相核心形成的同时，还伴随有新的固气界面的形成，它导在新相核心形成的同时，还伴随有新的固气界面的形成，它导致相应表面能的增加，其数值为致相应表面能
14、的增加，其数值为獭腕援啤刺拳衰抄柠泄弛赚议畏歹鄙陈茶米借由胁膀睬殃永僻施百碍纠映薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论 综合考虑上面两种能量之后，我们得到形成一个核心时，系综合考虑上面两种能量之后，我们得到形成一个核心时，系统的自由能变化为：统的自由能变化为：将上式将上式r r求微分，求出使得自由能变化取得极值的条件为：求微分，求出使得自由能变化取得极值的条件为：称为称为临界核心半径临界核心半径。（53）（54） 将将5 54 4代入代入5 53 3后，可以求出后，可以求出形成临界核心时系统的自由能形成临界核心时系统的自由能变化变化。帘怖捉声搔哭须
15、待堂览扳尧它汪瞥吭刨勿墟列碟绦恕欢盲立杂峰讥伞氰咳薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论 即气相的过饱和度越大，临界核心的自由能变化也越小。即气相的过饱和度越大，临界核心的自由能变化也越小。图图5.45.4中画出了在两种气相过饱和度时，形核自由能变化随新相核中画出了在两种气相过饱和度时，形核自由能变化随新相核心半径的变化曲线。可以看出：心半径的变化曲线。可以看出： 实际上就相当于形核过程的实际上就相当于形核过程的能垒。在气相的过饱和度较大时，所需克服的形核能垒也较低。能垒。在气相的过饱和度较大时，所需克服的形核能垒也较低。热激活过程提供的能量起伏将
16、使某些原子团具备了热激活过程提供的能量起伏将使某些原子团具备了 大小的自大小的自由能涨落，从而导致了新相核心的形成。由能涨落，从而导致了新相核心的形成。 r rr*r*的新相核心将处于不稳定的状态，的新相核心将处于不稳定的状态，尺寸较小的核心通过尺寸较小的核心通过减小自身的尺寸将可以降低自由能，因此它将倾向于再次消失。减小自身的尺寸将可以降低自由能，因此它将倾向于再次消失。想反，想反，当当r rr*r*时，新相核心将倾向于继续长大，时，新相核心将倾向于继续长大，因为核心的生因为核心的生长将使自由能下降。气相的过饱和度越大，则临界核心的半径长将使自由能下降。气相的过饱和度越大，则临界核心的半径越
17、小。越小。祟闯惫饵挣抚桌坚搜恳文伞坤砰慈彰萍羊冤范姨尝浆望贴溅攫式藩晓唐倚薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论汗酋级罩踩西午始镁瞥往虫日挑海诱北治氖缎琼舅高侗豢榨游汤娥荤摩迹薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论 r rr*r*的薄膜核心处于不稳定的状态，它将不断的形成，也会的薄膜核心处于不稳定的状态，它将不断的形成，也会不断的消失。因此，可以认为在这些不稳定的核心与气相原子不断的消失。因此，可以认为在这些不稳定的核心与气相原子或者衬底表面的吸附原子之间存在着下述的可逆反应：或者衬底表面的吸附原子之间
18、存在着下述的可逆反应：上述自由能变化为：上述自由能变化为： 应用第四章讨论化学平衡时使用过的方法，可以求出核心数应用第四章讨论化学平衡时使用过的方法，可以求出核心数量与吸附原子数量之间的平衡常数量与吸附原子数量之间的平衡常数将上式应用于临界核心，即可求出临界核心的面密度将上式应用于临界核心，即可求出临界核心的面密度（58）（59）逐免奶县急示悔始蛔舶丑颁梢熟汲乃侵蔽丧凉舵筒妨白牢坍俱廓验猖淆滑薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论根据上式，临界核心的面密度根据上式，临界核心的面密度n*n*取决于两个量，即取决于两个量，即n n1 1和和 前者正比于
19、气相原子的沉积通量前者正比于气相原子的沉积通量J J或气相的压力或气相的压力P P，而后者也，而后者也通过通过5 55 5和式和式5 51 1依赖于依赖于p p。因此，。因此，当气相压力或沉积速率上升当气相压力或沉积速率上升时，时， n* n*将会迅速增加。将会迅速增加。温度对温度对n*n*的影响可以从两个方面来考虑。一方面，温度增加会提的影响可以从两个方面来考虑。一方面，温度增加会提高新相的平衡气压，并导致高新相的平衡气压，并导致 增加而形核率减小；另一方增加而形核率减小；另一方面，温度增加时原子的脱附几率增加。在一般情况下，温度上升面，温度增加时原子的脱附几率增加。在一般情况下，温度上升会
20、使得会使得n*n*减少，而降低衬底温度一般可以获得高的薄膜形核率。减少，而降低衬底温度一般可以获得高的薄膜形核率。 要想获得平整、均匀的薄膜沉积，需要提高要想获得平整、均匀的薄膜沉积，需要提高n*n*，即降低，即降低r*r*。一。一种有效的作法是在种有效的作法是在薄膜沉积的形核阶段大幅度地提高气相的过饱薄膜沉积的形核阶段大幅度地提高气相的过饱和度，以形成核心细小、致密连续的薄膜。和度，以形成核心细小、致密连续的薄膜。及惦纤趁蜜玻贾廓缘叉猾民瓤递近踌亥遏罪逐畴骏闽汇痒量着滩撕短剿币薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构新相的自发形核理论新相的自发形核理论当气相过饱和度提高到一定程度以后
21、，临界核心小到了只含有很当气相过饱和度提高到一定程度以后，临界核心小到了只含有很少几个原子。同时，少几个原子。同时， 也会大幅度地降低。此方法可以大大也会大幅度地降低。此方法可以大大提高薄膜的形核率。提高薄膜的形核率。 上述讨论的出发点是气相过饱和度，是从热力学的角度考虑问题。另一种上述讨论的出发点是气相过饱和度，是从热力学的角度考虑问题。另一种考虑问题的方法是考虑问题的方法是从动力学角度去考虑问题从动力学角度去考虑问题。由于在核心长大的过程中，需。由于在核心长大的过程中，需要吸纳扩散来的单个原子，而核心间还在通过合并过程而长大，小核心中的要吸纳扩散来的单个原子，而核心间还在通过合并过程而长大
22、，小核心中的单个原子也会通过气相或通过表面扩散的途径转移到大核心中去。因此，降单个原子也会通过气相或通过表面扩散的途径转移到大核心中去。因此，降低衬底的温度还可以抑制原子和小核心的扩散，冻结形核后的细晶粒组织，低衬底的温度还可以抑制原子和小核心的扩散，冻结形核后的细晶粒组织，抑制晶核的长大过程。它使得沉积后的原子固定在其初始沉积的位置，形成抑制晶核的长大过程。它使得沉积后的原子固定在其初始沉积的位置，形成特有的低温沉积组织。在降低温度的同时，采用离子轰击的方法抑制三维岛特有的低温沉积组织。在降低温度的同时，采用离子轰击的方法抑制三维岛状核心的形成，使细小的核心来不及由扩散实现合并就被后沉积来的
23、原子所状核心的形成，使细小的核心来不及由扩散实现合并就被后沉积来的原子所覆盖，以此形成晶粒细小、表面平整的薄膜。覆盖，以此形成晶粒细小、表面平整的薄膜。墓喂垦搐苟晌蜕句比锨砰叙烬镐绦妮务亩担祭衅抽蔚赂运瘤售足脉郧寂藉薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论 在大多数相变过程中，形核的过程都是非自发的。新相的核在大多数相变过程中，形核的过程都是非自发的。新相的核心将首先出现在那些能量比较有利的位置上。心将首先出现在那些能量比较有利的位置上。1 1、非自发形核的过程的热力学、非自发形核的过程的热力学 假设在形核过程中，衬底表面的原子可以进行充分的扩散
24、，假设在形核过程中，衬底表面的原子可以进行充分的扩散，即其扩散的距离远大于原子的间距即其扩散的距离远大于原子的间距a a。考虑图考虑图5.55.5中一个原子团中一个原子团在衬底上形成初期的自由能变化。在衬底上形成初期的自由能变化。与自发形核相仿，在形成这样一个原子团时的自由能变化为：与自发形核相仿，在形成这样一个原子团时的自由能变化为：对于图对于图5.55.5中的冠状核心来说中的冠状核心来说（5 51010）实体撇史惦奥淀偶莫款寐呆耳蜀兹帽纶狞苫胺刑爸甩郑归箩翘删搭期蓬横薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论牡幼喜悉单萨禽您恳萨仇收论嫁度紫每铡
25、献咯捧责谊脱嚼峻屡锗爬幢噎渝薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论 根据图根据图5.55.5中表面能之间的平衡条件，中表面能之间的平衡条件，核心形状的稳定性要求核心形状的稳定性要求各界面能之间满足关系式各界面能之间满足关系式 即即取决于各界面之间的数量关系。取决于各界面之间的数量关系。薄膜与衬底的浸润性越薄膜与衬底的浸润性越差，则差，则的数值越大。的数值越大。由式由式5 51111也可以说明薄膜的不同生长模式。也可以说明薄膜的不同生长模式。当当00，即，即（5 51111）（5 51212）时，时，薄膜生长采取岛状生长的模式薄膜生长采取岛状生长
26、的模式。而当。而当0 0，也即，也即（5 51313）开始成立时，开始成立时，生长模式将转化为层状生长模式。生长模式将转化为层状生长模式。此外，在层状此外，在层状岛状生长模式时，暴露在外的只有薄膜自身的表面，即此时只岛状生长模式时，暴露在外的只有薄膜自身的表面，即此时只博粮绦俄敌砍疹酸屿碱猖搏扛滤碌钙氨详较蓄对漾租弯嗜户啸失本宜变进薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论 涉及到薄膜自身的表面能项。因此，为解释这种特殊的薄膜涉及到薄膜自身的表面能项。因此，为解释这种特殊的薄膜生长模式，需要考虑另外一些能量项对系统总能量的贡献。由式生长模式，需要考
