第8章-磁畴【高等教学】

《第8章-磁畴【高等教学】》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第8章-磁畴【高等教学】（100页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、第五章第五章 磁畴理论磁畴理论 5.1 5.1 磁畴的成因磁畴的成因 一、磁畴形成的根本原因一、磁畴形成的根本原因 铁磁体内产生磁畴，实质上是自发磁化矢量平衡分布要满足能量最小原理的必然结果。假设铁磁体无外场无外应力作用，自发磁化矢量的取向，应该是在由交换能、磁晶各向异性能和退磁场能等交换能、磁晶各向异性能和退磁场能等共同决定的总自由能为极小的方向上。仅考虑交换相互作用能交换相互作用能（交换积分A0），磁矩平行排列，对方向无特殊要求。再考虑磁晶各向异性能磁晶各向异性能，当交换能和磁晶各向异性能之和满足最小值条件，则自发磁化矢量只能分布在铁磁体的一个易磁化方向上。1高级教学但是实际的铁磁体有一定

2、的几何尺寸，还要考虑退退磁场能磁场能。自发磁化矢量的一致排列，必然在铁磁体表面上出现磁极而产生退磁场，这样就会因退磁场能的存在使铁磁体内的总能量要增加，自发磁化矢量的一致取向分布不再处于稳定状态。为降低表面退磁能，只有改变自发磁化矢量的分布状态来实现。于是在铁磁体内部分成许多大小和方向基本一致的自发磁化区域，这样的每一个小区域称为磁畴。 2高级教学对于不同的磁畴，其自发磁化强度的方向是不同的。因此，退退磁磁场场能能尽尽量量小小的的要要求求是是磁磁畴畴形形成成的的根根本本原原因因。退磁场最小要求将磁体分成尽量多的磁畴；但是形成磁畴以后，两个相邻磁畴之间存在着一定宽度的过渡区域，在此区域磁化强度由

3、一个磁畴的方向逐渐过渡到另一个磁畴的方向。磁矩遵循能量最低原理，按照一定的规律变化。这样的过渡区域称为磁畴壁磁畴壁。3高级教学磁畴壁内各个磁矩的方向取向不一致，必然增加交交换换能能和和磁磁晶晶各各向向异异性性能能而而构构成成畴畴壁壁能能量量。全面考虑，要由退磁场能的降低和磁畴壁能量的增加的利弊，即由他们共同决定的能量极小条件来决定磁畴的数目。原则上讲，在在形形成成磁磁畴畴的的过过程程中中，磁磁畴畴的的数数目目和和磁磁畴畴的的尺尺寸寸、形形状状等等，应应由由退退磁磁场场能能和和磁磁畴畴壁壁能能的的平衡条件来决定。平衡条件来决定。以下作定量分析。 4高级教学可得平衡时的磁畴宽度D，退磁场能，式中D

4、是片状磁畴的宽度，显然，片状磁畴的宽度D越小，退磁场能越小。磁畴壁能，式中 为畴壁能量密度，L为晶体的厚度。（参见宛书P215图5-2（b)总能量，由公式推导见钟书p2025高级教学二、决定磁畴结构的各种因素二、决定磁畴结构的各种因素 除退磁场能这个决定因素外，其他因素也值得考虑：磁各向异性能；交换相互作用能；磁弹性能等。 6高级教学圆片铁磁体各种磁畴结构7高级教学5.2 5.2 磁畴壁结构及其特性磁畴壁结构及其特性 一、畴壁的形成一、畴壁的形成磁磁畴畴壁壁是相邻两磁畴之间磁矩按照一定规律逐渐改变方向的过渡层。以下通过计算畴壁能量和厚度，说明铁磁体内相邻两磁畴之间磁畴壁的形成以及磁畴壁内磁矩方

5、向变化是采用逐渐过渡方式的。已经知道，相邻两原子间的交换能 8高级教学当相邻两原子的磁矩平行排列时 ，其交换能为则，原子间的夹角为 时，交换能增量为 近似为 9高级教学10高级教学考虑畴壁是由N层原子组成，畴壁两侧磁矩夹角为180。设每层原子转过相等的角度 ，则引起的交换能增量为 当铁磁体晶格常数为a时，在厚度为 ，长和宽均为1的畴壁体积中，单位面积畴壁面上共有个 原子。单位面积畴壁中交换能增量为， 11高级教学由此可见，畴壁中包括原子层数越多，也就是畴越厚，则在畴壁中引起的交换能越小。所以，为了使畴壁中引起的交换能增加的小一点，畴壁中磁矩方向的改变只能采取逐渐过渡的形式。而不能突变0180。

