数字电子技术基础全套课件-3（课件材料）

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1、 本章总的要求：本章总的要求： 熟熟练练掌掌握握TTLTTL和和CMOSCMOS集集成成门门电电路路输输出出与与输输入入间间的的逻逻辑辑关关系系、外外部部电电气气特特性性，包包括括电电压压传传输输特特性性、输输入入特特性性、输输出出特特性性和和动动态态特特性性等等；掌掌握握各各类类集集成电子器件正确的使用方法。成电子器件正确的使用方法。 重点：重点： TTLTTL电路与电路与CMOSCMOS电路的结构与特点电路的结构与特点. . 3.1 概述概述 门电路是用以实现逻辑运算的电子电路，与已经讲过的逻辑运算相对应。常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。正逻

2、辑正逻辑：高电平表示逻辑：高电平表示逻辑1 1、低电平表示逻辑、低电平表示逻辑0 0。负逻辑负逻辑：高电平表示逻辑：高电平表示逻辑0 0、低电平表示逻辑、低电平表示逻辑1 1。获得高、低电平的基本方法获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的：利用半导体开关元件的 导通导通、截止截止（即开、关）两种工作状态。（即开、关）两种工作状态。3.2 半导体二极管门电路半导体二极管门电路3.2.1 半导体二极管的开关特性Ui0.5V时，二时，二极管导通。极管导通。Ui0时时vGS足够大时足够大时（vGSVGS(th)），），形成电场形成电场GB,把把衬底中的电子吸引衬底中的电子吸引到上表面，除复合到

3、上表面，除复合外，剩余的电子在外，剩余的电子在上表面形成了上表面形成了N型型层（反型层）为层（反型层）为D、S间的导通提供了间的导通提供了通道。通道。VGS(th)称为阈值电压称为阈值电压(开启电压）开启电压）源极与源极与衬底接衬底接在一起在一起N沟道沟道可以通过改变可以通过改变vGS的大小来控制的大小来控制iD的大小。的大小。二、MOS管的输入、输出特性管的输入、输出特性 对于共源极接法的电路，栅极和衬底之间被二氧对于共源极接法的电路，栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为零栅极电流为零。输出特性曲线输出特性曲线（漏极特性曲线）（漏极特性曲线）夹断区（截止区）

4、 用途：做无触点的、断开状态的电子开关。条件：整个沟道都夹断特点：可变电阻区特点特点: :(1)(1)当vGS 为定值时,iD 是vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受vGS 控制。 （2）管压降vDS 很小。用途：用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件：源端与漏端沟道都不夹断恒流恒流区：(又称饱和区或放大区）又称饱和区或放大区）特点特点:(1)受控性：受控性： 输入电压输入电压vGS控制输出电流控制输出电流(2)恒流性：恒流性：输出电流输出电流iD 基本上不受输出电压基本上不受输出电压vDS的影响。的影响。条件条件:(1)源端沟道未夹断源端沟道未夹断 (

5、2)漏端沟道予夹断漏端沟道予夹断 用途用途:可做可做放大器放大器和和恒流源恒流源。三、MOS管的基本开关电路管的基本开关电路 当当vI=vGSVGS(th)且且vI继续升高时，继续升高时，MOS管工作在可变管工作在可变电阻区。电阻区。MOS管导通内阻管导通内阻RON很小，很小，D-S间相当于闭合间相当于闭合的开关的开关,vO0。四、MOS管的四种基本类型管的四种基本类型GSDN 沟道耗尽型沟道耗尽型GSDN沟道增强型沟道增强型GSDP 沟道增强型沟道增强型GSDP 沟道耗尽型沟道耗尽型在数字电路中，多采用增强型。在数字电路中，多采用增强型。3.3.2 CMOS反相器工作原理 PMOS管管NMO