27、虑另外一些能量项对系统总能量的贡献。由式5 51010可求出可求出形核自由能取得极值的条件为形核自由能取得极值的条件为：（5 51414）应用式应用式5 51111后，上式仍等于式后，上式仍等于式5 54 4，即，即 因而，因而，虽然非自发形核过程的核心形状与自发形核时有所不同，虽然非自发形核过程的核心形状与自发形核时有所不同，但二者所对应的临界核心半径相同。但二者所对应的临界核心半径相同。将上式代入将上式代入5 51010得到相应过程的得到相应过程的临界自由能变化临界自由能变化为：为： 箕疯滨脚滋恃东催逆膝辕躯你危陕鲜个省泣淑蝉晨慨增烦战约碍赖估悼诬薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄
28、膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论（5 51515） 非自发临界形核过程中自由能变化随非自发临界形核过程中自由能变化随r r变化趋势也如图变化趋势也如图5.45.4所示。所示。非自发形核过程的临界自由能变化还可以写成两部分之积的形式非自发形核过程的临界自由能变化还可以写成两部分之积的形式（5 51616）式中，式中，第一项正是自发形核过程的临界自由能变化（式第一项正是自发形核过程的临界自由能变化（式5 55 5），），而后一项则为非自发形核相对于自发形核过程能量势垒降低的因而后一项则为非自发形核相对于自发形核过程能量势垒降低的因子。子。接触角接触角越小，即衬底与薄膜的浸润性越好，则
29、非自发形核越小，即衬底与薄膜的浸润性越好，则非自发形核的能垒降低得越多，非自发形核的倾向也越大。在层状模式时，的能垒降低得越多，非自发形核的倾向也越大。在层状模式时，形核势垒高度等于零。形核势垒高度等于零。痰挤卢丛播注补泼橡焉老坯砸抢汤如端缺燕篓撑贵件伯审偶镁复伺进砰绣薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论2 2、薄膜的形核率、薄膜的形核率 形核率是在单位面积上，单位时间内形成的临界核心数目。形核率是在单位面积上，单位时间内形成的临界核心数目。为推导出薄膜的形核率，首先分析在气相沉积过程中形核的开始阶为推导出薄膜的形核率，首先分析在气相沉积过程
30、中形核的开始阶段所发生的物理过程。新相形成所需要的原子可能来自：段所发生的物理过程。新相形成所需要的原子可能来自：（1)1)气相原子的直接沉积；（气相原子的直接沉积；（2)2)衬底表面吸附原子沿表面的扩散。衬底表面吸附原子沿表面的扩散。形核所需的原子主要来自扩散来的表面吸附原子。形核所需的原子主要来自扩散来的表面吸附原子。表面吸附原子在表面吸附原子在衬底表面停留的平均时间衬底表面停留的平均时间取决于脱附的激活能取决于脱附的激活能E Ed d（5 51717） 在单位时间内，单位表面上由临界尺寸的原子团长大的核心在单位时间内，单位表面上由临界尺寸的原子团长大的核心数目就是形核率，它应该正比于三个
31、因子的乘积，即数目就是形核率，它应该正比于三个因子的乘积，即（5 51818）炼亿善努跨饯恨撒率损锌猴骨檬揭瓶菩俩堤姆厩枣直证仙篓昌垣证痉渊像薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论为每个临界核心接受沿衬底表面扩散来的吸附原子的表面积；为每个临界核心接受沿衬底表面扩散来的吸附原子的表面积；为衬底上临界核心的面密度；为衬底上临界核心的面密度；为在单位时间内，向上述表面扩散来的吸附原子的通量。为在单位时间内，向上述表面扩散来的吸附原子的通量。 每个临界核心接受扩散原子的外表面积如图每个临界核心接受扩散原子的外表面积如图5 55 5所示，它等所示，它等
32、于围绕冠状核心一周的表面积。于围绕冠状核心一周的表面积。（5 51919）式中，式中，a a0 0相当于原子直径。相当于原子直径。 最后，最后，迁移来的吸附原子通量应等于吸附原子密度迁移来的吸附原子通量应等于吸附原子密度na和原子扩和原子扩散的发生几率散的发生几率 两者的乘积两者的乘积；衬底上原子密度等于；衬底上原子密度等于 （5 52020）发络秆晓仗门姥咬滤术蔡贺抢穿垂胶去批坛泻释第糜怂都纤吏襄误遏酷俞薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论即沉积气相撞击衬底表面的原子通量与其停留时间的乘积。这样即沉积气相撞击衬底表面的原子通量与其停留时间的
33、乘积。这样（5 52121）因此，得到因此，得到（5 52222）因此，薄膜最初的形核率与临界形核自由能变化因此，薄膜最初的形核率与临界形核自由能变化 密切相关，密切相关， 的降低将显著提高形核率。的降低将显著提高形核率。而高的脱附能而高的脱附能E Ed d，低的扩散激，低的扩散激活能活能E Es s都有利于气相原子在衬底表面的停留和运动，因而会提高都有利于气相原子在衬底表面的停留和运动，因而会提高形核率。形核率。档文嘱竟善棺睫触舌皂麦焰鬼奉傍饮翘霉尉煤沼校傻阔檄逛唯父荆蛋逃光薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论3 3、衬底温度和沉积速度对形
34、核过程的影响、衬底温度和沉积速度对形核过程的影响 薄膜沉积速率薄膜沉积速率R R与衬底温度与衬底温度T T是影响薄膜沉积过程和薄膜组织的是影响薄膜沉积过程和薄膜组织的最重要的两个因素。仅对在自发形核的情况下，这两个因素对临界最重要的两个因素。仅对在自发形核的情况下，这两个因素对临界核心半径核心半径r*r*和临界自由能变化的影响说明它们对整个形核过程及其和临界自由能变化的影响说明它们对整个形核过程及其薄膜组织的影响。薄膜组织的影响。薄膜沉积速率对薄膜组织的影响。薄膜沉积速率对薄膜组织的影响。固相从气相凝结出来的相变驱动固相从气相凝结出来的相变驱动力为：力为：（5-23)5-23)在在的前提下，利
35、用式的前提下，利用式5 54 4和和5 52323，可以得出，可以得出（5-24)5-24)诚声兼序但辫搔键崩些器喳喘哄寓拙宪扁煞钩霍媚桓亭遁于踏奖青巡茅宅薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论由式由式5 55 5和和5 52323也可求出也可求出（5-25)5-25) 因此，因此，随着薄膜沉积速率随着薄膜沉积速率R R的提高，薄膜临界核心半径与临界的提高，薄膜临界核心半径与临界形核自由能随之降低。形核自由能随之降低。因而，高的沉积速率将会导致高的高的形因而，高的沉积速率将会导致高的高的形核速率和细密的薄膜组织。核速率和细密的薄膜组织。另外，考
36、虑衬底温度对薄膜形核过程的影响。另外，考虑衬底温度对薄膜形核过程的影响。由式由式5 54 4和和5 55 5的的物理意义可知，薄膜的临界核心半径物理意义可知，薄膜的临界核心半径r*r*和临界形核自由能变化两和临界形核自由能变化两者均随薄膜制备条件下新相相变过冷度的增加而减小。因而，随者均随薄膜制备条件下新相相变过冷度的增加而减小。因而，随着温度的增加，着温度的增加，r*r*和和 两者都会减小，即两者都会减小，即（5-26)5-26)（5-27)5-27)淬帧臂巾蹿羞劣署康坪蹬辱捡贷郡坛彰贺绘霸姬莫惯挺剥泻培揍吵吮拿捆薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自
37、发形核理论随着温度上升和相变过冷度减小，薄膜临界核心半径增大，新相随着温度上升和相变过冷度减小，薄膜临界核心半径增大，新相的形成将变得较为困难。的形成将变得较为困难。 以上四个不等式所给出的结果与实验观察到的沉积速度和温以上四个不等式所给出的结果与实验观察到的沉积速度和温度对薄膜沉积中形核过程影响的实验规律相吻合。度对薄膜沉积中形核过程影响的实验规律相吻合。温度越高，温度越高，则需则需要形成的临界核心的尺寸越大，形核的临界自由能势垒也越高。这要形成的临界核心的尺寸越大，形核的临界自由能势垒也越高。这与高温时沉积的薄膜首先形成粗大的岛状组织相吻合。与高温时沉积的薄膜首先形成粗大的岛状组织相吻合。
38、低温时，低温时，临临界形核自由能下降，形成的核心数目增加，这将有利于形成晶粒细界形核自由能下降，形成的核心数目增加，这将有利于形成晶粒细小而连续的薄膜组织。同样，沉积速率增加将导致临界核心尺寸减小而连续的薄膜组织。同样，沉积速率增加将导致临界核心尺寸减小，临界形核自由能降低，在某种程度上这相当于降低了沉积温度，小，临界形核自由能降低，在某种程度上这相当于降低了沉积温度，将使得薄膜组织的晶粒发生细化。将使得薄膜组织的晶粒发生细化。于苔骇妻浮枝有泡处智顾驶恳末别冰适岗这哮廉惨跳炎圣蔡馈惺质舒仆嚷薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的非自发形核理论薄膜的非自发形核理论 因此，要想得到