6、12高级教学但是在畴壁中原子的自旋磁矩方向逐渐过渡，必然但是在畴壁中原子的自旋磁矩方向逐渐过渡，必然会引起每一个原子磁矩方向偏离原来的磁晶各向异会引起每一个原子磁矩方向偏离原来的磁晶各向异性为最低的易磁化方向，从而导致了磁晶各向异性性为最低的易磁化方向，从而导致了磁晶各向异性能的增加。例如，单位面积的畴壁所具有的磁晶各能的增加。例如，单位面积的畴壁所具有的磁晶各向异性能估算为向异性能估算为 显然，磁晶各向异性能随畴壁厚度的增加而增加。显然，磁晶各向异性能随畴壁厚度的增加而增加。因此，因此，畴壁要具有一个稳定的结构必须满足畴壁中的畴壁要具有一个稳定的结构必须满足畴壁中的交换能和磁晶各向异性能的总

7、和为极小交换能和磁晶各向异性能的总和为极小。单位面积畴。单位面积畴壁中总畴壁能壁中总畴壁能 13高级教学平衡时要求 得 单位面积的畴壁能 如果在铁磁晶体中同时有磁晶各向异性K1和应力各向异性的 作用，这时的畴壁能和厚度应当同时考虑磁晶各向异性能和应力各向异性能。 14高级教学（单位面积畴壁能） 二、磁畴壁的类型二、磁畴壁的类型第一种，根据畴壁两侧磁畴的自发磁化矢量方向间的关系，可将畴壁划分为180和90畴壁两大类。两种划分畴壁类型的方法：15高级教学二、磁畴壁的类型二、磁畴壁的类型1180畴壁畴壁两侧磁畴的自发磁化矢量的方向互成180角，这样的畴壁为180畴壁。单易磁化轴晶体只有180畴壁，多

8、轴晶体也有180畴壁。16高级教学290畴壁 畴壁两侧磁畴的自发磁化矢量方向不是180，而是90，107，71等，一律称为90畴壁。 对于理想晶体每个磁畴的自发磁化矢量都处在晶体的易磁化轴上。这里理想晶体是指：没有外场作用；无应力或缺陷存在；均匀单相且无非磁性相；无内部退磁场。第二种，根据畴壁中磁矩的过渡方式不同，可将畴壁分为布洛赫(Bloch Wall)壁和奈尔壁(Neel Wall)两种。 17高级教学1布洛赫壁在布洛赫壁中磁矩的过渡方式是始终保持平行于畴壁平面，因而在畴壁面上无自由磁极出现，这样就保证了畴壁上不会产生退磁场，但在晶体表面出现磁极有退磁场。在铁磁材料中大块晶体材料内的畴壁属

9、于布洛赫壁。由于是大块晶体材料，尺寸很大，表面磁极产生的退磁场可忽略不计。 18高级教学2奈尔壁在薄膜材料中，一定条件下，将会出现奈尔壁。在奈尔壁中磁矩是平行于薄膜表面逐步过渡的。不是像布洛赫壁那样，磁矩平行于畴壁逐步过渡。这样在奈尔壁两侧表面上将会出现磁极产生退磁场。只有在奈尔壁的厚度比薄膜的厚度大很多时退磁场能才比较小。因此，奈尔壁的稳定程度与薄膜的厚度有关。 19高级教学三、布洛赫壁的结构特征三、布洛赫壁的结构特征 1畴壁结构第一定则相邻两端磁畴中的自发磁化矢量在畴壁法线方向的投影分量相等。若90畴壁，畴壁取向要满足畴壁表面不出现磁荷的条件，只能是相邻两磁畴中的磁化矢量在畴壁法线方向的投

10、影分量相等。所以，180畴壁取向是平行于畴中磁化矢量的任意平面；90畴壁取向则是法线在相邻两畴的磁化矢量夹角的平分面上的任意平面。 20高级教学2畴壁结构的第二定则畴壁中原子磁矩在畴壁内过渡时，始终保持与畴壁法线方向间的夹角不变。这一条，也是满足畴壁表面不出现磁荷的条件的必然结果。 21高级教学5.3 5.3 畴壁厚度和畴壁能计算畴壁厚度和畴壁能计算 在讨论畴壁形成时，对畴壁厚度和畴壁能只做了近似计算。当时假定在整个畴壁内，磁当时假定在整个畴壁内，磁矩是均匀过渡的，每个磁矩转向的角度都相矩是均匀过渡的，每个磁矩转向的角度都相等等。但是，实际情况中，磁矩在畴壁内不是均匀过渡的。畴壁内磁矩过渡规律