6、S管管CMOS电路电路VDDT1T2vIvO一、电路结构一、电路结构 当当NMOS管和管和PMOS管成对出现在电路中，管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为且二者在工作中互补，称为CMOS管管(意为互补意为互补)。VDDTPTNvIvOvI=0截止截止 vo=“”导导 通通vI=1VDDT1T2vIvO导通导通 vo=“”截止截止 静态下，无论静态下，无论vI是高电平还是低电平，是高电平还是低电平，T1、T2总有总有一个截止，因此一个截止，因此CMOS反相器的静态功耗极小。反相器的静态功耗极小。二、电压传输特性和电流传输特性二、电压传输特性和电流传输特性 电压传输特性阈值电压阈值电压VT

7、HT1导通T2截止T2导通T1截止T1T2同时导通电流传输特性T2截止T1截止CMOS反相器在使用时应尽量避免长期工作在BC段。输入低电平时噪声容限：输入低电平时噪声容限：在保证输出高、低电在保证输出高、低电平基本不变的条件下平基本不变的条件下,输入输入电平的允许波动范围称为电平的允许波动范围称为输入端噪声容限输入端噪声容限。输入高电平时噪声容限：输入高电平时噪声容限：三、输入端噪声容限三、输入端噪声容限 噪声容限衡量门电路的噪声容限衡量门电路的抗干扰能力。抗干扰能力。噪声容限越大，表明电路抗干扰能力越强。噪声容限越大，表明电路抗干扰能力越强。 测试表明：测试表明：CMOS电路噪声容限电路噪声

8、容限VNH=VNL30VDD，且随，且随VDD的增加而加大。的增加而加大。 因为因为MOS管的栅极和衬底之间存在着以管的栅极和衬底之间存在着以SiO2为介质的输入电容，而绝缘介质非常薄，极易被为介质的输入电容，而绝缘介质非常薄，极易被击穿，所以应采取保护措施。击穿，所以应采取保护措施。3.3.3 CMOS反相器的静态输入输出特性 一、输入特性一、输入特性 iI(mA)-0.70VDD+0.7vI(V) 在正常的输入信号范围内，在正常的输入信号范围内，即即0.7V vI (VDD+0.7)V时输时输入电流入电流iI 0。(因为因为CMOS门电门电路的路的GS间有一层绝缘的间有一层绝缘的SiO2薄

9、薄层。层。)在在0.7V (VDD+0.7)V以外的以外的区域，区域， iI从零开始增大，并随从零开始增大，并随vI增加急剧上升，原因是保护增加急剧上升，原因是保护电路中的二极管已进入导通状电路中的二极管已进入导通状态。态。注意：注意：由于门电路输入端的由于门电路输入端的绝缘层使输入的阻抗极高，绝缘层使输入的阻抗极高，若有静电感应会在悬空的输若有静电感应会在悬空的输入端产生不定的电位，故入端产生不定的电位，故CMOSCMOS门电路的输入端不允许门电路的输入端不允许悬空悬空。二、输出特性二、输出特性 低电平输出特性低电平输出特性高电平输出特性高电平输出特性VOL0VOHVDD3.3.4 CMOS

10、反相器的动态特性 一、传输延迟时间一、传输延迟时间 tviotvoo50%50%tpdHLtpdLH平均传输时间平均传输时间二、交流噪声容限二、交流噪声容限 噪声电压作用时间越短、电源电压越高，交流噪声容噪声电压作用时间越短、电源电压越高，交流噪声容限越大。限越大。三、动态功耗三、动态功耗 反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过程中，将产生附加的功耗，即为动态功耗。程中，将产生附加的功耗，即为动态功耗。 动态功耗包括：负载电容充放电所消耗的功率动态功耗包括：负载电容充放电所消耗的功率PC和和PMOS、NMOS同时导通所消耗的瞬时导通功耗同时

11、导通所消耗的瞬时导通功耗PT。 在工作频率较高的情况下，在工作频率较高的情况下，CMOS反相器的动态功耗反相器的动态功耗要比静态功耗大得多，静态功耗可忽略不计。要比静态功耗大得多，静态功耗可忽略不计。3.3.5 其他类型CMOS门电路 1.与与非非门门一、其他逻辑功能的一、其他逻辑功能的CMOS门电路门电路任一输入端为低，设任一输入端为低，设vA=0vA=0断开断开 导通导通 vO=1输入全为高电平输入全为高电平vA=1vB=1导通导通 断开断开 vO=02.或非门或非门任一输入端为高，设任一输入端为高，设vA=1vA=1导通导通 断开断开 vO=0输入端全为低输入端全为低vA=0vB=0断开