39、粗大甚因此，要想得到粗大甚至是单晶结构的薄膜，一个必至是单晶结构的薄膜，一个必要的条件是需要适当地提高沉要的条件是需要适当地提高沉积的温度，并降低沉积速率。积的温度，并降低沉积速率。低温、高速的沉积往往导致多低温、高速的沉积往往导致多晶态甚至是非晶态的薄膜组织。晶态甚至是非晶态的薄膜组织。症郎击糖海砖凯扑索例现呸乳市挨菌陪柒那荤巨纺卞差业厕槽瞧苗幸撼慷薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构连续薄膜的形成连续薄膜的形成1 1、奥斯瓦尔德（、奥斯瓦尔德（OstwardOstward）吞并过程）吞并过程 设想在形核过程中已经形成了各种不同大小的核心。随着时设想在形核过程中已经形成了各种不同
40、大小的核心。随着时间的推移，较大的核心将依靠吞并较小的核心而长大。这一过程的间的推移，较大的核心将依靠吞并较小的核心而长大。这一过程的驱动力来自于岛状结构的薄膜力图降低自身表面自由能的趋势。驱动力来自于岛状结构的薄膜力图降低自身表面自由能的趋势。 图图5.7a5.7a是吞并过程的示意图，设在衬底表面存在着两个不同是吞并过程的示意图，设在衬底表面存在着两个不同大小的岛状核心，它们之间并不直接接触。可得每增加一个原子带大小的岛状核心，它们之间并不直接接触。可得每增加一个原子带来的表面能的增加为来的表面能的增加为（5-28)5-28)每个原子的自由能每个原子的自由能（5-29)5-29)则得到吉布斯
41、辛普森关系则得到吉布斯辛普森关系（5-30)5-30)幕最讹壕篙御差常括蝉睡沸狗隅肪婆极穆赣争银默泛吩摘诬美澳聪萨找掉薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构连续薄膜的形成连续薄膜的形成肺疑邻叹芹牟搜脏遏枢咋轻嚏右茵经串沸亲有感样拨毁舔硅摸窄颖外统骆薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构连续薄膜的形成连续薄膜的形成 这一公式表明，较小的核心中的原子将具有较高的活度，因这一公式表明，较小的核心中的原子将具有较高的活度，因而其平衡蒸气压也较高。因此，当而其平衡蒸气压也较高。因此，当两个尺寸大小不同的核心互为近两个尺寸大小不同的核心互为近邻时，尺寸较小的核心中的原子有自蒸发的倾向，
42、而较大的核心则邻时，尺寸较小的核心中的原子有自蒸发的倾向，而较大的核心则会因其平衡蒸气压较低而吸纳蒸发来的原子。结果是较大的核心吸会因其平衡蒸气压较低而吸纳蒸发来的原子。结果是较大的核心吸收原子而长大，而较小的核心则失去原子而消失。吞并的结果使薄收原子而长大，而较小的核心则失去原子而消失。吞并的结果使薄膜大多由尺寸较为相近的岛状核心组成。膜大多由尺寸较为相近的岛状核心组成。2 2、熔结过程、熔结过程 图图5.7b5.7b所示，所示，熔结是两个相互接触的核心相互吞并的过程。熔结是两个相互接触的核心相互吞并的过程。在熔结机制中，表面能的降低趋势仍是整个过程的驱动力。在熔结机制中，表面能的降低趋势仍
43、是整个过程的驱动力。盛七乞蘸舌涩刊婶田身走遇蛋戈氰茂胡獭杜骸浑芭咨翱戴猩谱蝴摧牌石鼠薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构连续薄膜的形成连续薄膜的形成浩灿记匙爱蒙篙绍禄旋蓉森甫热殉稀鲍蔬租痪限温南愿农甘课滇矽焦限晚薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构连续薄膜的形成连续薄膜的形成3 3、原子团的迁移、原子团的迁移 在薄膜生长初期，岛的相互合并还涉及了第三种机制，在薄膜生长初期，岛的相互合并还涉及了第三种机制，即岛的即岛的迁移过程。迁移过程。原子团的迁移是由热激活过程所驱使的，其激活能原子团的迁移是由热激活过程所驱使的，其激活能E Ec c应应与原子团的半径有关。原子团越小，
44、激活能越低，原子团的迁移也与原子团的半径有关。原子团越小，激活能越低，原子团的迁移也越容易。原子团的运动将导致原子团间相互发生碰撞和合并，如图越容易。原子团的运动将导致原子团间相互发生碰撞和合并，如图5.7c5.7c所示。所示。 在上述三种机制的作用下，原子团相互发生合并过程，并逐在上述三种机制的作用下，原子团相互发生合并过程，并逐渐形成了连续的薄膜。渐形成了连续的薄膜。就揩贮涉跋氟鸦茹得予卓戎座应愧漠怔驻挫恢镣留槐椅稼瓷吸眩杨迭藏烬薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构1 1、薄膜的四种典型组织形态薄膜的四种典型组织形态 原子的沉积过程可
45、细分为三个过程，即气相原子的沉积，表面原子的沉积过程可细分为三个过程，即气相原子的沉积，表面的扩散以及薄膜内的扩散。由于这些过程均受到相应过程的激活的扩散以及薄膜内的扩散。由于这些过程均受到相应过程的激活能控制，因此薄膜结构的形成将与沉积时的衬底相对温度能控制，因此薄膜结构的形成将与沉积时的衬底相对温度Ts/Tm以以及沉积原子自身的能量密切相关。这里，及沉积原子自身的能量密切相关。这里，Ts为衬底的温度，而为衬底的温度，而Tm为沉积物质的熔点。下面我们以溅射方法制备薄膜为例，讨论沉为沉积物质的熔点。下面我们以溅射方法制备薄膜为例，讨论沉积条件对于薄膜微观组织的影响。积条件对于薄膜微观组织的影响
46、。 如图如图5.9a所示，溅射方法制备的薄膜组织可依沉积条件不同而所示，溅射方法制备的薄膜组织可依沉积条件不同而呈现四种不同的组织形态。实验表明，除了呈现四种不同的组织形态。实验表明，除了衬底温度因素以外，衬底温度因素以外，溅射气压对薄膜结构也有着显著的影响。溅射气压对薄膜结构也有着显著的影响。图图5.9b综合了衬底相对温综合了衬底相对温度和溅射气压对薄膜微观组织形态的影响。度和溅射气压对薄膜微观组织形态的影响。抓绑恢壤尘夹藻红登碗渊菌贷芳私民邓愿饵风瓣咎世传瓶堰言初帅卫烤书薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构颧桩酣斜洗岁蜡亚央环晶达哼未
47、俏波挺光郑你毒拿茄羌锗综烩霸职易假墙薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构 在温度很低、气体压力较高的情况下，入射粒子的能量很在温度很低、气体压力较高的情况下，入射粒子的能量很低。在这种情况下形成的薄膜具有低。在这种情况下形成的薄膜具有形态形态1 1型的微观组织型的微观组织。组织特征组织特征为：为：沉积组织呈现一种数十纳米直径的细纤维状的组织形态；纤维沉积组织呈现一种数十纳米直径的细纤维状的组织形态；纤维间的结构明显疏松，存在着许多纳米尺寸的孔洞。此种薄膜的强度间的结构明显疏松，存在着许多纳米尺寸的孔洞。此种薄膜的强度很低。随着薄膜厚度的增
48、加，细纤维状组织进一步发展为锥状形态，很低。随着薄膜厚度的增加，细纤维状组织进一步发展为锥状形态，其间夹杂有尺寸更大的孔洞，而薄膜表面则呈现出与之相应的拱形其间夹杂有尺寸更大的孔洞，而薄膜表面则呈现出与之相应的拱形形貌。形貌。 形态形态T T型的薄膜组织型的薄膜组织是介于形态是介于形态1 1和形态和形态2 2之间的过渡型组织。之间的过渡型组织。组织特征为：组织特征为：虽然薄膜组织仍然保持了细纤维状的特征，纤维内部虽然薄膜组织仍然保持了细纤维状的特征，纤维内部缺陷密度较高，但纤维边界明显地较为致密，纤维间的孔洞以及拱缺陷密度较高，但纤维边界明显地较为致密，纤维间的孔洞以及拱形的表面形貌特征消失。
49、同时，薄膜的强度较形态形的表面形貌特征消失。同时，薄膜的强度较形态1 1时显著提高。时显著提高。第绷原岭贺长畦圭澄货们肖贬挽而空檀过梅眷共酷赛撞宅妙解绣小欢枯衫薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构 Ts/Tm0.30.5温度区间的温度区间的形态形态2型的组织型的组织是原子表面扩散进行的较为充是原子表面扩散进行的较为充分时形成的薄膜组织。此时，原子在薄膜内部的体扩散虽不充分，但原子的分时形成的薄膜组织。此时，原子在薄膜内部的体扩散虽不充分，但原子的表面扩散能力已经很高，已可进行相当距离的扩散。在这种情况下，形成的表面扩散能力已经很高，已可进
50、行相当距离的扩散。在这种情况下，形成的组织为各个晶粒分别外延而形成的均匀的柱状晶组织，柱状晶的直径随沉积组织为各个晶粒分别外延而形成的均匀的柱状晶组织，柱状晶的直径随沉积温度的增加而增加。晶体内部缺陷密度较低，晶粒边界的致密性较好，这使温度的增加而增加。晶体内部缺陷密度较低，晶粒边界的致密性较好，这使得薄膜具有较高的强度。同时，各晶粒的表面开始呈现出晶体学平面所特有得薄膜具有较高的强度。同时，各晶粒的表面开始呈现出晶体学平面所特有的形貌。的形貌。 衬底温度的继续升高（衬底温度的继续升高（ Ts/Tm0.5)Ts/Tm0.5)使得原子的体扩散开始发挥重要作使得原子的体扩散开始发挥重要作用。此时，
51、在沉积进行的同时，薄膜那日将发生再结晶的过程，晶粒开始长用。此时，在沉积进行的同时，薄膜那日将发生再结晶的过程，晶粒开始长大，直至超过薄膜的厚度。薄膜的组织变为经过充分再结晶的粗大的等轴晶大，直至超过薄膜的厚度。薄膜的组织变为经过充分再结晶的粗大的等轴晶组织，晶粒内部缺陷很低，这即是组织，晶粒内部缺陷很低，这即是形态形态3 3型的薄膜组织。型的薄膜组织。费悸鸥获赐式矮困嗽窑林梗肯锻债雷匹锚瘦枢衍恬把题嵌棚腺盂患证踌渣薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构 在形态在形态1 1和形态和形态T T型低温薄膜沉积组织的形成过程中，原子的型低温薄膜沉
