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1、下篇下篇 工业电子学工业电子学单元单元6 6 半导体二极半导体二极管与直流稳压电源管与直流稳压电源1电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源【知识点】本征半导体、掺杂半导体的导电特性；PN结及其特性；二极管的结构、伏安特性及主要参数；特殊二极管的用途；单相桥式整流电路、滤波电路及稳压电路的组成、工作原理、分析计算方法、元件的选用；集成稳压器的使用。【能力目标】能认识和识别一般的电子设备中的二极管的型号及在电路中的作用；具有对单相桥式整流电容滤波电路进行分析计算和正确选择元器件的能力；熟悉直流稳压电源的使用。2电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源单元单元6 6 半导体二极管与直流
2、稳压电源半导体二极管与直流稳压电源6.1 6.1 半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管 16.2 6.2 直流稳压电源直流稳压电源直流稳压电源直流稳压电源 2小结小结小结小结 33电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源在自然界中，存在着许多不同的物质，有的物质很容易传导电流，称为导体。有的物质几乎不传导电流，称为绝缘体。此外还有一类物质，它的导电能力介于导体与绝缘体之间，称它为半导体。常见的半导体如锗、硅、硒化镓、一些硫化物和氧化物等。半导体除了在导电能力方面与导体和绝缘体不同外，还具有不同于其他物质的特点，例如，半导体受到外界光和热的刺激时或者在纯净的半导体中加入微量的杂
3、质，其导电性能会发生显著变化。其中半导体的电阻率随温度的上升而明显下降，呈负温度系数的特性；半导体的导电能力随温度上升而明显增加；半导体的电阻率随光照的不同而变化；在纯净的半导体掺入少量的杂质，它的导电能力会得到显著的提高。这就是半导体的特点。6.1.1 6.1.1 6.1.1 6.1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识半导体的基本知识半导体的基本知识6.1 6.1 半导体二极管半导体二极管4电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.1.1本征半导体本征半导体是完全纯净的、原子排列整齐的半导体晶体。在T=0和没有外界激发时，没有可以自由运动的带电粒子载流子，这时它相当于绝缘体。例
4、如高纯度半导体材料硅、锗都是单晶体结构。图6.1（a）、（b）所示分别为锗和硅的原子结构示意图。图图6.16.1锗和硅原子结构模型锗和硅原子结构模型（a a）原子结构图；（）原子结构图；（b b）简化模型）简化模型 5电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源在硅、锗制成单晶体后，最外层的4个价电子不仅受自身原子核的束缚，还与其相邻的4个原子核相互吸引，2个相邻原子之间有1对价电子，称为共价键结构，如图6.2所示。半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中的电子被束缚得那么紧，在室温300K时，由于热激发，就会使一些价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子。这种现象称为本征激发。在电子
5、挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下1个空位，这个空位叫做空穴。显然，空穴带有正电荷。当温度越高时，电子空穴就越多；电子空穴的热运动是杂乱无章的，对外不显电性。6电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图图6.26.2锗（硅）原子在晶体中的共价键排列锗（硅）原子在晶体中的共价键排列 7电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入少量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著的改变。因掺入杂质的不同，可分为N型半导体（电子半导体）和P型半导体（空穴半导体）。（1）N型半导体在本征半导体中（如硅、锗中）掺入少量的5价元素杂质，如磷、锑、砷等，磷