12、断开 导通导通 vO=13. 带缓冲级的带缓冲级的CMOS门电路门电路带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的转折区也变得更陡。转折区也变得更陡。二、漏极开路输出门电路（二、漏极开路输出门电路（OD门）门）为什么需要为什么需要OD门？门？普通与非门输出不能普通与非门输出不能直接连在一起实现直接连在一起实现“线与线与”！ABYCD10产产生生一一个个很很大大的的电电流流需将一个需将一个MOS管的漏极开路构成管的漏极开路构成OD门。门。需加一上拉电

13、阻ABYOD输出与非门的逻辑符号及函数式输出与非门的逻辑符号及函数式ODOD门输出端可直接连接实现线与。门输出端可直接连接实现线与。ABYCDVDDRLRL的选择：的选择：IOHIIHn个m个VDDVILVILVILRLVOHn是并联是并联OD门的数目，门的数目，m是负载门电路高电平输入电流的数目。是负载门电路高电平输入电流的数目。VIHVILVILVDDRLVOLm个IOLIIL例例3.3.2 m是负载门电路低电平输入电流的数目。在负载门为是负载门电路低电平输入电流的数目。在负载门为CMOS门电路的情况下，门电路的情况下，m和和m相等。相等。C0、 ，即，即C 端为低电平（端为低电平（0V）

14、、）、 端为高电平端为高电平（VDD）时，）时， T1和和T2都不具备开启条件而截止，输都不具备开启条件而截止，输入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。三、三、CMOS传输门传输门C1、 ，即即C 端端为为高高电电平平（VDD）、 端端为为低低电电平平（0V）时时，T1和和T2至至少少有有一一个个导导通通，输输入入和和输输出出之之间间相相当当于于开开关关接接通通一一样样，呈低阻态，呈低阻态，vovi 。TG1TG2ABYA=1、B=0时，时，TG1截止，截止，TG2导通，导通，Y=B =1;TG1TG2ABYA=0、B=1时，时，TG2截止，截止，

15、TG1导通，导通，Y=B =1;TG1TG2ABYA=0、B=0时，时，TG2截止，截止，TG1导通，导通，Y=B =0;TG1TG2ABYA=1、B=1时，时，TG1截止，截止，TG2导通，导通，Y=B =0;双向模拟开关双向模拟开关 , G4输出高电平，输出高电平，G5输出低电平，输出低电平，T1、T2 同时截止，输出呈同时截止，输出呈高阻态高阻态；四、三态门四、三态门 AYEN逻辑符号逻辑符号10110AYEN逻辑符号逻辑符号0101110若若A=1，则，则G4、G5输出均为高电平，输出均为高电平，T1截止、截止、T2导通，导通，Y=0；若若A=0，则，则G4、G5输出均为低电平，输出均

16、为低电平，T1导通、导通、T2截止，截止，Y=1；0001AYENAYEN低电平有效低电平有效高电平有效高电平有效三态门有三种状态三态门有三种状态:高电平、低电平、高阻态。高电平、低电平、高阻态。3.3.6 CMOS电路的特点 CMOS电路的优点电路的优点1. 静态功耗小。静态功耗小。2. 允许电源电压范围宽允许电源电压范围宽(3 18V）。）。3. 扇出系数大，噪声容限大。扇出系数大，噪声容限大。 1 1输入电路的静电保护输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路，给使用者电路的输入端设置了保护电路，给使用者带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于带来很大方便。但是，这种保护

17、还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高，极易产生感应较高的静电电路的输入阻抗高，极易产生感应较高的静电电压，从而击穿电压，从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层，造成器件管栅极极薄的绝缘层，造成器件的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点：的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点： CMOS电路的正确使用电路的正确使用 （1 1）所有与）所有与CMOS电路直接接触的工具、仪电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。表等必须可靠接地。 （2 2）存储和运输）存储和运输CMOS电路，最好采用金属电路，最好采用金属屏蔽层做包装材料。屏蔽层做包装材料。2 2多余的输入端不能悬空。多余的输入端不能悬空。输