52、积组织的形成过程中，原子的扩散能力不足，因而这两类生长又称为扩散能力不足，因而这两类生长又称为低温抑制型生长低温抑制型生长。与此对应，。与此对应，形态形态2 2和形态和形态3 3型的生长称为型的生长称为高温热激活型生长高温热激活型生长。2 2、低温抑制型薄膜生长、低温抑制型薄膜生长 由上面讨论可知，在衬底温度较低的情况下，不同沉积方法由上面讨论可知，在衬底温度较低的情况下，不同沉积方法制备的薄膜均呈现一种制备的薄膜均呈现一种纤维状的组织。这实际上是在沉积过程中，纤维状的组织。这实际上是在沉积过程中，原子扩散能力有限、大量晶核竞争生长的结果。原子扩散能力有限、大量晶核竞争生长的结果。 纤维状组织
53、的一个纤维状组织的一个特点是纤维的生长方向与粒子的入射方向特点是纤维的生长方向与粒子的入射方向近似地满足下述正切夹角关系近似地满足下述正切夹角关系博忘瓤昆硬讽夷绑贤鱼茸轩厄忻塑扦嚏续捂彻形重括析花冠缘就混戌磨靖薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构钱传迁触寇蝇傻脓初迟魁聪靠甥岳烷粹坠总匠殖讣礁学荤授株亿壁谈廉郸薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构 由图可以看出，纤维状生长方向与衬底法向的夹角要小于粒子入射方向由图可以看出，纤维状生长方向与衬底法向的夹角要小于粒子入射方向与衬底法向的夹角
54、。倾斜入射的角度增加时，纤维的截面逐渐变为椭圆状。与衬底法向的夹角。倾斜入射的角度增加时，纤维的截面逐渐变为椭圆状。上述实验规律表明，上述实验规律表明，纤维状生长与薄膜沉积时原子入射的方向性有关。纤维状生长与薄膜沉积时原子入射的方向性有关。 应用计算机可以模拟出在薄膜沉积过程中，纤维组织的形成过程。假应用计算机可以模拟出在薄膜沉积过程中，纤维组织的形成过程。假设衬底处于一定温度下，而按顺序蒸发出的原子以一定的入射角设衬底处于一定温度下，而按顺序蒸发出的原子以一定的入射角无规的入无规的入射到衬底上，则可得如图射到衬底上，则可得如图5.115.11所示的模拟结果。所示的模拟结果。 由以上讨论可知，
55、低温抑制型薄膜沉积过程的特点由以上讨论可知，低温抑制型薄膜沉积过程的特点就在于原子的表面就在于原子的表面扩散能力较低，其沉积的位置就是其入射到薄膜表面时的位置。此时，入射扩散能力较低，其沉积的位置就是其入射到薄膜表面时的位置。此时，入射原子的能量较低，决定薄膜组织的唯一因素就是原子的入射方向。原子的能量较低，决定薄膜组织的唯一因素就是原子的入射方向。这种条件这种条件下形成的薄膜充满了缺陷和孔洞，而且表面也很粗糙，造成薄膜表面粗糙的下形成的薄膜充满了缺陷和孔洞，而且表面也很粗糙，造成薄膜表面粗糙的原因有以下两个：原因有以下两个：蝇傍垢成契瘸物董米睡谁欣雅姑炸晤帛看滚眩实宝哆殉霖务慢胯监仇颁孟薄膜
56、的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构惦第龙又瓦盟崇钒钮月减晶陷又玄苞陀月哦蜗顺挫螟收明畸檄犯璃央怖捂薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构（1 1）薄膜沉积过程的统计性涨落）薄膜沉积过程的统计性涨落 如图如图5.12所示的一维简化模型所示：由于入射原子到达衬底表面的几率是随所示的一维简化模型所示：由于入射原子到达衬底表面的几率是随机的，当原子没有扩散能力，其最终的沉积位置随机分布于薄膜表面的情况下，机的，当原子没有扩散能力，其最终的沉积位置随机分布于薄膜表面的情况下，薄膜厚度的均方差将由下
57、式决定：薄膜厚度的均方差将由下式决定： 薄膜的粗糙度将随着薄膜厚度的增加而增加。沉积过程的统计性涨落与原子薄膜的粗糙度将随着薄膜厚度的增加而增加。沉积过程的统计性涨落与原子扩散二者对于薄膜粗糙度的影响作用恰好相反：扩散二者对于薄膜粗糙度的影响作用恰好相反：前者增加薄膜的粗糙度，而后前者增加薄膜的粗糙度，而后者的作用是减小薄膜的粗糙度。者的作用是减小薄膜的粗糙度。捎陶杨删簧诗握邱拙蝉苔顿距蕴葵谅僚耳釜袜稽拭搂皿谬绣厚必楷腐员钥薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构（2）薄膜沉积的阴影效应）薄膜沉积的阴影效应 薄膜的粗糙度首先来源于沉积过程的统
58、计涨落。而当薄膜的厚薄膜的粗糙度首先来源于沉积过程的统计涨落。而当薄膜的厚度与其表面的粗糙度达到一定水平以后，另外一个因素开始产生度与其表面的粗糙度达到一定水平以后，另外一个因素开始产生影响。这一因素就是薄膜自身造成的阴影效应。它不仅是导致薄影响。这一因素就是薄膜自身造成的阴影效应。它不仅是导致薄膜表面粗糙化的另一个主要原因，也是造成形态膜表面粗糙化的另一个主要原因，也是造成形态1型薄膜纤维状组型薄膜纤维状组织中含有大量孔洞的根本原因。织中含有大量孔洞的根本原因。 图图5.13a示意画出了薄膜沉积过程中导致产生阴影效应的一个原示意画出了薄膜沉积过程中导致产生阴影效应的一个原因：因：垂直入射原子
59、对衬底表面的遮盖。垂直入射原子对衬底表面的遮盖。图图5.13b画出了薄膜沉积时画出了薄膜沉积时的另一种阴影效应：的另一种阴影效应：倾斜入射原子不能有效的填充纤维状组织中倾斜入射原子不能有效的填充纤维状组织中的孔洞。的孔洞。图图5.13c：入射粒子的凝聚系数较低，可抵消阴影效应不入射粒子的凝聚系数较低，可抵消阴影效应不利影响。利影响。捉逝扣审瞧儒侩祷筏秩躲池局迁幼为怖井扩皿进雕菇坟左竹感都龚憋敝注薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构尚甩俐要譬扯品茎君贷撒釉定钥厕验肢稿犬二柴棘砾烃妄娄垄垮拳永吃滨薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结
60、构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构 衬底的形状也会影响纤维状薄膜组织形态。衬底的形状也会影响纤维状薄膜组织形态。如图如图5.14所示，在溅所示，在溅射沉积薄膜的情况下，深孔内外的不同部位，沉积组织也将有所不射沉积薄膜的情况下，深孔内外的不同部位，沉积组织也将有所不同。在孔外及孔壁上，组织可为疏松的形态同。在孔外及孔壁上，组织可为疏松的形态1型的纤维状组织。在型的纤维状组织。在孔的底部，组织为较为致密的形态孔的底部，组织为较为致密的形态T型的组织。型的组织。嚎禾佰炼蝎澡乳档诀权烽鉴滔聪猴孕衅要使转品孤窜答斑织拯涛袄脱涅贮薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄
61、膜结构薄膜生长过程与薄膜结构 对大多数的用途来讲，希望薄膜能够平整、致密，且希望薄膜对大多数的用途来讲，希望薄膜能够平整、致密，且希望薄膜沉积温度不要过高。这时，沉积温度不要过高。这时，可以采取提高入射粒子能量的方法可以采取提高入射粒子能量的方法，使薄膜从较为疏松的形态使薄膜从较为疏松的形态1型而当组织变为孔洞较少的形态型而当组织变为孔洞较少的形态T型组型组织。如图织。如图5.13d所示。所示。 图图5.15是不同能量粒子入射的情况下，沉积的薄膜组织的二维是不同能量粒子入射的情况下，沉积的薄膜组织的二维模拟结果。可知，模拟结果。可知，高能粒子的沉积方法具有抑制高能粒子的沉积方法具有抑制1型组织
62、，促进型组织，促进T型组织发育的作用。型组织发育的作用。 由以上纤维生长模型可知，沉积后的薄膜密度一般总要低于理由以上纤维生长模型可知，沉积后的薄膜密度一般总要低于理论密度。这是因为，在薄膜中不可避免地会存在孔洞。实验表明，论密度。这是因为，在薄膜中不可避免地会存在孔洞。实验表明，薄膜的密度变化遵循以下规律：薄膜的密度变化遵循以下规律：遇烁犀捞窖漫偏亏愧佯矫遏跺艺榔蚌哄朴斥慌亨御宅忆特殆跨狄碗肠癸产薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构迷填岂唁褪寝枚芝爷秧花叛洽霞鹊瞪萨聊郡厄闻根肺毖靴俯椎是俺褂苍囱薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄
63、膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构（1 1）随着薄膜厚度的增加，薄膜的密度逐渐增加并且区域一个极）随着薄膜厚度的增加，薄膜的密度逐渐增加并且区域一个极限值。并且，这一极值一般仍要低于理论密度。限值。并且，这一极值一般仍要低于理论密度。（2 2）金属薄膜的相对密度一般要高于陶瓷等化合物材料。）金属薄膜的相对密度一般要高于陶瓷等化合物材料。（3 3）薄膜材料中含有大量的空位和孔洞。）薄膜材料中含有大量的空位和孔洞。3 3、高温热激活型薄膜生长、高温热激活型薄膜生长 当沉积温度较高，原子的扩散得以进行得比较充分时，扩散在当沉积温度较高，原子的扩散得以进行得比较充分时，扩散在影响薄膜结
64、构与形貌方面也将发挥越来越重要的作用。影响薄膜结构与形貌方面也将发挥越来越重要的作用。原子扩散将原子扩散将消除孔洞的存在，使得薄膜组织转变为柱状晶形态。消除孔洞的存在，使得薄膜组织转变为柱状晶形态。图图5.17是二维是二维模拟得出的模拟得出的30。角倾斜入射沉积时，薄膜组织随沉积温度的变化情角倾斜入射沉积时，薄膜组织随沉积温度的变化情况。结果显示，随着衬底温度的上升，薄膜中的孔洞迅速减少。况。结果显示，随着衬底温度的上升，薄膜中的孔洞迅速减少。划闭献身坐掺迂姜只抡唉僚氦境羡洗烩桑孪透科储蛾派爷齐吃姆梯绘杆澳薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜
65、结构否炔站晌糯囤智竿镍捷病村非柬服冰垮丫读糜抹刽眶痪李辜疵急汪仔邦徽薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构 如图如图5.18所示，在断面上，高温沉积的薄膜组织多呈现出柱状所示，在断面上，高温沉积的薄膜组织多呈现出柱状晶的形貌。除衬底表面附近的一层细晶粒的形核层以外，晶的形貌。除衬底表面附近的一层细晶粒的形核层以外，沿薄膜沿薄膜厚度方向上柱状晶的直径逐渐增加，最后达到一个稳定值。厚度方向上柱状晶的直径逐渐增加，最后达到一个稳定值。 不仅薄膜的内部组织会随着沉积温度发生变化，而且其表面形不仅薄膜的内部组织会随着沉积温度发生变化，而且其表面形貌也
66、会随之产生变化，即貌也会随之产生变化，即从低温的拱形表面形貌变化为由晶体学从低温的拱形表面形貌变化为由晶体学平面构成的多晶形貌平面构成的多晶形貌。 在更高温度下，薄膜内部也会发生晶粒边界移动的过程，即薄在更高温度下，薄膜内部也会发生晶粒边界移动的过程，即薄膜内发生了再结晶。这时，膜内发生了再结晶。这时，晶粒尺寸增加到与薄膜的厚度相仿，晶粒尺寸增加到与薄膜的厚度相仿，薄膜的组织变为相态薄膜的组织变为相态3型的等轴晶组织。型的等轴晶组织。抖苟契及岭蝶畏郊逮棵午癣肋腔禁裴厢摊师鸵魔芽孤老赔馈流先慷婿迹形薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构薄膜生长过程与薄膜结构核锭牟
67、搔候意孕膝酣娃埔后蛹紊癸肝姑碴防卓擦握勃孽灵史话真芳范链腥薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构非非 晶晶 薄薄 膜膜 相对于体材料来讲，在制备薄膜材料时，比较容易获得非晶相对于体材料来讲，在制备薄膜材料时，比较容易获得非晶态的结构。这时因为，薄膜制备方法可以比较容易地造成非晶态态的结构。这时因为，薄膜制备方法可以比较容易地造成非晶态形成所需的外界条件，形成所需的外界条件，即较高的过冷度和低的原子扩散能力。即较高的过冷度和低的原子扩散能力。 除了制备条件外，材料形成非晶的能量还取决于除了制备条件外，材料形成非晶的能量还取决于薄膜的化学薄膜的化学成分。成分。一般金属薄膜不容易形成非晶态
68、的结构。合金或化合物形一般金属薄膜不容易形成非晶态的结构。合金或化合物形成非晶态结构的倾向明显高于纯组元。纯组元之中，成非晶态结构的倾向明显高于纯组元。纯组元之中，Si、Ge、C、S等非金属元素形成非晶态结构的倾向较大。等非金属元素形成非晶态结构的倾向较大。 非晶态材料的薄膜生长也可以采取纤维状的生长模式。非晶态材料的薄膜生长也可以采取纤维状的生长模式。图图5.19是非晶态是非晶态Ge薄膜中各层次的纤维状形貌的示意图和组织照片。薄膜中各层次的纤维状形貌的示意图和组织照片。菲殖裕弄障您批穴亢米诣骑四忱奶勤汉躲索拯打杆凌支倪刀屡瓷勋挠沾峭薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构非非 晶晶
69、薄薄 膜膜誓劣痢姻雌谴吴嘘悟资伏辅辆囚惰责目俞数潦早刁其窒闷轮嘎光堵抄傈瘟薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构非非 晶晶 薄薄 膜膜 作为非晶薄膜的一个例子，我作为非晶薄膜的一个例子，我们来看们来看30Au70Co合金薄膜合金薄膜的结构及其在不同温度处理时的的结构及其在不同温度处理时的变化。变化。苗耸协店涝粕牙匿僵黎剂缺吵慕泳傍诅款庇寺哼多享绎涯峡掐碑笛举阮荧薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构非非 晶晶 薄薄 膜膜 对上述对上述结构变化相对应的是薄膜的电阻率随温度的变化情况，结构变化相对应的是薄膜的电阻率随温度的变化情况，如图如图5.21所示结果。非晶态薄膜的电阻率较
70、高，这时因为原子排所示结果。非晶态薄膜的电阻率较高，这时因为原子排列的无序状态对电子的运动构成了比较强烈的散射。列的无序状态对电子的运动构成了比较强烈的散射。袍隶这隧捆密幅抗结滦拟尽胃搜订褪违蛋宽盈她匝钠詹旦壶九穷菏烩氨删薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄薄 膜膜 织织 构构 单晶体在不同的晶体学方向上，其力学、电磁、光学、耐腐蚀、磁学甚单晶体在不同的晶体学方向上，其力学、电磁、光学、耐腐蚀、磁学甚至核物理等方面的性能会表现出显著差异，这种现象称为至核物理等方面的性能会表现出显著差异，这种现象称为各向异性各向异性。多晶体是。多晶体是许多单晶体的集合，如果晶粒数目大且各晶粒的排列
71、是完全无规则的统计均匀许多单晶体的集合，如果晶粒数目大且各晶粒的排列是完全无规则的统计均匀分布，即在不同方向上取向几率相同，则这多晶集合体在不同方向上就会宏观分布，即在不同方向上取向几率相同，则这多晶集合体在不同方向上就会宏观地表现出各种性能相同的现象，这叫地表现出各种性能相同的现象，这叫各向同性各向同性。 然而多晶体在其形成过程中，由于受到外界的力、热、电、磁等各种不然而多晶体在其形成过程中，由于受到外界的力、热、电、磁等各种不同条件的影响，或在形成后受到不同的加工工艺的影响，多晶集合体中的各晶同条件的影响，或在形成后受到不同的加工工艺的影响，多晶集合体中的各晶粒就会沿着某些方向排列，呈现出
72、或多或少的统计不均匀分布，即出现在某些粒就会沿着某些方向排列，呈现出或多或少的统计不均匀分布，即出现在某些方向上聚集排列，因而在这些方向上取向几率增大的现象，这种现象叫做方向上聚集排列，因而在这些方向上取向几率增大的现象，这种现象叫做择优择优取向取向。这种组织结构及规则聚集排列状态类似于天然纤维或织物的结构和纹理，。这种组织结构及规则聚集排列状态类似于天然纤维或织物的结构和纹理，故称之为故称之为织构织构。织构测定在材料研究中有重要作用。织构测定在材料研究中有重要作用。 讥耶洗佑辖幸橡寐恍卡秧材驴赠某缎举柑澎盔稿掸痞比狰肯姓眯治送践柏薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构 织构定义织构
73、定义 单晶体在不同的晶体学方向上，其力学、电磁、光学、耐腐单晶体在不同的晶体学方向上，其力学、电磁、光学、耐腐蚀、磁学甚至核物理等方面的性能会表现出显著差异，这种现象称为蚀、磁学甚至核物理等方面的性能会表现出显著差异，这种现象称为各向异各向异性性。多晶体是许多单晶体的集合，如果晶粒数目大且各晶粒的排列是完全无。多晶体是许多单晶体的集合，如果晶粒数目大且各晶粒的排列是完全无规则的统计均匀分布，即在不同方向上取向几率相同，则这多晶集合体在不规则的统计均匀分布，即在不同方向上取向几率相同，则这多晶集合体在不同方向上就会宏观地表现出各种性能相同的现象，这叫同方向上就会宏观地表现出各种性能相同的现象，这
74、叫各向同性各向同性。 然而多晶体在其形成过程中，由于受到外界的力、热、电、磁等各种不然而多晶体在其形成过程中，由于受到外界的力、热、电、磁等各种不同条件的影响，或在形成后受到不同的加工工艺的影响，多晶集合体中的各同条件的影响，或在形成后受到不同的加工工艺的影响，多晶集合体中的各晶粒就会沿着某些方向排列，呈现出或多或少的统计不均匀分布，即出现在晶粒就会沿着某些方向排列，呈现出或多或少的统计不均匀分布，即出现在某些方向上聚集排列，因而在这些方向上取向几率增大的现象，这种现象叫某些方向上聚集排列，因而在这些方向上取向几率增大的现象，这种现象叫做做择优取向择优取向。这种组织结构及规则聚集排列状态类似于
75、天然纤维或织物的结。这种组织结构及规则聚集排列状态类似于天然纤维或织物的结构和纹理，故称之为织构。织构测定在材料研究中有重要作用。构和纹理，故称之为织构。织构测定在材料研究中有重要作用。 薄薄 膜膜 织织 构构辗盖尝霍狗敖芯惟墙恩彰颊猫圣察尸碴谱另杏懈抬讳哥高湿藤兆辙闸痉咽薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄薄 膜膜 织织 构构 晶态薄膜经常具有一定的织构倾向。而在很多情况下，也希晶态薄膜经常具有一定的织构倾向。而在很多情况下，也希望薄膜具有某种特定三维织构，以提高薄膜所具有的特性。望薄膜具有某种特定三维织构，以提高薄膜所具有的特性。 由两种方法可以获得具有织构的薄膜。由两种方法
76、可以获得具有织构的薄膜。一是利用薄膜的外延技术；一是利用薄膜的外延技术；二是利用晶体生长速度的各项异性。二是利用晶体生长速度的各项异性。讨论利用晶体在不同晶体学方讨论利用晶体在不同晶体学方向上生长速度存在差异的特性获得薄膜织构的原理和方法。向上生长速度存在差异的特性获得薄膜织构的原理和方法。 晶体的表面能在各个方向上是不一样的，即它是一种各向异性的晶体的表面能在各个方向上是不一样的，即它是一种各向异性的性质。在薄膜沉积的过程中，它导致薄膜沉积速度随晶体学方向不性质。在薄膜沉积的过程中，它导致薄膜沉积速度随晶体学方向不同而不同。为了说明这一现象，我们分析一下图同而不同。为了说明这一现象，我们分析