6、原子有5个价电子，它的4个价电子与相邻的硅组成共价键后，还多余1个价电子，多余的价电子很容易受激发成为自由电子。掺入的磷元素越多，则自由电子就越多。如图6.3所示。8电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源由于磷原子在硅晶体中给出了1个多余的电子，称磷为施主杂质，或N型杂质。但在产生自由电子的同时并不产生新的空穴，因此在N型半导体中，自由电子数远大于空穴数。这样的一种半导体将以自由电子导电为主，所以自由电子称为多数载流子，而空穴称为少数载流子。图图6.3N6.3N型半导体型半导体 9电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源（2）P型半导体在本征半导体中（如硅、锗中）掺入少量的3价元
7、素杂质，如硼、铟等，硼原子最外层只有3个价电子，它与周围硅原子组成共价键时，因缺少1个价电子，在晶体中就留有1个空穴，空穴数量增多，自由电子则相对很少。如图6.4所示。由于硼原子在硅晶体中能接受电子，故称硼为受主杂质，或P型杂质。在产生空穴的同时并不产生新的自由电子，因此在P型半导体中，空穴数远大于自由电子数。在这种半导体中以空穴导电为主，故空穴为多数载流子，而自由电子为少数载流子。注意不论是N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。10电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图图6 6. .4 4 P P型型半半导导体体 图图6 6. .5 5 P PN N结结的的形形成成 1
8、1电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.2.1PN结的形成当P型半导体和N型半导体接触后，在交界面处由于载流子的扩散运动，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。在P区和N区的接触面上就产生了正、负离子层。N区一侧失去自由电子剩下正离子，P区一侧失去空穴剩下负离子，这个区域称为空间电荷区，即PN结。同时形成一个由N区指向P区的内电场，内电场对扩散运动起阻碍作用，电子和空穴的扩散运动随着内电场的增强而逐渐减弱，最后达到动态的平衡。如图6.5（a）、（b）所示。6.1.2 PN6.1.2 PN6.1.2 PN6.1.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性结及其单向导电性结及其
9、单向导电性12电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.2.2PN结单向导电性PN结在使用时总是加一定的电压,若PN结外加正向电压(P区的电位高于N区的电位),称为正向偏置,简称正偏。如图6.6（a）所示。这时PN结外电场与内电场方向相反，PN结变窄，则P区的多数载流子空穴和N区的多数载流子自由电子在回路中形成较大的正向电流IF，使PN结正向导通。这时PN结呈低电阻状态。若PN结外加反向电压（P区的电位低于N区的电位），称为反向偏置，简称反偏。如图6.6（b）所示。这时外加电场与内电场方向相同，使内电场增强，PN结变厚，多数载流子运动难以进行，而P区的少数载流子自由电子和N区的少数
10、载流子空穴在回路中形成极小的反向电流IR，称PN结反向截止。这时PN结呈高阻状态。13电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源由此可知，PN结正向偏置时，呈导通状态；反向偏置时，呈截止状态。这就是PN结的单向导电性。另外在室温下，少数载流子形成的反向电流虽然很小，但它随温度的上升而明显增加，使用时要特别注意。图图6.6PN6.6PN结的单向导电性结的单向导电性（a a）加正向电压时导通；（）加正向电压时导通；（b b）加反向电压时截止）加反向电压时截止14电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源半导体二极管由一个PN结加上相应的引出端和管壳构成。它有两个电极，P区引出线称二极管的正
11、极（又称阳极），N区引出线称二极管的负极（又称阴极）。常见二极管的外形和符号如图6.7所示。6.1.3 6.1.3 6.1.3 6.1.3 二极管的结构二极管的结构二极管的结构二极管的结构图图6.76.7二极管的内部结构示意图和符号二极管的内部结构示意图和符号15电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源二极管的种类很多，按结构分，常见的有点接触型和面接触型。点接触型二极管的PN结是用一根含杂质元素的金属丝压在半导体晶片上，经特殊工艺、方法处理而成，如图6.8（a）所示。因其结面积小，允许通过的电流小，但结电容小，工作频率高，主要用在高频检波和开关电路。面接触型二极管的PN结是用合金或扩散