18、入端悬空极易产生感应较高的静电电压，输入端悬空极易产生感应较高的静电电压，造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联使用。使用。3输入电路需过流保护输入电路需过流保护3.5 TTL门电路门电路3.5.1 双极型三极管的开关特性一、双极型三极管的结构一、双极型三极管的结构 BECNNP基极基极 发射极发射极集电极集电极BECNPN型三极管型三极管PNP集电极集电极 基极基极 发射极发射极 BCEBECPNP型三极管型三极管二、双极型三极管的输入特性和输出特性二、双极型三极

19、管的输入特性和输出特性 IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 AIB( A)UBE(V)204060800.40.8输入特性曲线输入特性曲线输出特性曲线输出特性曲线开启电压开启电压饱饱和和区区截止区截止区放大区放大区三、双极型三极管的基本开关电路三、双极型三极管的基本开关电路 在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和饱和和和截止截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。三极管临界饱和三极管临界饱和时的基极电流：时的基极电流：ui=1V时，三极管

20、导通，基极电流：时，三极管导通，基极电流：uo=uCE=VCC-iCRc=5-0.03501=3.5Vui= =0.3V时，因为时，因为uBE 0.5V，iB=0=0，三极管工作在，三极管工作在 截止状态，截止状态，ic=0=0。因为。因为ic=0=0，所以输出电压：，所以输出电压：uo=VCC=5V 截止状态截止状态ui=UIL0.5Vuo=+VCC+VCCRbRcbceui3V3V时，三极管导通，基极电流：时，三极管导通，基极电流：uoUCES0.3V0.3V三极管饱和三极管饱和饱和状态饱和状态iBIBSui=UIHuo=0.3VRbRc+VCCbce0.7V0.3V四、双极型三极管的开关

21、等效电路四、双极型三极管的开关等效电路 开关等效电路开关等效电路(1) 截止状态 条件：发射结反偏特点：电流约为0 (2)饱和状态条件：发射结正偏，集电结正偏特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅三极管开关等效电路(a) 截止时 (b) 饱和时uituot+Vcc0.3V五、双极型三极管的动态开关特性五、双极型三极管的动态开关特性 BJTBJT的开关时间：的开关时间：是指是指BJTBJT管由管由截止到饱和截止到饱和导通导通 或者由或者由饱和导通到截止饱和导通到截止所需要的时间。所需要的时间。延迟时间延迟时间td从从+ +VB2加到集电加到集电极电流极电流ic上升到上升到0.10.1I

22、CS所需要所需要的时间；的时间； 上升时间上升时间tric从从0.10.1ICS到到0.90.9ICS所需要的时间；所需要的时间； 开通时间开通时间t tonon= =t td d+ +t tr r就是建立基区电荷时间就是建立基区电荷时间存储时间存储时间ts从输入信号降从输入信号降到到- -VB1到到ic降到降到0.90.9ICS 所需所需要的时间；要的时间； 下降时间下降时间tfic从从0.90.9ICS降到降到0.10.1ICS所需要的时间。所需要的时间。 关闭时间关闭时间toff=ts+tf就是就是存储电荷消散的时间存储电荷消散的时间 加入加入VEE的目的是确的目的是确保即使输入低电平信

23、号稍大保即使输入低电平信号稍大于零时，也能使三极管基极于零时，也能使三极管基极为负电位，从而使三极管为负电位，从而使三极管 可可靠截止，输出为高电平。靠截止，输出为高电平。六、三极管反相器六、三极管反相器 AY集集成成门门电电路路双极型双极型TTL (Transistor-Transistor Logic Integrated Circuit , TTL)ECLNMOSCMOSPMOSMOSMOS型型（M Metal-etal-O Oxide-xide- S Semiconductoremiconductor，MOSMOS）TTL 晶体管晶体管- -晶体管逻辑集成电路晶体管逻辑集成电路MOS