11、应由能量最小原理来确定。 22高级教学例，180畴壁。在畴壁内部相邻两原子层之间的原子磁矩转过角度 。畴壁中相邻原子层的两个原子间的交换能为对于简单立方晶体，每单位体积的原子个数为1/a3，因此单位体积内的交换能 23高级教学因此，单位面积的畴壁中的交换能 式中， 单位面积畴壁中的磁晶各向异性能为 为单位体积的磁晶各向异性能，它随自发磁化强度的方向而变化。单位面积畴壁总能量 24高级教学在稳定的畴壁状态中，畴壁内磁矩的转向角度 必须满足使总畴壁能为极小的条件。因此可以从上式极小的条件，求出 随z变化的关系。这是一个变分问题，对于任意小的变量 ，要求总的畴壁能改变 ，即 分别考虑，上式第一项为

12、其中使用了在 处 。 式中第二项 25高级教学因此得到所以用 同时乘以上式的两边，并对z从 到 积分， 因 为 时 ，得26高级教学此式具有非常重要的意义，表明畴壁内任一位置处磁此式具有非常重要的意义，表明畴壁内任一位置处磁化矢量取向分布处于平衡稳定状态时，其交换能和磁化矢量取向分布处于平衡稳定状态时，其交换能和磁晶各向异性能在这一位置上是相等的。晶各向异性能在这一位置上是相等的。在整个畴壁中磁晶各向异性能大的区域，相邻原子自旋磁矩转向的角度就大；磁晶各向异性小的区域，相邻原子自旋磁矩转向的角度就小。显然， 在晶体中各处并不相同。所以，磁矩在畴壁中旋转的角度变化率 也不是均匀的。 畴壁的能量密

13、度 27高级教学以上两式为计算畴壁厚度和畴壁能量的一般表达式。以下举例说明： 1 1单轴晶体中的单轴晶体中的180180畴壁畴壁 单轴晶体的磁晶各向异性能表达式 此式表示易磁化轴在方向。而关于磁畴壁能量的讨论中，易磁化轴在 所以，我们将上式变成 将上式代入下式得 查积分表：樊映川高数p351 28高级教学与z之间的关系如图所示。 在z=0处， 的变化率最大， 最大。因为在z=0处单轴晶体的磁晶各向异性为最大的难磁化方向，因此也是交换能最大的地方。在畴壁的两边磁矩转向逐渐变得平缓，没有一个明显的边界。 29高级教学为了计算方便，将z=0处磁矩旋转斜率近似为整个畴壁厚度的磁矩旋转斜率， 由此定义畴

14、壁的有效厚度 30高级教学计算180畴壁能量密度 将 代入上二式得到（比较近似计算结果： 31高级教学2 2立方晶体中的立方晶体中的9090畴壁畴壁坐标选取同前，处 处 90畴壁中的磁晶各向异性能 z=0处32高级教学所以 3 3立方晶体中的立方晶体中的180180畴壁畴壁 （略） 33高级教学5.4 5.4 磁畴结构计算磁畴结构计算 一、均匀铁磁体的磁畴结构计算一、均匀铁磁体的磁畴结构计算 均匀铁磁体是指完整理想晶体。在这种晶体内部，磁畴结构通常表现为排列整齐，而且均匀地分布在晶体内各个易磁化轴方向上。均匀铁磁体内的磁畴结构有：片状片状型磁畴、闭流型磁畴以及表面树枝磁畴结型磁畴、闭流型磁畴以

15、及表面树枝磁畴结构构等。 磁畴结构的计算主要是求出在稳定状态下求出在稳定状态下磁畴的宽度和磁畴的总能量磁畴的宽度和磁畴的总能量。34高级教学（一）开放型片状磁畴结构（一）开放型片状磁畴结构 片状磁畴结构单位面积的退磁场能量可以计算为式中D是片状磁畴的宽度，显然，片状磁畴的宽度D越小，退磁场能越小。 这里单位面积是指材料表面的长和宽各为1的面积。在高为L，表面为单位面积的体积内，设磁畴的宽度为D，则单位长度上有1/D块磁畴及1/D块磁畴壁，每块畴壁的面积为 35高级教学因此，在表面为单位面积的片状磁畴结构中，其畴壁面积为 所以在单位面积中的畴壁能为 式中， 为畴壁能密度。 所以，片状磁畴中的总能