77、一下图5.22所示的晶体原所示的晶体原子排布模型。子排布模型。 图图5.22所示的二维简单正方对称的一个晶体，其点阵常数所示的二维简单正方对称的一个晶体，其点阵常数a0b0。AB、BC、CD分别是三个晶体学平面。分别是三个晶体学平面。瞒圆诅戳瓦坚榴珠绪蔚技谷妻赫掩急殃署躯贤巳仅遂卒巷疼鬃嘲讼攘耪沫薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄薄 膜膜 织织 构构 由图可看出，在晶面由图可看出，在晶面AB上，原子的密度最大，而晶面上，原子的密度最大，而晶面BC上上原子密度最小。原子密排面之间的间距较大，而非密排面之间原子密度最小。原子密排面之间的间距较大，而非密排面之间的间距较小。的间距较小
78、。稻繁嗓严此要省衅幌白羞屉粹盲傣晒淘愿芋熙歹韭伺邀思讽丈衔扰铲齐康薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄薄 膜膜 织织 构构 原子密度小的非密排面是表面能最高的晶面，而密排面则具有较原子密度小的非密排面是表面能最高的晶面，而密排面则具有较低的表面能。这导致薄膜在沉积过程中，原子最容易被表面能较高低的表面能。这导致薄膜在沉积过程中，原子最容易被表面能较高的表面吸引，凝聚到像的表面吸引，凝聚到像BC这样的非密排面上。因而，在非密排晶这样的非密排面上。因而，在非密排晶面上，薄膜的沉积速度最高，而在其它晶面上，薄膜的沉积速度较面上，薄膜的沉积速度最高，而在其它晶面上，薄膜的沉积速度较低。低
79、。 影响晶体表面能的因素还包括原子间键合的类型和方向性、表面影响晶体表面能的因素还包括原子间键合的类型和方向性、表面异类原子或化学基团的吸附、化合物中不同种类原子间的键合倾向异类原子或化学基团的吸附、化合物中不同种类原子间的键合倾向等。等。 图图5.23是在是在CVD方法沉积金刚石薄膜时，金刚石晶粒的形貌随方法沉积金刚石薄膜时，金刚石晶粒的形貌随的变化规律，图中箭头表示了不同的变化规律，图中箭头表示了不同情况下，金刚石相生长速度最情况下，金刚石相生长速度最快的晶体学方向。快的晶体学方向。汹揩痴那酞迈涣村已卷添己紊上蓄娇寞浓揍荧想仇煮饭嚎常勒摸猾捷裕囚薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜
80、结构薄薄 膜膜 织织 构构 实验表明，金刚石的生长参数实验表明，金刚石的生长参数取决于沉积温度、取决于沉积温度、CH4的浓的浓度、杂质的吸附等各种条件。随着沉积条件的不同，金刚石各度、杂质的吸附等各种条件。随着沉积条件的不同，金刚石各个晶体学的表面能在发生变化，因此各方向的生长速度也会随个晶体学的表面能在发生变化，因此各方向的生长速度也会随之改变。图之改变。图5.24是实验中总结出来的沉积温度与是实验中总结出来的沉积温度与CH4浓度对浓度对值值的影响规律。的影响规律。委慨肖彤筛兵臀剪鼓赶途愈视象痉风赋踌磨炼蛆堪闹红刑涝溪瞪喝煤桂闻薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄薄 膜膜 织织
81、 构构布桃啃砍正屿藻哩糊出演知厕浓票足丁捶焰兰炒软噶囊着肮悟迫桔面志设薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄薄 膜膜 织织 构构 借助图借助图5.22可以理解，当两个晶面的夹角大于可以理解，当两个晶面的夹角大于90时，生长速度较快的晶时，生长速度较快的晶面会随着时间的延长而逐渐减小，而生长速度较慢的晶面则会不断长大。面会随着时间的延长而逐渐减小，而生长速度较慢的晶面则会不断长大。 借助图借助图5.22也可以理解，在薄膜沉积的情况下，当晶粒中生长速度最快也可以理解，在薄膜沉积的情况下，当晶粒中生长速度最快的晶向与衬底表面垂直时，这一晶粒将会在与其它晶粒竞争生长的过程占有的晶向与衬底表
82、面垂直时，这一晶粒将会在与其它晶粒竞争生长的过程占有优势。而整个薄膜也会由于这些取向的晶粒的优先生长而形成相应的取向织优势。而整个薄膜也会由于这些取向的晶粒的优先生长而形成相应的取向织构。因此，薄膜织构的形成过程就是各种取向的晶粒竞争生长的过程，生长构。因此，薄膜织构的形成过程就是各种取向的晶粒竞争生长的过程，生长速度较低的晶粒将会被其它的晶粒所掩盖，而生长速度最快的晶体学方向会速度较低的晶粒将会被其它的晶粒所掩盖，而生长速度最快的晶体学方向会成为薄膜的织构方向。这种由竞争性生长逐渐形成的薄膜织构与衬底的取向成为薄膜的织构方向。这种由竞争性生长逐渐形成的薄膜织构与衬底的取向无关。在这种织构中，
83、各晶粒只是在薄膜法线这一方向上取向一致。因此它无关。在这种织构中，各晶粒只是在薄膜法线这一方向上取向一致。因此它又称为纤维状织构。显然，又称为纤维状织构。显然，若可以利用改变生长条件的方法改变不同晶向的若可以利用改变生长条件的方法改变不同晶向的相对生长速度，就可以有目的的选择所需要的薄膜织构。相对生长速度，就可以有目的的选择所需要的薄膜织构。爱肾瘸挂请衍碑糟耽朝跺准箩远亨介丘笑藤噪段它摈坎涕蛆雇呛犊馒弧忽薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄薄 膜膜 织织 构构娄辈金籽醇纵病挥笺奈衬奴河悠迭冒归狞页殷悉养明赴摈韶拈楔涅侦重拉薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延
84、生长薄膜的外延生长 在实际的单晶薄膜生长方法中，除了适当提高衬底温度、降低沉积速在实际的单晶薄膜生长方法中，除了适当提高衬底温度、降低沉积速率之外，还要采用高度完整的单晶表面作为薄膜非自发形核时的衬底。这种率之外，还要采用高度完整的单晶表面作为薄膜非自发形核时的衬底。这种在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜的方法被称为在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜的方法被称为外延生长外延生长。单晶的外延。单晶的外延可被分为两类，即同质外延和异质外延。同质外延衬底与被沉积的薄膜同属可被分为两类，即同质外延和异质外延。同质外延衬底与被沉积的薄膜同属于一种材料；异质外延则是衬底材料与被沉积材料属于不同的材料。于一
85、种材料；异质外延则是衬底材料与被沉积材料属于不同的材料。1、点阵失配与外延缺陷、点阵失配与外延缺陷 薄膜的外延生长要求薄膜与衬底材料之间实现点阵的连续过渡。由图薄膜的外延生长要求薄膜与衬底材料之间实现点阵的连续过渡。由图5.26a所示，由于所示，由于同质外延同质外延只涉及到一种材料，其点阵类型和晶格常数没有只涉及到一种材料，其点阵类型和晶格常数没有变化，因而在薄膜沉积的界面上一般不会因其晶格应变。变化，因而在薄膜沉积的界面上一般不会因其晶格应变。蓄潞媒湿臆衰炮煽间蕉锦仕稚馒害猿摄缔蛮舒阂万抽碰假梅共硝二姬彦央薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长 对对异质
86、外延异质外延，薄膜与衬底属于不同的材料，其点阵常数不肯完全相等，薄膜与衬底属于不同的材料，其点阵常数不肯完全相等，这时，薄膜与衬底之间点阵常数的不匹配可能会导致两种情况：这时，薄膜与衬底之间点阵常数的不匹配可能会导致两种情况：（1 1）在薄膜与衬底的点阵常数差别不大时，外延的界面将类似于同质外延）在薄膜与衬底的点阵常数差别不大时，外延的界面将类似于同质外延界面，即界面同侧原子的配位关系将于衬底中完全对应。但由于界面两侧材界面，即界面同侧原子的配位关系将于衬底中完全对应。但由于界面两侧材料点阵材料点阵常数的差别，界面两侧的晶体点阵常数将出现应变。料点阵材料点阵常数的差别，界面两侧的晶体点阵常数将
87、出现应变。（2 2）当薄膜与衬底点阵常数间差别较大时，单靠引入点阵应变已不能完成）当薄膜与衬底点阵常数间差别较大时，单靠引入点阵应变已不能完成点阵间的连续过渡。这时，在界面上将出现平行于界面的刃位错。衬底与薄点阵间的连续过渡。这时，在界面上将出现平行于界面的刃位错。衬底与薄膜点阵常数的相对差别被称为点阵常数的失配度，其定义为：膜点阵常数的相对差别被称为点阵常数的失配度，其定义为：滔鲤谬颐操诸峨坎釉蛇凄炙远猛少友所底锯量瞳份耕湍拳方幢弗批崭门退薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长趟档呻谐唇运媒国毛严镭姥酞鼻伪衙垮甄蜒皖箭缝鸿品厅文鸥鲍臂迷吻六薄膜的生长过程
88、和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长 在有些情况下，人们还有意识地利用不同材料之间点阵常数在有些情况下，人们还有意识地利用不同材料之间点阵常数的失配度，在界面上形成应变匹配外延。的失配度，在界面上形成应变匹配外延。略宠鞠迭竣渡磊蝴烹穗浪熏祟檀氨馋聘姐遂业殃孜迟躺居胞誊蘑铁苍削沾薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长 外延时薄膜与衬底之间存在着一定的取向关系。为了表达这外延时薄膜与衬底之间存在着一定的取向关系。为了表达这种取向关系，需要同时确定外延界面的晶体学面指数关系，以及种取向关系，需要同时确定外延界面的晶体学面指数关系，以及界
89、面内一个晶体学方向指数关系。界面内一个晶体学方向指数关系。止爷涸哄瘴蛰戮暴椿盐丢辐涂揍涂柳央祈驮额杭倍梭破渣料程别铲历圃鬃薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长 从图从图5.295.29可以看出，可以看出，只要界面两侧的一部分原只要界面两侧的一部分原子获得了匹配，而且其失子获得了匹配，而且其失陪度较小，就可能获得较陪度较小，就可能获得较好的薄膜外延。好的薄膜外延。雹羞味局储阁颤柜巫虚御衙弯坞荡轰既粪蝉梳闰咖贡烯陶伏偷酞肥预轮瘤薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长 与非外延薄膜生长的层状、岛状模式相仿，与非外延薄膜生长