12、法做成的，其结构如图6.8（b）所示。由于面接触型二极管的PN结结面积大，PN结电容较大，一般适于较低的频率下工作，允许通过较大电流和具有较大功率容量，主要用于整流电路。按制造材料分，常用的有硅二极管和锗二极管，其中硅二极管的热稳定性比锗二极管好得多。按用途分，常用的有普通二极管、整流二极管、检波二极管、稳压二极管、光电二极管、开关二极管等等。16电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图图6.86.8常见二极管的结构和符号常见二极管的结构和符号（a a）点接触型；（）点接触型；（b b）面接触型；（）面接触型；（c c）符号）符号 17电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源二极
13、管的伏安特性是指通过二极管的电流与其两端的电压之间的关系。如图6.9所示。下面对二极管的伏安特性分三部分来分析。6.1.4 6.1.4 6.1.4 6.1.4 二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性图图6.96.9二极管的伏安特性二极管的伏安特性 18电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.4.1正向特性当二极管两端加正向电压时，便有正向电流通过。但当二极管承受电压很低时，还不足以克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用，因此，这时正向电流IF仍然很小，二极管呈现的电阻较大，称为死区。通常，硅材料二极管的死区电压约为0.5V，锗材料二极管的死区电压为0
14、.2V。当外加电压超过一定电压数值UT时，外电场大大抵消了内电场，二极管的电阻变得很小，正向电流IF随外加电压的增加而显著增大。如图6.9第段所示。当二极管完全导通后，正向压降基本维持不变，称为二极管的正向导通电压或门槛电压，一般硅管为0.7V,锗管为0.3V。19电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.4.2反向特性二极管加反向电压，此时外电场与内电场方向一致，只有少数载流子的漂移运动，形成反向电流IR。如图6.9第段所示。反向电流IR极小，一般硅管为几微安以下，锗管较大，为几十到几百微安。这种特性称为反向截止特性。20电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.4.
15、3反向击穿特性当外加反向电压增大到一定数值时，外加电场过强，可能破坏共价键而把价电子拉出，使少数载流子的数目剧增；强电场也可能引起电子与原子碰撞，产生新的电子空穴对，而引起载流子的数目急剧上升。这都将使反向电流突然剧增，这种现象称二极管反向击穿，击穿时对应的电压称为反向击穿电压UBR。如图6.9第段所示。普通二极管发生反向击穿后，将会因电流过大使管子过热而造成永久性损坏，这种现象叫做热击穿。21电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源最大整流电流IFM：是指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。使用二极管时，管子通过的电流应小于IFM，否则管子容易过热而损坏。反向击穿电压UBR：是
16、指二极管反向击穿时，对应的外加电压称为反向击穿电压。一般手册上给出的最高反向电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。反向电流IR：是指管子未击穿时的反向电流。其值愈小，管子的单向导电性越好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。最高工作频率：是指保持二极管单向导通时，外加电压的最高频率。二极管工作频率与PN结的极间电容大小有关，容量越小，工作频率越高。6.1.5 6.1.5 6.1.5 6.1.5 二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数22电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.6.1光电二极管光电二极管又称光敏二极管
17、，是一种将光信号转换成电信号的特殊二极管。它的反向电流随光照强度的增加而上升，通常在管壳备有一个玻璃窗口以接受光照。其外形和符号如图6.10所示。光电二极管工作在反向偏置状态。当管壳上的玻璃窗口无光照时，反向电流很小，称为暗电流；有光照时反向电流很大，称为亮电流，且光照越强，亮电流越大。如果在外电路接上负载，便可获得随光照强弱而变化的电信号。图6.11是光电二极管的基本应用电路，无光照时，负载RL上无电压；有光照时，亮电流在RL上转换为电压输出，从而实现光电转换。6.1.6 6.1.6 6.1.6 6.1.6 特殊二极管特殊二极管特殊二极管特殊二极管23电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳
18、压电源光电二极管使用时应注意：保证光电二极管的反偏电压不小于5V，否则光电流和光强度不呈线性关系；保持光电二极管的管壳清洁，否则光电灵敏度会下降。图图6.106.10光电二极管的外形及符号光电二极管的外形及符号（a a）外形；（）外形；（b b）符号）符号 图图6.116.11光电二极管的基本应用电路光电二极管的基本应用电路24电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.6.2发光二极管发光二极管是一种将电能转换成光能的元器件，简写成LED（LightEmittingDiode）。通常用元素周期表中、族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等制成。发光二极管和普通二极管相似，也是由一个PN结
19、构成，发光二极管正向导通时，由于空穴和电子的直接复合而放出能量，发出一定波长的可见光，由于光的波长不同，颜色也不相同。常见的发光二极管有红、绿、黄等颜色。图6.12为发光二极管的外形和符号。25电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源发光二极管正向偏置并达到一定电流时就会发光。工作电流在1030mA时，正向压降为23V。通常管脚引线较长的为正极，较短的为负极。当管壳上有凸起的标志时，靠近标志的管脚为正极。图图6.126.12发光二极管的外形及符号发光二极管的外形及符号（a a）外形；（）外形；（b b）符号）符号26电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源使用发光二极管时也要串入限
20、流电阻，避免流过的电流太大。改变电流的大小还可以改变发光的亮度。图6.13（a）是常用的直流驱动电路。限流电阻R可按下式计算：式中UF为LED的正向电压，约为2V；IF为正向工作电流，可从产品手册中查得。用交流电源驱动时，如图6.13（b）所示。此时，在计算限流电阻R时仍用上式，不过上式中的U是交流电压的有效值，二极管D可避免LED承受高的反向电压。(6-1)27电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源发光二极管除可单个使用外，也常做成七段式或矩阵式，工作电流一般为几毫安到几十毫安之间。LED的反向击穿电压一般大于5V，但为使器件长时间稳定而又可靠地工作，安全使用电压选择在5V以下。图图
21、6.13LED6.13LED的驱动电路的驱动电路（a a）直流驱动；（）直流驱动；（b b）交流驱动）交流驱动28电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.1.6.3变容二极管变容二极管是利用PN结的电容效应工作的，即空间电荷区内没有载流子，起着绝缘介质的作用，PN结类似一个平板电容器。它的电容量一般为几十皮法至几百皮法，且随反偏电压（030V）的升高而减小（约15倍）。因此变容二极管是工作在反向偏置状态，其符号如图6.14所示。变容二极管的常见用途是作为调谐电容使用，例如在电视机的频道选择器中，利用它来微调选择电台的频道。图图614614变容二极管的符号变容二极管的符号29电工与电子
22、技术单元6半导体二极管与直流稳压电源整流是指将交流电变为单向脉动的直流电。利用二极管的单向导电性可组成单相、三相等各种形式的整流电路，然后再经过电容的滤波及稳压，便可获得平稳的直流电。单相桥式整流电路如图6.15所示。图中，四个整流二极管D1D4接成桥形，其中一个对角线接变压器的次级，另一个对角线接负载电阻RL，二者不能互换。6.2 6.2 直流稳压电源直流稳压电源6.2.1 6.2.1 6.2.1 6.2.1 单相桥式整流电路单相桥式整流电路单相桥式整流电路单相桥式整流电路30电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图图6.156.15单相桥式整流电路图单相桥式整流电路图（a a）原理
23、电路；（）原理电路；（b b）简化画法图）简化画法图 31电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.2.1.1电路工作原理为正半周时,D1、D3正偏导通，D2、D4反偏截止，电流从上往下流过RL，在RL上得到上正下负的电压。u2为负半周时,极性和图示相反,D2、D4正偏导通，D1、D3反偏截止，电流也是从上往下流过RL，在RL上得到上正下负的电压。上述过程周而复始，在RL上得到如图6.16所示的的完整波形。这是一个脉动直流电压，与全波整流电路输出的波形完全相同。图图6.166.16单相桥式整流电路波形图单相桥式整流电路波形图32电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.2.1.