16、量， 由总能量极小原理可以求出稳定状态下磁畴结构的磁畴宽度和磁畴总能量36高级教学D11DDDL37高级教学由以上二式看出，片状磁畴的宽度D与样品的高度L和畴壁能密度 有关，又因为 与磁各向异性有关 ，所以，片状磁畴的宽度D与样品的高度和磁晶各向异性常数有关 .38高级教学（二）闭流型（二）闭流型( (或封闭型）磁畴结构或封闭型）磁畴结构 闭流型磁畴结构：由主畴和闭合畴形成闭合磁路，使其上下表面退磁场能为零。所以，闭流型磁畴又称封闭型磁畴。同时，为了使主畴与闭合畴之间的畴壁面上不出现自由磁荷，则畴壁与其两侧畴内的磁化向量应成45角（畴壁结构第一定则），以保证畴壁面上无退磁场。 39高级教学1畴

17、壁结构第一定则相邻两端磁畴中的自发磁化矢量在畴壁法线方向的投影分量相等。若90畴壁，畴壁取向要满足畴壁表面不出现磁荷的条件，只能是相邻两磁畴中的磁化矢量在畴壁法线方向的投影分量相等。所以，180畴壁取向是平行于畴中磁化矢量的任意平面；90畴壁取向则是法线在相邻两畴的磁化矢量夹角的平分面上的任意平面。 2畴壁结构的第二定则畴壁中原子磁矩在畴壁内过渡时，始终保持与畴壁法线方向间的夹角不变。这一条，也是满足畴壁表面不出现磁荷的条件的必然结果。 40高级教学1. 立方晶体中的闭流型磁畴 对于K10的立方晶体，因其主畴和闭合畴内的磁矩均处在易磁化方向上，磁晶各向异性能为零磁晶各向异性能为零。当 时，由于

18、自发形变，主畴和闭合畴都要沿着自己的易磁化方向伸长，其中主畴伸长不受限制，可以推着闭合畴向其表面伸展，而闭合畴的伸长则受到两边主畴的限制，不能自由伸长，从而产应力，使磁畴中有弹性能产生。 41高级教学单位体积的弹性能为单位体积的弹性能为 （这里是纯弹性能，类似于弹簧的胡克定律） 设闭合畴的宽度为D，单位长度上有1/D个闭合畴。如果考虑材料晶体的上下表面，则单位 面积中共有2/D个闭合畴。每一个闭合畴的体积为D2/4，因此单位面积中闭合畴的体积为 故单位面积内总弹性能为 畴壁能：畴壁能： 由于D0的铁磁体出现闭流型磁畴更稳定。 43高级教学2 2六角晶体的闭流型磁畴六角晶体的闭流型磁畴 单轴各向

19、异性的六角晶体中，如果主畴在易磁化方向上，则闭合畴一定处在难磁化方向上，因此在六角晶体中引入闭合畴必然会使磁晶各向异性能增加。在这种情况下，闭流型磁畴主要考虑磁磁晶晶各各向向异异性性能能和和畴畴壁能壁能。六角晶体的单轴各向异性为 闭合畴在难磁化方向， 角度为90，所以 单位面积材料中，包含闭合畴的总体积D/2。单位面积材料内的磁晶各向异性 44高级教学同样方法得到 同样，对实际材料，根据材料的实际数值，利用开放性片状畴或闭流畴，计算总能量，比较大小就可以判定磁畴结构到底是开放性片状畴还是闭流畴。 再考虑畴壁能，单位面积磁畴总能量为 45高级教学（三）表面磁畴（三）表面磁畴 为了降低晶体表面总的

20、退磁场能量，将会在晶体的表面出现各种各样的表面精细畴结构或附加次级畴。表面磁畴的形成和分布形式与晶体表面取向有关，所以一般表面畴的形式较复杂。以下介绍几种典型的表面畴结构。 46高级教学1 1树枝状磁畴树枝状磁畴47高级教学产生原因：晶体表面与主畴中的磁化强度不平行。当它们之间有一个微小的倾角时，在晶体表面就会出现自由磁极，这使接近表面的畴区域产生了方向从N极到S极的退磁场，这样需要在晶体表面形成树枝状的表面精细畴。48高级教学在两主畴（180）界面的两侧的磁化强度与表面成微小倾角时，晶体表面上出现自由磁极（S和N极），产生了退磁场，导致退磁能的增加，为了减小退磁场能，在晶体表面引入一个附加的