24、金属氧化物半导体场效应管集成电路金属氧化物半导体场效应管集成电路3.5.2 TTL反相器输入级倒相级输出级称为称为推拉式推拉式电路电路或或图腾图腾柱输出电路柱输出电路一、一、TTL反相器的电路结构和工作原理反相器的电路结构和工作原理1.输入为低电平（输入为低电平（0.2V）时）时三个三个PN结结导通需导通需2.1V0.9V不足以让不足以让T2、T5导通导通T2、T5截止截止1.输入为低电平（输入为低电平（0.2V）时）时vovo=5vR2vbe4vD23.4V 输出输出高电平高电平2.输入为高电平（输入为高电平（3.4V）时）时电位被嵌电位被嵌在在2.1V全导通全导通 vB1=VIH+VON=

25、4.1V发射结反偏 1V截止T2、T5饱和导通饱和导通2.输入为高电平（输入为高电平（3.4V）时）时vo =VCE50.3V 输出低电平输出低电平 可见，无论输入如何，可见，无论输入如何，T4和和T5总是一管总是一管导通而另一管截止。导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，这种推拉式工作方式，带负载能力很强带负载能力很强。AB段：段：vI0.6V, vB10.7V, vI1.4V, vI继续升高继续升高,vo不再变化，不再变化，保持低电平保持低电平0.3V。（饱和区饱和区）二、电压传输特性二、电压传输特性 输出高电平输出高电平VOH、输出低电平、输出低电平VOL VOH 2.4V VOL 0

26、.4V 便认为合格。便认为合格。 典型值典型值VOH=3.4V VOL 0.3V 。 阈值电压阈值电压VTH(门槛电压门槛电压)vIVTH时，认为时，认为vI是高电平。是高电平。VTH=1.4V输入低电平时噪声容限：输入低电平时噪声容限：输入高电平时噪声容限：输入高电平时噪声容限：三、输入端噪声容限三、输入端噪声容限 一一.输入特性输入特性:3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性输入短路电输入短路电流流IIS(IIL)高电平输入电流高电平输入电流IIH二二.输出特性输出特性TTL反相器高电平输出特性反相器高电平输出特性由于受到功耗的限制手册上给出的高电平输出电流的最大值要比5mA小得

27、多。74系列系列IOH(max)=0.4mA二二.输出特性输出特性TTL反相器低电平输出特性反相器低电平输出特性IOL(max)前后级之间电流的联系前后级之间电流的联系？前级输出为前级输出为 高电平时高电平时前级（驱动门）前级（驱动门）后级（负载门）后级（负载门）前级流出前级流出电流电流I IOHOH（拉电流）（拉电流）1发射结反偏发射结反偏,输输入电流入电流IIH很小很小(几十几十A)前级输出为前级输出为 低电平时低电平时前级（驱动门）前级（驱动门）后级（负载门）后级（负载门）0流入前级流入前级的电流的电流IOL (灌电流灌电流)输入低电平输入低电平时的输入电时的输入电流流I IILIL，大

28、约，大约为为1mA1mA。扇出系数扇出系数驱动同类门的个数。驱动同类门的个数。灌电流工作时：灌电流工作时：拉电流工作时：拉电流工作时：扇出系数扇出系数NO取取NOL、 NOH中较小的一个。中较小的一个。扇出系数衡量门电路的扇出系数衡量门电路的带负载能力带负载能力。IILIOLIIHIOH例例3.5.2 解：解： VOL=0.2V时，驱动门输出电流IOL=16mA,每个负载门的输入电流为IIL=1mA。 VOH=3.2V时，驱动门输出电流IOH=7.5mA,但手册规定|IOH|0.4mA,故取|IOH|=0.4mA;每个负载门的输入电流为IIH=40A。扇出系数扇出系数NO=10输入端输入端“1