90、的层状、岛状模式相仿，外延薄膜的生长外延薄膜的生长方式可分为方式可分为5.30所示的台阶流动生长与二维形核式生长两种模式。所示的台阶流动生长与二维形核式生长两种模式。产生这两种不同的生长模式的主要原因是原子在薄膜表面具有不产生这两种不同的生长模式的主要原因是原子在薄膜表面具有不同的扩散能力。同的扩散能力。涡戚险像宅叮畦底者痴盎专台密鬃弗撂兼黔集瘟辟测徘祭挫皿酝奈浙舶铱薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长图图5.31是是CVD法制备的金刚石同质外延薄膜原子力显微像。法制备的金刚石同质外延薄膜原子力显微像。元签僚阻绝线鼓阿浓歼那圃起斧坟弛娩他乘主窘猎扯弓瞒饵
91、殉邢钮刨厄乳薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长 薄膜外延生长薄膜外延生长的条件较为苛刻。不的条件较为苛刻。不仅点阵失配会引发缺仅点阵失配会引发缺陷，其它众多因素，陷，其它众多因素，如杂质、衬底表面的如杂质、衬底表面的氧化或吸附层、衬底氧化或吸附层、衬底中的晶界、位错等显中的晶界、位错等显微缺陷、温度、压力、微缺陷、温度、压力、沉积速度及各个沉积沉积速度及各个沉积参数的波动等都会诱参数的波动等都会诱发缺陷的产生。发缺陷的产生。巡芬甩冤雌汲症吕权苫阔位猿隶悦挝锑条便虑专沂于叛瞥专箍藉丽认沈剁薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜
92、的外延生长2 2、薄膜外延技术、薄膜外延技术 根据以上有关薄膜外延生长条件的简单讨论我们知道，薄膜根据以上有关薄膜外延生长条件的简单讨论我们知道，薄膜外延主要需要高质量的衬底以及高温、低速沉积两方面的条件。目外延主要需要高质量的衬底以及高温、低速沉积两方面的条件。目前使用较多的薄膜外延技术可被分为前使用较多的薄膜外延技术可被分为液相外延、气相外延、分子束液相外延、气相外延、分子束外延等三种外延等三种。 液相外延液相外延是使衬底与含被沉积组分的过饱和液相相接触，从而获是使衬底与含被沉积组分的过饱和液相相接触，从而获得薄膜外延生长的一种方法。得薄膜外延生长的一种方法。气相外延气相外延所采用的方法是
93、各种所采用的方法是各种CVD方方法。利用这中方法可以生长出质量很好的外延材料。法。利用这中方法可以生长出质量很好的外延材料。分子束外延分子束外延可可以被认为是物理气相沉积的一种改进形式。以被认为是物理气相沉积的一种改进形式。娠募贾祸啥焕嚎考述娩苦鼓近铆雏檄垣笑捶贰鸳痢薄陋睦袖克钧乾至朝燕薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的外延生长薄膜的外延生长炉喇目渡掏锌垢娇媚如郸屯宛摸获早归鹏强浅镀镑嗓汤陷唁浓牌历窟巡凋薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力 薄膜与衬底经常属于完全不同的材料，之间的结合为物理附薄膜与衬底经常属于
94、完全不同的材料，之间的结合为物理附着或是化学键合。因此，薄膜中普遍存在着或是化学键合。因此，薄膜中普遍存在应力及薄膜材料与衬底之应力及薄膜材料与衬底之间的附着力间的附着力。1 1、薄膜中应力的测量、薄膜中应力的测量 广义上讲，薄膜应力指的是存在于薄膜任意断面上，由断面一广义上讲，薄膜应力指的是存在于薄膜任意断面上，由断面一侧作用于断面另一侧的单位面积上的力。这种应力的分布往往是不侧作用于断面另一侧的单位面积上的力。这种应力的分布往往是不均匀的，但在一般情况下，均匀的，但在一般情况下，薄膜应力多是指垂直于薄膜表面的断面薄膜应力多是指垂直于薄膜表面的断面上的应力平均值。上的应力平均值。 在一般情况
95、下，即是没有任何外力作用的情况下，薄膜中也总在一般情况下，即是没有任何外力作用的情况下，薄膜中也总存在着应力。因而，这种薄膜应力又被称为内应力或残余应力。薄存在着应力。因而，这种薄膜应力又被称为内应力或残余应力。薄膜应力经常称为薄膜应用的限制性环节。膜应力经常称为薄膜应用的限制性环节。糙悯鹿悟酿屠恭噬象姆据租机挞报宽捆搀妓雕葬腑窝惦红惟恰萌如妊喷讶薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力 薄膜应力存在的直接结果是在薄膜中要产生应变，因而可以薄膜应力存在的直接结果是在薄膜中要产生应变，因而可以用多种方法进行测量，最为直观的则是有测量薄膜
96、的曲率变化计算用多种方法进行测量，最为直观的则是有测量薄膜的曲率变化计算薄膜中应力的方法，即应用定量描述薄膜应力与形变间关系的斯通薄膜中应力的方法，即应用定量描述薄膜应力与形变间关系的斯通尼（尼（Stoney)Stoney)方程。图方程。图5.385.38是薄膜中应力的作用效果图。图是薄膜中应力的作用效果图。图5.395.39中中给出了在拉应力和压应力两种情况下，应力造成薄膜从衬底表面脱给出了在拉应力和压应力两种情况下，应力造成薄膜从衬底表面脱落的情况。落的情况。痞程耸捅锨擎表唁串份安腐巩密征军巩街展陕赃窄渺举瘁陪孜遗银拐蜘跪薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的
97、附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力 下面，借助图下面，借助图5.385.38研究研究薄膜衬底系统中应力与应薄膜衬底系统中应力与应变间关系。以下标变间关系。以下标f f、s s分别分别标示相应的物理量。综合整标示相应的物理量。综合整个系统应满足合力个系统应满足合力F F和合力矩和合力矩M M为零的平衡条件。为零的平衡条件。井艳帆否祷碰挚丸讼稀脏范诵丢剿窄缘庞挚凄署勉巢该悟圣闲羔舟轴支泥薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力假设应力在薄膜和衬底的截面上分别是均匀分布的基础上，可得：假设应力在薄膜和衬底的截面上分别是均匀分布的基础上，可得：
98、 将材料各自的杨氏模量将材料各自的杨氏模量E E和泊松比和泊松比代入后，得到薄膜应变和代入后，得到薄膜应变和衬底应变之间关系：衬底应变之间关系：当当，则有，则有 即薄膜中的应变和应力远大于衬底中的应变和应力。因即薄膜中的应变和应力远大于衬底中的应变和应力。因此，与厚度很小的薄膜中的应变相比，衬底的应变很小。此，与厚度很小的薄膜中的应变相比，衬底的应变很小。为了求出力矩平衡条件，可设定坐标原点的位置为衬底中心处，为了求出力矩平衡条件，可设定坐标原点的位置为衬底中心处，这时，薄膜中应力造成的绕这时，薄膜中应力造成的绕y y轴的力矩为：轴的力矩为：（542）（543）酒租铣下元涧吠敌浑酵象厩最屏爵套
99、筋距吠钦簿掂动南绿刊庭油弊亡伤祝薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力为了求出衬底内的力矩，则需要考虑衬底内应力的具体分布形式。为了求出衬底内的力矩，则需要考虑衬底内应力的具体分布形式。因此，衬底中造成的力矩为因此，衬底中造成的力矩为结合式结合式544和和546之后得到薄膜中的应力为之后得到薄膜中的应力为（544）（545）（546）（547）式中式中r r为薄膜与衬底弯曲后的曲率半径。负号表明，在曲率半径为薄膜与衬底弯曲后的曲率半径。负号表明，在曲率半径r r为正，即薄膜表为正，即薄膜表面向上凸出时，薄膜中的应力为压应力；否则，薄
100、膜中的应力为拉应力。测得薄面向上凸出时，薄膜中的应力为压应力；否则，薄膜中的应力为拉应力。测得薄膜弯曲的曲率半径膜弯曲的曲率半径r r，即可根据材料特性和薄膜厚度计算薄膜中存在的应力。，即可根据材料特性和薄膜厚度计算薄膜中存在的应力。胯吐刺碱戈客吾吼晶阴恼一阵少歪折缉慌喇俊嫡怔嗜堂锦胖仟蓬运炼雁骋薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力 薄膜的曲率可以用光学的方法很方便地予以测量。如图薄膜的曲率可以用光学的方法很方便地予以测量。如图5.405.40所示，用监视沉积过程中薄膜对激光束的反射角变化的方法，可所示，用监视沉积过程中薄膜对激光
101、束的反射角变化的方法，可以实现对薄膜应力或者厚度的动态监测。以实现对薄膜应力或者厚度的动态监测。议哆框蓝蓑矽弱尚逗活德钡铺名摊渡氯丑害痔镁鱼截浮养舱梁肯跳躇克挠薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力2 2、热应力和生长应力、热应力和生长应力 薄膜中应力通常可根据薄膜应力产生的根源，将薄膜应力薄膜中应力通常可根据薄膜应力产生的根源，将薄膜应力视为两类应力之和视为两类应力之和（548） 即由于薄膜与衬底之间热膨胀系数差别而引起的热应力即由于薄膜与衬底之间热膨胀系数差别而引起的热应力th，以，以及由于薄膜生长过程的非平衡性或薄膜特有的微观