21、闭合畴，从而使表面及界面出现正负相间的自由磁极，形成闭合磁路。这样就形成了树枝状的闭合磁畴。由于主畴和附加的闭合畴中磁化矢量相互垂直，之间的畴壁为90畴壁。按照90壁的取向原则，树枝状畴的畴壁沿45角方向向左右伸展。树枝状磁畴只在铁的晶体或三易磁化轴晶体中出现。 49高级教学2 2圆锥形磁畴圆锥形磁畴在单易磁化轴的晶体上，如果形成闭流形磁畴结构，将会由磁晶各向异性的引入，使晶体内的总能量增加。若在单易磁化轴晶体表面形成圆锥形的畴结构，则既可以降低表面退磁场能同时又是畴壁能增加不多。50高级教学3 3匕首封闭磁畴匕首封闭磁畴单轴各向异性晶体形成闭流形畴时，晶体表面退磁场能为零，但是增加了磁晶各向

22、异性能。单位面积材料中，包含闭合畴的总体积D/2。单位面积材料内的磁晶各向异性可以看出闭合畴的各向异性能与晶体厚度L的平方根成正比。如果晶体的厚度增加很大，则闭合畴的磁晶各向异性能也将随之增大，引起晶体中的总能量增大。为了降低闭合畴的磁晶各向异性能，只有减小闭合畴的体积，使其表面闭合畴发生分裂，并在晶体内部形成锥形或匕首封闭畴。 51高级教学二、非均匀铁磁体的磁畴结构计算二、非均匀铁磁体的磁畴结构计算 在非均匀铁磁体中，磁畴结构在很大程度上受材料内部存在不均匀性分布及其引起的内部退磁场作用的影响。 52高级教学（一）掺杂和空隙（空穴）对磁畴和磁畴壁的影响（一）掺杂和空隙（空穴）对磁畴和磁畴壁的

23、影响 杂杂质质对对磁磁畴畴的的影影响响：晶体材料中有掺杂或气泡时，由于磁化矢量的不连续分布必然会在杂质或气泡周围界面上产生磁极形成局部区域内的退磁场，退磁场在磁极附近的方向同原有磁化方向有很大差别，这就造成这些区域在新的方向上产生磁化，导致形成掺杂物或空隙上附着的二次级畴。存在次级畴，退磁场能降低了，但又增加了畴壁能。因此，杂杂质质周周围围的的磁磁畴畴结结构构取取决决于于退退磁磁场场能能和和畴畴壁壁能能二二者者所所决决定定的的平平衡衡条条件件。参考钟书p14253高级教学54高级教学当杂质位于畴壁上，犹如杂质对畴壁有穿孔作用，退磁场能比未穿孔时减小一半，而且畴壁的面积也相应减小一个杂质的园面积

24、，退磁场能和畴壁能均减小退磁场能和畴壁能均减小；当杂质在畴壁附近（未穿过畴壁），杂质使退磁场能增加很大。比较而言，畴壁位于杂质中心处，为最稳定状态，如果要使畴壁从杂质中心处离开，就需要外磁场的功。杂质或空穴极大影响材料畴壁位移的难易程度（后文讨论，参考钟书p143）。 杂质对畴壁的影响：杂质对畴壁的影响：55高级教学56高级教学（二）应力分布对磁畴结构的影响（二）应力分布对磁畴结构的影响 当晶体有应力时，自发磁化矢量的取向分布决定于晶体中（ ）的极小值。如果铁磁体中各处的应力分布不同，则晶体中的 也随应力的分布而改变。因而自发磁化矢量的分布也将会随 的变化而变化。但是，由于自发磁化方向的改变，

25、在晶体内部产生磁极或退磁场，为了降低晶体内的退磁场，又必然会引起磁畴结构的变化。 57高级教学1 1均匀应力的影响均匀应力的影响 如果 ，自发磁化矢量仅仅由 作用。均匀应力作用导致晶体具有单轴各向异性，晶体内只有或者有利于180畴壁。（例子） 58高级教学（1 1）应力的分布只有幅度的变化）应力的分布只有幅度的变化 设应力分布模型， 当铁磁体 时磁畴内的磁化矢量只能取与应力平行或反平行的方向，即由应力能所决定的易磁化方向。这时在晶体内将形成180畴壁。由5.2节讨论可知，畴壁能密度为 。因为应力随位置而变化，所以畴壁能密度随位置也变化 。当畴壁位于应力分布的最小位置时，畴壁能量密度也取最小。因