29、”,“0” ？三三. 输入端负载特性输入端负载特性在一定范围内，uI随RP的增大而升高。但当输入电压uI达到1.4V以后，uB1 = 2.1V，RP增大，由于uB1不变，故uI = 1.4V也不变。这时T2和T5饱和导通，输出为低电平。1.4开门电阻开门电阻RON (2K左右）左右）(1) (1) 关门电阻关门电阻ROFF 在保证门电路输出在保证门电路输出为额定高电平的条件下，所允许为额定高电平的条件下，所允许RP 的最大值称为的最大值称为关门电阻。典型的关门电阻。典型的TTLTTL门电路门电路ROFF 0.7k 0.7k。 (2) (2) 开门电阻开门电阻RON 在保证门电路输出为在保证门电

30、路输出为额定低电平的条件下，所允许额定低电平的条件下，所允许RP 的最小值称为开的最小值称为开门电阻。典型的门电阻。典型的TTLTTL门电路门电路RON 2k 2k。 数字电路中要求输入负载电阻数字电路中要求输入负载电阻RP RON或或RP ROFF ，否则输入信号将不在高低电平范围内。，否则输入信号将不在高低电平范围内。振荡电路则令振荡电路则令 ROFF RP RON使电路处于转使电路处于转折区。折区。10K例：判断如图例：判断如图TTL电路输出为何状态？电路输出为何状态？Y0=010Y1=1Y01110Y1Y2=010VCCY210K1. 悬空的输入端相当于接高电平。悬空的输入端相当于接高

31、电平。2. 为了防止干扰，一般应将悬空的为了防止干扰，一般应将悬空的输入端接高电平。输入端接高电平。例例3.5.3解：解：vO1=VOH、vI2VIH(min)时时应满足：应满足：VOHIIHRPVIH(min)vO1=VOL、vI2VIL(max)时时因此，因此，RP不应大于不应大于690.G1G2RPvO1vI23.5.4 TTL反相器的动态特性一、传输延迟时间一、传输延迟时间tviotvoo50%50%tpdHLtpdLH平均传输时间平均传输时间平均传输延迟时间平均传输延迟时间tpd表征了门电路的开表征了门电路的开关速度。关速度。 二二. .功耗：功耗： 有静态功耗和动态功耗。有静态功耗

32、和动态功耗。静态功耗静态功耗指的是当指的是当电路没有状态转换时的功耗电路没有状态转换时的功耗;动态功耗动态功耗只发生在状只发生在状态转换的瞬间。对于态转换的瞬间。对于TTL电路静态功耗是主要的，电路静态功耗是主要的，用用PD表示表示 。3.5.5 其他类型的TTL门电路 一一. 其他逻辑功能的门电路其他逻辑功能的门电路输入端改成多发输入端改成多发射极三极管射极三极管1.与与非非门门 TTL集成门电路的封装：集成门电路的封装： 双列直插式双列直插式 如：如：TTLTTL门电路芯片（门电路芯片（四四2 2输入与非门，输入与非门，型号型号74LS0074LS00 ) )地地GNDGND外外 形形管脚

33、管脚 电源电源V VCCCC（+5V+5V）74LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。例：例：如图电路，已知如图电路，已知 74S00门电路门电路GP参数为：参数为：IOH/IOL=-1.0mA/20mAIIH/IIL=50A/-1.43mA试求门试求门GP能驱动多少同类门能驱动多少同类门？若将电路中的芯片改为？若将电路中的芯片改为74S20，其门电路参数同，其门电路参数同74S00，问此时，问此时GP能驱动多能驱动多少同类门？少同类门？GPG1Gn门门GP输出低电平时，设可带同类门数为输出低电平时，设可带同类门数为NOL：解：解：门门GP输出的高电平时，设可带同类门

34、数为输出的高电平时，设可带同类门数为NOH：扇出系数扇出系数=10由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低电由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低电平时，负载门只要一个输入端为低电平，平时，负载门只要一个输入端为低电平，T2、T5就截止。就截止。74S20为为4输入输入与非门，所以与非门，所以门门GP输出低电平时，设可带同类门数为输出低电平时，设可带同类门数为NOL：门门GP输出高电平时，设可带同类门数为输出高电平时，设可带同类门数为NOH：扇出系数扇出系数No=5两方框中电路相同两方框中电路相同A为高电平时，T2、T5同时导通，T4截止，输出Y为低电平。B为高电平时，T2、T5

