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1、 一块半导体寿命=15s，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30s后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ ）。A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2C 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（ ）空穴的俘获率，它是（ ）。 A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复合中心； E. 有效陷阱B D2021/6/71 小注入下的直接复合，N型半导体的非平衡载流子的寿命与（ ）；间接复合为主时，强P型半导体的少子寿命与（ ）C. n成正比； D.n0成正比； E. p成反比； F. n0成反比。G. 复合中心浓度成正比； H. 复合中
2、心浓度成反比；FH 最有效的陷阱能级在（ ），最有效的复合中心能级在（ ）A、Ei； B、Et； C、EF， D、 Ec； E、EvCA2021/6/72某n型半导体硅，其掺杂浓度Nd=1015/cm3, 少子寿命 ,若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除，试求此时电子-空穴对的产生率是多大？设ni=1.51010/cm3.2021/6/73n某P型半导体掺杂浓度NA=1016/cm3，少子寿命 ，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018/cm2s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较，设本征载流子浓度ni=1010/cm3。2021/6/74掺施主浓
3、度Nd= 1015/cm3的n型硅，室温下光稳定照射产生非平衡载流子浓度为n=p= 1014/cm3，光照突然撤销后，经过20s，假如非平衡空穴准费米能级的位置偏离平衡态时的费米能级为0.3eV，求n型材料寿命。2021/6/75n 证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为2021/6/76设一均匀的n型Si样品，在左半部用一稳定的光照射，均匀产生电子-空穴对，产生率为g0，若样品足够长，试求稳态时样品两边的空穴浓度分布。2021/6/77n现有一块均匀的n型硅材料，在t=0以前进行长时间均匀光照，到t=0时光照突然去掉，假如光照后样品产生均匀的电子-空穴对，其产生率为G0。求在低注入条件下t=0以前和t=0以后全部时间电子和空穴浓度。2021/6/78部分资料从网络收集整理而来，供大家参考，感谢您的关注！