26、此在这种情况下，只有180畴壁存在，而且畴壁处在应力分布的最小位置。 2 2非均匀应力的影响非均匀应力的影响 59高级教学60高级教学（2 2）应力分布不仅有大小变化而且有性质的变化）应力分布不仅有大小变化而且有性质的变化 设应力分布模型 在这种应力分布模型中，设 ，则在每一个应力性质交替处，一定存在一个90畴壁，而且应力能和畴壁能均为最小，形成稳定的磁畴结构 61高级教学62高级教学（三）多晶体的磁畴结构（三）多晶体的磁畴结构 在多晶中，每一个晶粒都有自己的易磁化方向，在晶粒边界处，由于晶界两侧的晶粒的取向不同，在一般情况下，在晶粒边界上会出现自由磁荷，引起退磁场能增加。因因此此多多晶晶体体

27、中中磁磁畴畴结结构构要要出出现现稳稳定定结结构构，只只有有相相邻邻晶晶粒粒中中磁磁畴畴取取向向尽尽可可能能使使晶晶界界上上少少出现磁荷，退磁场能才会最小出现磁荷，退磁场能才会最小。如果晶界上存在自由磁荷，退磁场能足够高时，也会在多晶体的晶粒边界上形成一定大小的楔型附加畴。因此，多晶体中的晶粒边界也是产生附加畴的一个发源地。 63高级教学三、单畴结构的计算三、单畴结构的计算 在大块材料中，若不形成多畴，则退磁场能很高，所以大块材料以多畴形式最稳定。多畴的大块材料只有在很强的外磁场作用下，才会磁化至饱和状态，整个材料的磁矩基本上取在一个磁化方向上（外场方向），近似一个单畴。若铁磁材料的尺寸变得很小

28、，成为多畴时的畴壁能比单畴的退磁场能还高，这时材料有可能不分畴，只好形成单畴。这样的小颗粒称为单畴颗粒。 64高级教学（一）单畴临界尺寸（一）单畴临界尺寸所谓临界尺寸是指铁磁体颗粒的尺寸小于某一尺寸时，整个晶体成为一个单畴，能量最低，结构最稳定。当铁磁体的尺寸大于该尺寸时，具有多畴结构。 大致计算方法：大致计算方法：首先提出磁畴结构模型，然后计算各种能量加以比较，能量最低的畴结构最稳定，依此判断是多畴还是单畴。65高级教学假设所考虑的铁磁体为球形颗粒。以下给出几种可能的磁畴结构 (a)铁磁体的各向异性非常弱，磁矩取圆形磁通闭合式结构。(b)具有三易磁化轴的立方晶体，磁晶各向异性比较强，磁化矢量

29、都在易磁化方向，且互相垂直。(c)强的单轴磁晶各向异性晶体，形成180畴壁。(d)单畴。 66高级教学67高级教学因为临界尺寸R0代表单畴和多畴的分界点，故这时的单畴和多畴的能量相同。对于单畴情况，单位体积的退磁场能为 整个单畴颗粒的退磁场能是 对于形成90畴壁的立方晶体（K10），退磁场能和各向异性能均可忽略，只需考虑畴壁能，其为 68高级教学比较以上二式，退磁场能 为体积能；畴壁能 为面积能。在R增大时，退磁场能增加快，多畴时的畴壁能小，多畴更稳定；在R减小时，单畴的体积能减小得快，单畴更稳定；在临界尺寸R0时，二者相等， 由此可以计算出临界半径 （此式为K10时的立方晶体的临界半径） 6

30、9高级教学（二）弱磁晶各向异性晶体的单畴临界尺寸（二）弱磁晶各向异性晶体的单畴临界尺寸 这种晶体因为磁晶各向异性小，其中的磁矩可沿球的圆周方向排列，没有自由磁荷（退磁能）。但是由于相邻磁矩之间有一定的夹角，交换能增加。设在一个圆周上，周长为 ，若原子间距为a，那么该圆周上相邻磁矩之间的夹角为 70高级教学相邻原子间交换能增量为 在一个圆圈上原子所具有的交换能为 球形颗粒可以认为是由很多空心圆柱组成，每一个空心圆柱体由 个圆环组成，每一个圆柱的交换能=圆环的交换能*圆环的个数，即 71高级教学整个球型颗粒的总交换能 在临界尺寸为R0时，满足 即 72高级教学（三）单轴磁晶各向异性晶体的单畴临界尺