24、2负载上的直流电压和直流电流的计算由桥式整流电路波形图知：输出直流电压平均值、负载电流平均值、流过每个二极管的电流平均值，分别为：桥式整流电路二极管所承受的最大反向电压,其值为：(6.5)(6.4)(6.3)(6.2)33电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源桥式整流电路在使用中一定要注意二极管的接法,不允许接反。当一个管子接反时，将会出现交流电半个周期内变压器二次侧出现短路的情况，很容易烧坏变压器。桥式整流电路输出电压高，纹波电压较小，结构比较简单。在半导体器件成本日益降低的形势下，桥式整流在实际中得到广泛应用。34电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源整流电路输出的脉动电压
25、是直流分量和许多不同频率的交流谐波分量叠加而成的，这些谐波分量总称为纹波。为了获得较平滑的直流输出，还必须采用滤波电路，把脉动电压中的交流成分滤除。6.2.2.1电容滤波（1）电路工作原理在小功率的整流电路中最常用的是电容滤波电路，它是利用电容两端的电压不能突变的特性，与负载并联，使负载得到较平滑的电压，图6.17就是一个很实用的单相桥式整流电容滤波电路。6.2.2 6.2.2 6.2.2 6.2.2 滤波电路滤波电路滤波电路滤波电路35电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图图6 6. .1 17 7 单单相相桥桥式式整整流流电电容容滤滤波波电电路路原原理理图图 图图6.186.18
26、波形图波形图（a a） 波形；（波形；（b b） 、 波形波形 36电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图6.1837电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源（2）参数计算输出电压的UL：额定情况下：滤波电容容量的确定：式中T为电流交流电压的周期。电容耐压值的确定：由图6-18可知，加在电容上的最大电压为，选定的电容耐压值为的1.52倍。(6.8)(6.7)(6.6)38电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源负载上的平均电流：（6-9）整流管的平均电流：（6-10）整流管承受的最大反向电压：（6-11）39电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.2.2.2电感
27、滤波单向桥式整流电感滤波电路如图6.19（a）所示。电感滤波电路中，电感L与负载RL为串联连接，利用电感中的电流不能突变的特性来实现滤波。其基本工作原理为：图图6.196.19单向桥式整流电感滤波电路及工作波形单向桥式整流电感滤波电路及工作波形(a)(a)整流滤波电路；整流滤波电路；(b)(b)整流滤波电压波形整流滤波电压波形 40电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图6.19（a）41电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源若线圈的电感L 足够大，且忽略电感的电阻，即电感L 两端的电压平均值为零，则电感滤波后的输出电压平均值约为：电感的作用是使整流后电压的交流分量的大部分降在
28、它的上面，而直流分量基本输出给负载RL 。虽然整流输出电压没有提高，但其稳定性能得到了改善。电感滤波主要适用于电容滤波难以胜任的大电流负载或负载经常变化的场合。但电感量较大的电感器体积大、笨重、不便于集成化，故其应用有一定的局限性，在小功率的电子设备中很少采用。（6.12） 42电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.2.2.3复式滤波（1）LC 滤波器在电容C 滤波之前串接一个电感L ，如图6.20（a）所示，即组成LC 滤波器。整流后的脉动直流中的大部分交流分量降在电感L上，再经过电容C 的进一步滤波后，负载RL 上得到更加平滑的直流值。（2）形滤波器在LC滤波器前再并联一个电容
29、器，如图6.20（b）所示，组成形LC 滤波器，滤波效果进一步改善。如果是小电流负载时，可将电感用一个小电阻R 代替，组成形RC 滤波器，如图6.20（c）所示。43电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图图6.206.20常用的几种复式滤波器常用的几种复式滤波器(a)(a)LC 滤波器；滤波器；(b)(b)形形LC 滤波器；（滤波器；（c c） 形形RC 滤波器滤波器图图6.216.21硅稳压管稳压电路硅稳压管稳压电路 44电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源当用一个不稳定的电压对负载供电时，会引起负载工作不稳定，甚至不能正常工作。精密电子仪器、自动控制和计算装置等都需要很
30、稳定的直流电源供电。为了得到稳定的直流输出电压，在整流滤波电路之后需要增加稳压电路。其作用是当交流电源电压波动、负载或温度变化时，维持输出直流电压稳定。6.2.3.1硅稳压管稳压电路图6.21所示为硅稳压管组成的稳压电路，电阻R 限制流过稳压管的电流使之不超过IZM，称为限流电阻。负载RL与用作调整元件的稳压管VZ 并联，输出电压就是稳压管两端的稳定电压，故又称为并联型稳压电路。6.2.3 6.2.3 6.2.3 6.2.3 稳压电路稳压电路稳压电路稳压电路45电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源电路要有稳定的电压输出，要求稳压管必须工作在反向击穿状态，且流过稳压管的电流要在稳定电流