35、同时导通，T4截止，输出Y为低电平。A、B都为低电都为低电平时平时，T2、T2同时截止，T5截止，T4导通，输出Y为高电平。2.或非门或非门或非门或非门与或非门与或非门3.与与或或非非门门4.异或门异或门若A、B同时为高电平，T6、T9导通，T8截止，输出低电平；A、B同时为低电平，T4、T5同时截止，使T7、T9导通，T8截止，输出也为低电平。A、B不同时，T1正向饱和导通，T6截止；T4、T5中必有一个导通，从而使T7截止。T6、T7同时截止，使得T8导通，T9截止，输出为高电平。74LS86二二.集电极开路门（集电极开路门（OC门）门）为什么需要为什么需要OC门？门？普通与非门输出不能普

36、通与非门输出不能直接连在一起实现直接连在一起实现“线与线与”！10产生一个很大的电流产生一个很大的电流ABYCD集电极悬空集电极悬空 ABYOCOC门输出端可直接连接实现线与。门输出端可直接连接实现线与。VCCVILVILVILRLRL的选择：的选择：IOHIIHn个m个VOH负载门输入负载门输入端个数端个数VIHVILVILVCCRLVOLm个IOLIIL负载门个数负载门个数 由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低由于与非门的输入端为多发射极，当前一级门输出低电平时，负载门只要一个输入端为低电平，电平时，负载门只要一个输入端为低电平，T2、T5就截止。就截止。若为或非门，若为或非门，

37、m是输入端的个数，而不是负载门的数目。是输入端的个数，而不是负载门的数目。例例3.5.5 三三. 三态门三态门 （TSTS门门) ) 三态输出门三态输出门(Three-State Output Gate)是是在普通门电路的在普通门电路的基础上附加控制基础上附加控制电路而构成的。电路而构成的。ENAYBENAYB0 截截 止止1导导 通通截止截止 截止截止 高阻态高阻态 3.5.6 TTL数字集成电路的各种系列 74H系列：系列：高速系列。其工作速度的提高是用增高速系列。其工作速度的提高是用增加功耗的代价换取的，效果不够理想。加功耗的代价换取的，效果不够理想。从从提高工作速度提高工作速度、降低功

38、耗降低功耗两方面考虑进行改进。两方面考虑进行改进。74S系列：系列：肖特基系列。采用抗饱和三极管，提高肖特基系列。采用抗饱和三极管，提高了工作速度，但电路功耗加大，并且输出的低电了工作速度，但电路功耗加大，并且输出的低电平升高。平升高。74LS系列：系列：低功耗肖特基系列。兼顾功耗和速度低功耗肖特基系列。兼顾功耗和速度两个方面，得到更小的延迟功耗积。两个方面，得到更小的延迟功耗积。74AS系列：系列：电路结构与电路结构与74LS系列相似，采用低系列相似，采用低 阻值，提高了工作速度，但功耗较大。阻值，提高了工作速度，但功耗较大。74ALS系列：系列：其延迟功耗积是其延迟功耗积是TTL电路所有系

39、电路所有系列中最小的一种。列中最小的一种。54、54H、54S、54LS系列：系列：54系列与系列与74系列电路系列电路具有完全相同的电路结构和电气性能参数。具有完全相同的电路结构和电气性能参数。54系列系列工作温度范围更宽，电源允许的工作范围更大。工作温度范围更宽，电源允许的工作范围更大。74系列：温度系列：温度070，电源电压，电源电压5V5%;54系列系列: 温度温度-55+125，电源电压，电源电压5V10%。型号名称主要功能74LS00四2输入与非门74LS02四2输入或非门74LS04六反相器74LS05六反相器OC门74LS08四2输入与门74LS13双4输入与非门施密特触发74