31、寸（三）单轴磁晶各向异性晶体的单畴临界尺寸 单轴各向异性晶体的多畴球形颗粒，主要考虑退磁场能和畴壁能，畴壁为180壁，畴壁能 退磁场能可以看成单畴的一半 因此，临界尺寸时， 得到 73高级教学综上所述，各种不同材料的晶体颗粒，都有它们自己的临界尺寸。单畴颗粒不存在畴壁，不会有畴壁位移磁化过程，只有磁畴转动过程。若各向异性较高时，用这种颗粒做成永若各向异性较高时，用这种颗粒做成永磁材料，会具有高的矫顽力磁材料，会具有高的矫顽力。相反如果软磁材料中颗粒太小，成为单畴颗粒，则会降低磁导率。 74高级教学5.5 薄膜的磁畴结构薄膜的磁畴结构 磁性薄膜的磁畴结构随薄膜的厚度不同而变化。 一、薄膜的畴壁和

32、磁畴结构一、薄膜的畴壁和磁畴结构 在前面的讨论中，曾经指出，布洛赫壁取向要求畴壁面上不出现自由磁荷。但是畴壁与铁磁晶体表面交界处不可避免地出现磁荷。当铁磁晶体的尺寸变得足够小变成薄膜时，这个表面退磁场对布洛赫壁的影响就显得十分重要。75高级教学长轴L方向的退磁因子 。由于在薄膜上下表面分布的自由磁极是不均匀的，畴壁中间最大，两边为零。因此椭球柱体中的磁化强度要引进平均磁化强度。 以下估计布洛赫壁中表面退磁场的影响：如果将表面中的布洛赫壁看成一个椭圆界面的柱体。椭圆的长轴为L短轴为76高级教学77高级教学这里， 为MS对y轴的夹角，它是x的函数，写成当 时，当x=0时，则，畴壁与晶体交界表面退磁

33、能密度 单位面积畴壁的体积为 ，则单位面积畴壁的退磁场能为 78高级教学假设薄膜为单轴各向异性时，磁晶各向异性能为单位面积畴壁中的磁晶各向异性能为同样，单位面积畴壁中的交换能为（5.2节已经讨论过） 式中 ，这里 与晶体结构的形式有关，简单立方为1）79高级教学单位畴壁面积内总能量为 根据平衡条件， 。可以求得 。根据材料的实际参数就可计算布洛赫壁能量密度随厚度L的变化关系。结果显示， 随L的减小而增加。 80高级教学关于奈尔壁，退磁场能为 总能量 计算结果表明，薄膜的厚度L越小，奈尔壁的畴壁能也就越小。对于薄膜，可以求出一个临界厚度，表明薄膜形成何种畴壁的临界值。一般而言，当厚度L10-7

34、m时，为布洛赫壁；介于二者之间时，为一种十字壁。 81高级教学二、磁泡（二、磁泡（magnetic bubblemagnetic bubble） 磁泡是一种在某些薄膜磁性材料中出现的一种圆圆柱柱形形磁磁畴畴。磁泡材料有：钙钛矿型正铁氧体、磁铅石型铁氧体、石榴石型铁氧体以及非晶态磁泡材料等。无外磁场时，在磁泡材料中可以观察到许多条状磁畴。当在垂直于膜面方向加一个外磁场时，条状磁畴会收缩，而当磁场加到一定程度时，就会收缩到圆柱状。这些圆柱状磁畴在薄膜表面为圆形，犹如表面上浮着的水泡，故称为磁泡。磁泡的直径在1-100 之间。82高级教学 图图1 软畴段软畴段 Fig 1 soft domains图

35、图2 硬条畴硬条畴Fig 2 hard stripe domains 图图3 多枝畴多枝畴 Fig 3 multi-branched domains图图4 Hb=Hsb时的硬磁畴时的硬磁畴Fig 4 hard domains83高级教学84高级教学85高级教学86高级教学产生磁泡的材料为单轴各向异性，易磁化轴垂直薄膜的表面。当外磁场为零时，薄膜内的自发磁化而形成条状磁畴。当加上小的外磁场时，凡与外磁场方向一致的磁畴体积扩张，与外磁场方向相反的磁畴体积缩小。当外磁场增加到一定大小时，足以使那些与外磁场方向相反的磁畴收缩变小形成磁泡。假设磁泡为圆形的柱状畴，其内包含三种能量作用：畴壁能 ，外磁场能