31、IZ 和允许的最大电流IZM 之间。下面结合稳压管的反向特性曲线6.22，分析电路的稳压原理。图图6.226.22硅稳压管的反向伏安特性硅稳压管的反向伏安特性 46电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源47电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源48电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源49电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源6.2.3.2集成稳压器随着电子技术的发展，目前集成稳压器只有输入端、输出端及公共端，故称为三端稳压器。三端稳压器分为两大类，即固定式和可调式。固定式三端稳压器的输出电压固定不变，不用调节。它的型号有W78和W79两个系列，其中最后两位数表
32、示输出电压值，有5V、6V、9V、12V、15V、18V、24V等。78系列为正电压输出，79系列为负电压输出。比如W7812和W7909分别表示稳压值为正12V和负9V。78系列的1端为输入端，2端为输出端，3端为公共端；79系列的3端为输入端，2为输出端，1端为公共端。图6.23为它们的外形图及实用接线图。50电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图图6.236.23三端稳压器的外形图和实用接线图三端稳压器的外形图和实用接线图（a a）外形图；（）外形图；（b b）正电压输出；（）正电压输出；（c c）负电压输出）负电压输出 图图6.246.24正、负电压同时输出的稳压电源正、负电
33、压同时输出的稳压电源 51电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源图6.24是同时输出正、负双电压的稳压电路，由W78和W79共同组成。W78的输出为正极，W79的输出为负极，而它们的公共端相连作为整个电源的公共端接地。可调式三端集成稳压器的输出电压在一定范围内连续可调，其外形及表示符号与固定式完全相同，只是型号不同。可调集成稳压器的国内型号有CW117/CW217/CW317、CW137/CW237/CW337，对应国外型号为LM117/LM217/LM317、LM137/LM237/LM337，其中17系列为正稳压器，37系列为负稳压器。图6.25是以正稳压器为例的接线图，图中CW1
34、17的2是输入端，3是输出端，1是调整端。52电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源C1是为防止容性负载产生高频振荡时而设的，取值为1025F，耐压值高于UI值。C2是为消除纹波而设的，取值为10100F，D1是为防止当输入短路时C2反向通过稳压器放电使之损坏而设的。R1、R2为分压电路，调节R2/R1分压比可以改变输出电压。由后面的例题可知，输出电压与分压比的关系如下：式中UREF 输出端3与调整端1之间的电压。（6.13） 53电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源应用CW（LM）系列时应注意以下技巧：R1应焊接在含有集成稳压器的输出管脚和调整管脚上，否则将影响稳压器的负载
35、调整率；R2的接地点应与负载电流返回的接地点处在同一点，以免引起输出电压偏差；R1、R2应选择零温度系数的高精度、高稳定度电阻，以保证输出电压的精度和稳定性。图图6.25176.2517系列实际接线图系列实际接线图 54电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源本章小结半导体中有自由电子和空穴两种载流子。P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N型半导体中多数载流子是电子，少数载流子是空穴。PN是半导体器件的基础，PN结正偏导通，反偏截止，具有单向导电性、反向击穿性和非线性的特点。半导体二极管是由一个PN结构成，它具有单向导电性的特点，并且它是一个非线性器件，其正向特性有死区电压、
36、非线性段和线性段之分，反向特性有反向饱和与反向击穿之别。常见的特殊二极管有稳压二极管、光电二极管、发光二极管、变容二极管。稳压二极管专用于稳定电压，工作在反向击穿区。55电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源直流电源一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四部分组成。整流是利用二极管的单向导电性将交流电变为单向脉动的直流电，最常用的是桥式整流电路。滤波是把脉动电压中的交流成分滤除，常用的滤波有电容滤波、电感滤波和复式滤波。稳压电路的作用是使输出电压在电网波动或负载变化时，基本保持不变。集成稳压电路属于专用的模拟集成电路，三端式集成稳压电路因使用简便，得到了广泛的应用。56电工与电子技术单元6半导体二极管与直流稳压电源