102、结构所导致的本及由于薄膜生长过程的非平衡性或薄膜特有的微观结构所导致的本征应力征应力in。本征应力又常被称为生长应力，因为它与薄膜的制备方。本征应力又常被称为生长应力，因为它与薄膜的制备方法及工艺过程密切相关，且随薄膜和衬底材料的不同而不同。法及工艺过程密切相关，且随薄膜和衬底材料的不同而不同。（1)1)薄膜中的热应力薄膜中的热应力 薄膜中的热应力指的是在变温的情况下，由于受约束的薄膜薄膜中的热应力指的是在变温的情况下，由于受约束的薄膜的热胀冷缩效应而引起的薄膜内应力。的热胀冷缩效应而引起的薄膜内应力。丝鲁戌躬碱筋美育何店弛俺辟读郑常辛阿储法厅黑哉芭鲍缩兼篓胶洞囚祷薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜
103、的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力 在忽略衬底应变的基础上，可以求出这种温度变化和薄膜、在忽略衬底应变的基础上，可以求出这种温度变化和薄膜、衬底热膨胀系数差别引起的薄膜应变为：衬底热膨胀系数差别引起的薄膜应变为：在衬底厚度显著大于薄膜厚度时，薄膜内的热应力等于在衬底厚度显著大于薄膜厚度时，薄膜内的热应力等于（549）（550）（2)2)薄膜内的生长应力薄膜内的生长应力 薄膜的本征应力指的是由于薄膜结构的非平衡性所导致的薄膜薄膜的本征应力指的是由于薄膜结构的非平衡性所导致的薄膜内应力。生长应力的产生与大小与薄膜的具体沉积过程有关。按其内应力。生长应力的产生与
104、大小与薄膜的具体沉积过程有关。按其作用机理，薄膜本征应力的影响因素可被归纳为以下三个方面：作用机理，薄膜本征应力的影响因素可被归纳为以下三个方面：A A 化学成分方面的原因化学成分方面的原因涂碍简曳沪倡九煌情获讲抬峪损引庙腰屹鹏脖核雀柿贴纵身腔照塞古发拷薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜的沉积过程往往是非平衡的。在薄膜沉积的同时，薄膜内部薄膜的沉积过程往往是非平衡的。在薄膜沉积的同时，薄膜内部还可能发生某种化学反应过程，并在薄膜中诱发生长应力。具体还可能发生某种化学反应过程，并在薄膜中诱发生长应力。具体地说，在沉积后不断有原
105、子进入薄膜的情况下，薄膜中将产生压地说，在沉积后不断有原子进入薄膜的情况下，薄膜中将产生压应力。在有原子扩散离开薄膜的情况下，薄膜中将产生拉应力。应力。在有原子扩散离开薄膜的情况下，薄膜中将产生拉应力。B B 微观结构方面的原因微观结构方面的原因不同微观组织会导致薄膜中产生薄膜中产生不同的应力。在微观结不同微观组织会导致薄膜中产生薄膜中产生不同的应力。在微观结构影响薄膜本征应力的众多模型中，较有代表性的有以下几种：构影响薄膜本征应力的众多模型中，较有代表性的有以下几种：薄膜结构的回复模型；岛状晶核合并模型；热收缩模型；界面晶格薄膜结构的回复模型；岛状晶核合并模型；热收缩模型；界面晶格失配模型。
106、失配模型。C C 粒子轰击的影响粒子轰击的影响粒子对于薄膜的轰击将通过改变沉积组织而影响薄膜中的应力。粒子对于薄膜的轰击将通过改变沉积组织而影响薄膜中的应力。乒耗泥这太若铺涝哥野距冈本自舌椎步似擦谰网赐衰篆漆肥兜瞩变境嗣菠薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力 图图5.415.41总结了薄膜组织类型、溅射沉积的气体压力、沉积温度等对溅射总结了薄膜组织类型、溅射沉积的气体压力、沉积温度等对溅射薄膜应力的影响示意图。薄膜应力的影响示意图。 随着溅射气压的降低，入射粒子的能力增加，薄膜组织由形态随着溅射气压的降低，入射粒子的能力增加，薄膜
107、组织由形态1 1型向型向2 2型型转变，孔洞减少，因而拉应力上升。沉积温度较低，则表面原子扩散不足，拉转变，孔洞减少，因而拉应力上升。沉积温度较低，则表面原子扩散不足，拉应力不容易得到松弛。气压再降低，轰击表面的粒子能量更高时，应力转变为应力不容易得到松弛。气压再降低，轰击表面的粒子能量更高时，应力转变为压应力。在薄膜上加富偏压将使得轰击表面的粒子能量更高，薄膜压应力效应压应力。在薄膜上加富偏压将使得轰击表面的粒子能量更高，薄膜压应力效应更为显著。更为显著。得押稀抿加廊歧引金胞迷诧鹃韭状赡咬骄镐驹附窜弦郊衙绎姜抛件浴涩荧薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力
108、薄膜中的应力和薄膜的附着力3 3、薄膜界面形态和界面附着力、薄膜界面形态和界面附着力 薄膜附着力指的是薄膜对衬底的黏着能力的大小，即薄膜与衬底在薄膜附着力指的是薄膜对衬底的黏着能力的大小，即薄膜与衬底在化学键合或物理咬合作用下的结合强度。将薄膜从其衬底上脱离所化学键合或物理咬合作用下的结合强度。将薄膜从其衬底上脱离所需要的外力或能量的大小就代表了薄膜与衬底之间附着力的高低。需要的外力或能量的大小就代表了薄膜与衬底之间附着力的高低。 从能量的角度来讲，将对那位面积的薄膜从其衬底上剥离下来所从能量的角度来讲，将对那位面积的薄膜从其衬底上剥离下来所需要做的功即是薄膜附着力的量度，它应该等于薄膜与衬底
109、间的界需要做的功即是薄膜附着力的量度，它应该等于薄膜与衬底间的界面能减去薄膜剥离后生成的薄膜与衬底的表面能，即：面能减去薄膜剥离后生成的薄膜与衬底的表面能，即：因此，薄膜、衬底的表面能越高，薄膜因此，薄膜、衬底的表面能越高，薄膜- -衬底间的界面能越低，则衬底间的界面能越低，则薄膜的附着力也就越高。在一般情况下，物质间界面的附着力将薄膜的附着力也就越高。在一般情况下，物质间界面的附着力将按下列顺序增加：按下列顺序增加：豫畔勒乌猛筒辽鳖璃嫩届标蔫岸新莹愧嚏纂蛹雀津铰厄诈浦裙潍伴周乓协薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力（1)1)具有
110、不同化学键类型、相容性较低的两种物质，如金属与高聚具有不同化学键类型、相容性较低的两种物质，如金属与高聚物之间形成的界面；物之间形成的界面；（2)2)具有化学相容性的物质，如性质相近的两种金属之间形成的界具有化学相容性的物质，如性质相近的两种金属之间形成的界面；面；（3)3)同一种物质间形成的界面。同一种物质间形成的界面。薄膜与衬底间的界面可分为以下四种类型：薄膜与衬底间的界面可分为以下四种类型：（1)1)平界面平界面 在这类界面上，物质从一种类型突变为另一种类型，在这类界面上，物质从一种类型突变为另一种类型，界面两侧原子之间缺少相互扩散，这表明两类物质原子之间缺少相界面两侧原子之间缺少相互扩
111、散，这表明两类物质原子之间缺少相互吸引作用。互吸引作用。（2)2)形成化合物的界面形成化合物的界面 在界面两侧原子间作用力较强时，界面原在界面两侧原子间作用力较强时，界面原子之间将发生化学并生成化合物。这时，界面上将出现一层适当厚子之间将发生化学并生成化合物。这时，界面上将出现一层适当厚度的化合物过渡层。度的化合物过渡层。兴舅校石哈犀王魂穴吐嘛百尽屁格锯底纱诌灰梳榴嘻烽宵眉羌箭凌稠伦漳薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力（3)3)合金扩散界面合金扩散界面 在界面两侧元素间相互扩散、溶解形成合金在界面两侧元素间相互扩散、溶解形成合金
112、的情况下，界面成分将呈现梯度变化。这种界面一般均具有很好的的情况下，界面成分将呈现梯度变化。这种界面一般均具有很好的附着力。附着力。（4)4)机械咬合界面机械咬合界面 在界面粗糙程度较大，界面元素之间并不发在界面粗糙程度较大，界面元素之间并不发生明显扩散的情况下，界面两侧的物质以其凹凸不平的表面相互咬生明显扩散的情况下，界面两侧的物质以其凹凸不平的表面相互咬合。这时，界面的附着力完全取决于界面的形态和界面应力。界面合。这时，界面的附着力完全取决于界面的形态和界面应力。界面粗糙度较高时，附着力较好。同时，当薄膜中存在一定的压应力时粗糙度较高时，附着力较好。同时，当薄膜中存在一定的压应力时也助于提
113、高薄膜的附着力。也助于提高薄膜的附着力。 图图5.425.42是上述四类界面的示意图是上述四类界面的示意图沁稳碳沿反癌卤帘拳讳峡掳黑痛腋通链会擎掇过咳惯曙届鼻供靖纲丢泡往薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力馒史隅求棕渺榨载嘱姚咐崖遥谬钎簇顾志扒肇腐鳞日及酥弟线汰唇狂嘿圾薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜中的应力和薄膜的附着力薄膜中的应力和薄膜的附着力根据界面形态，薄膜与衬底的附着力根据界面形态，薄膜与衬底的附着力可能涉及以下三种机理可能涉及以下三种机理：（1 1）机械结合）机械结合 由于薄膜本身和基底均是凹凸不平
114、的，因而两者由于薄膜本身和基底均是凹凸不平的，因而两者之间可以形成相互交错咬合。之间可以形成相互交错咬合。（2 2）物理结合）物理结合 薄膜与基底之间会由于范德瓦尔德引力而结合薄膜与基底之间会由于范德瓦尔德引力而结合在一起。这种物理引力起源于原子间的相互吸引，它随着界面两侧在一起。这种物理引力起源于原子间的相互吸引，它随着界面两侧物质间距的增加而迅速降低。物质间距的增加而迅速降低。（3 3）化学键合）化学键合 界面两侧原子间可能形成相互化学键合。化学界面两侧原子间可能形成相互化学键合。化学键的形成对于提高薄膜的附着力具有重要贡献。键的形成对于提高薄膜的附着力具有重要贡献。聂畔弛窃趾学源图叹肌酝凶皖镐皑稼蚁翠邦钵字市休铬篇碟患挨阐魏莉鹏薄膜的生长过程和薄膜结构薄膜的生长过程和薄膜结构