36、 退磁能 。 87高级教学总能量 畴壁能 外磁场能密度 ，则磁泡的外磁场能 退磁场能较复杂，引用现成公式， 式中， 表示一个函数关系 所以， 将上式两边用（ ）去除，得 88高级教学实际上， 是圆柱形畴的畴壁面积。因此，上式物理意义：在等式的左边表示作用在单位面积畴壁上的压力；在等式的右边，第一项( (畴畴壁壁能能产产生生的的作作用用力力) )和第二项（外外磁磁场场能能产产生生的的作作用用力力）均是负的，表示作用在单位畴壁上的压缩磁畴的力。第三项（退退磁磁场场产产生生的的作作用用力力）是正的，表示作用在单位畴壁面积上扩张圆柱形畴的力。平衡状态时，压缩力和扩张力相等。89高级教学 上式各项的量纲

37、是压强的量纲，再将其除以( ），各项变成无量纲的量。有令 代表一个特征长度，是与材料性能有关的一个物理量。再用 ，上式又化简为 90高级教学考虑到 函数的复杂性，一般采用作图法求解，将上式改写 令， 作 关系图（直线）；再作 曲线图；二线的交点，即为解。91高级教学曲线表示向外扩张的力直线表示向内压缩的力92高级教学讨论：曲线和直线的交点随直线 的斜率 而不同。 （1）当H不很大时，斜率 也不很大，直线和曲线有两个交点a和b。实际上a是不稳定的。从交点b所对应的位置即可得到厚度为h的薄膜内磁泡的泡径d的数值。 （2）当斜率 足够大，两个交点变成一个，不稳定的交点。此时对应该材料的临界泡径（不能

38、再小了）；以及临界外磁场（不能再大了）。 93高级教学（3）磁场大于临界场，磁泡破灭，又称其为破灭场。对于一定的材料，其特征长度厚度h越大，则 越小，直线斜率 的上限越大，外场H的上限越大。这说明厚度越大，对应的破灭场越大，临界泡径越小。不论厚度多厚，斜率的最大值为 （解释见本节附录解释见本节附录）。由此可见要形成磁泡，必须要求，是一定的。94高级教学综上所述，产生磁泡的条件：（1）材料具有一定的单轴各向异性 。（3）当薄膜的厚度为h=4l时，产生磁泡的最小泡径为d dminmin=4l=4l，而相应的外场（2）外场满足95高级教学附录：F(d/h)函数的讨论o当d/h1时，F(d/h)函数可

39、以展成级数形式，oF(d/h)=(d/h)-(2/pi)(d/h)2+(1/4)(d/h)3o或写成oF(x)=(x)-(2/pi)(x)2+(1/4)(x)3o有关系式odF/dx=1-(4/pi)(x)+(3/4)(x)2o所以，在x=0 (d/h=0)处，dF/dx|x=0=196高级教学5.6 磁畴、磁畴壁观察技术磁畴、磁畴壁观察技术 从实验原理上，有四种观察技术：1粉纹方法2磁光效应方法3电镜方法4X射线形貌学方法 97高级教学一、粉纹方法一、粉纹方法将含有强磁性微粒子悬浮胶体溶液滴到铁磁体表面上，显微镜下观察磁畴和畴壁。胶体中的磁性粒子被吸引到铁磁体表面漏磁密度变化急剧的地方。这样

40、，用显微镜观察到的微粒聚集行为恰好显示按磁畴界壁分布的图形。实验仪器：金相显微镜，抛光机、磁性胶体溶液。磁性胶体的制备： 98高级教学二、磁光效应方法二、磁光效应方法利用磁化造成透射光（法拉第磁光效应）或反射光（克尔磁光效应）的偏振面的旋转来确定磁畴的方法。对于透明的铁磁体，利用法拉第磁光效应观察透射偏振光线；对于不透明的铁磁体，利用克尔磁光效应观察反射偏振光线。三、电镜方法三、电镜方法使电子束穿过铁磁薄膜，电子束就会受到磁体内的磁场作用而发生偏转。 99高级教学四、四、X X射线形貌学方法射线形貌学方法当X射线入射到薄的铁磁单晶片，通过检测磁致伸缩而间接的得到磁畴结构。由于自发磁化形变，造成晶格间距变化，当X射线通过应变区域时，其衍射角发生变化，衍射线将偏离狭缝，不能到达底片。 100高级教学