40、LS308输入与非门74LS32四2输入或门74LS644-2-3-2输入与或非门74LS13313输入与非门74LS136四异或门OC输出74LS365六总线驱动器同相、三态、公共控制74LS368六总线驱动器反相、三态、两组控制 TTL集成门电路系列集成门电路系列 CMOS电路与电路与TTL电路比较：电路比较：（1）CMOS电路的工作速度比电路的工作速度比TTL电路的低。电路的低。（2）CMOS带负载的能力比带负载的能力比TTL电路强。电路强。（3）CMOS电路的电源电压允许范围较大，约在电路的电源电压允许范围较大，约在 318V，抗干扰能力比，抗干扰能力比TTL电路强。电路强。（4）CM

41、OS电电路路的的功功耗耗比比TTL电电路路小小得得多多。门门电电路路的的功功耗耗只只有有几几个个W，中中规规模模集集成成电电路路的的功功耗耗也也不会超过不会超过100W。（5）CMOS集成电路的集成度比集成电路的集成度比TTL电路高。电路高。（6）CMOS电路容易受静电感应而击穿，在使用和电路容易受静电感应而击穿，在使用和 存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地 良好，尤其是良好，尤其是CMOS电路多余不用的输入端不电路多余不用的输入端不 能悬空，应根据需要接地或接高电平。能悬空，应根据需要接地或接高电平。CMOS电路与电路与TTL电路比较：电路比较：

42、多余输入端的处理措施多余输入端的处理措施处理原则：处理原则： 不能影响输入与输出之间的逻辑关系不能影响输入与输出之间的逻辑关系 。 数字集成电路中多余的输入端在不改变逻辑关数字集成电路中多余的输入端在不改变逻辑关系的前提下可以系的前提下可以并联并联起来使用，也可起来使用，也可根据逻辑关系根据逻辑关系的要求接地或接高电平的要求接地或接高电平。TTL电路多余的输入端悬电路多余的输入端悬空表示输入为高电平空表示输入为高电平；但但CMOS电路，多余的输入电路，多余的输入端不允许悬空，否则电路将不能正常工作端不允许悬空，否则电路将不能正常工作。 对对于于TTL门门，一一般般可可将将多多余余的的输输入入端

43、端通通过过上上拉拉电电阻阻（13 K ）接接电电源源正正端端；也也可可利利用用反反相相器器将将其其输输入入端端接接地地;通通过过大大电电阻阻接接地地（逻逻辑辑1的的处处理理）。直接把多余端接地（直接把多余端接地（逻辑逻辑0的处理的处理）。）。 对对于于CMOS电电路路，对对于于输输入入端端可可根根据据需需要要直直接接接接地地（逻逻辑辑0的的处处理理）；或或直直接接接接VDD（逻逻辑辑1的处理的处理）。）。要实现要实现Y=A，输入端，输入端B应如何连接？应如何连接？B=0时可实现时可实现Y=A，B端应接低电平端应接低电平(接地）。接地）。要实现要实现Y=A ，输入端，输入端B应如何连接？应如何连

44、接？B=1时可实现时可实现Y=A ，B端应接高电平（接电源）。端应接高电平（接电源）。本章小结本章小结 门门电电路路是是构构成成各各种种复复杂杂数数字字电电路路的的基基本本逻逻辑辑单单元元，掌掌握握各各种种门门电电路路的的逻逻辑辑功功能能和和电电气气特特性性，对对于于正确使用数字集成电路是十分必要的。正确使用数字集成电路是十分必要的。本本章章介介绍绍了了目目前前应应用用最最广广泛泛的的TTLTTL和和CMOSCMOS两两类类集集成成逻逻辑辑门门电电路路。在在学学习习这这些些集集成成电电路路时时，应应把把重重点点放放在在它它们们的的外外部部特特性性上上。外外部部特特性性包包含含两两个个内内容容，一一个个是是输输出出与与输输入入间间的的逻逻辑辑关关系系，即即所所谓谓逻逻辑辑功功能能；另另一一个个是是外外部部的的电电气气特特性性，包包括括电电压压传传输输特特性性、输输入入特特性性、输输出出特特性性等等。本本章章也也讲讲一一些些集集成成电电路路内内部部结结构构和和工工作作原原理理，但但目目的的是是帮帮助助读读者者加加深深对对器器件件外外特性的理解，以便更好地利用这些器件。特性的理解，以便更好地利用这些器件。