EM技术员培训教材I

上传人:ni****g 文档编号:567969377 上传时间:2024-07-22 格式:PPT 页数:18 大小:23.40MB
返回 下载 相关 举报
EM技术员培训教材I_第1页
第1页 / 共18页
EM技术员培训教材I_第2页
第2页 / 共18页
EM技术员培训教材I_第3页
第3页 / 共18页
EM技术员培训教材I_第4页
第4页 / 共18页
EM技术员培训教材I_第5页
第5页 / 共18页
点击查看更多>>
资源描述

《EM技术员培训教材I》由会员分享,可在线阅读,更多相关《EM技术员培训教材I(18页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、第1页,共18页。EMI镀膜镀膜n n主要分类有两大种类:蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜,具体则包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,溶胶凝胶法等等第2页,共18页。蒸发镀膜蒸发镀膜 n n一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来,并且沉降在基一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来,并且沉降在基片表面,通过成膜过程(散点岛状结构片表面,通过成膜过程(散点岛状结构- -迷走结构迷走结构- -层状生长)形成薄膜。层状生长)形成薄膜。 厚度均匀性主要取决于:厚度均匀性主要取决于: 1 1、基片材料与靶材的晶格匹配程度、基片材料与靶材的晶格匹配程度 2 2、

2、基片表面温度、基片表面温度 3 3、蒸发功率,速率、蒸发功率,速率 4 4、真空度、真空度 5 5、镀膜时间,厚度大小。、镀膜时间,厚度大小。 组分均匀性:组分均匀性: 蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证,具体可以调控的因素同上,但是由于蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证,具体可以调控的因素同上,但是由于原理所限,对于非单一组分镀膜,蒸发镀膜的组分均匀性不好。原理所限,对于非单一组分镀膜,蒸发镀膜的组分均匀性不好。 晶向均匀性:晶向均匀性: 1 1、晶格匹配度、晶格匹配度 2 2、基片温度、基片温度 3 3、蒸发速率、蒸发速率 第3页,共18页。溅射类镀膜溅射类镀膜 n n利用电子或高能激光轰击靶

3、材,并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来,并且最终沉积在基片表面,经历成膜过程,最终形成薄膜第4页,共18页。Ar基板Pump抽真空靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr1.真空中通入氬氣(Ar),含有 微量的氬離子(Ar+) 。8.8.若氬氣持續通入,則電漿持若氬氣持續通入,則電漿持 續產生。續產生。濺 鍍 原 理電源供應器2.於電極板加負高壓電。 3.帶正電的氬離子 (Ar+) 被負 高壓電吸引。Ale-4.Ar+撞擊靶材產生電子(e-) 及轟擊出镍原子(Nl) 。Ar+e-e-5.e-撞擊Ar Ar+ e- + e-。Al6.鋁原子沉積在素材基板上。7.Ar+重複 3. 6. 。

4、第5页,共18页。鍍膜參數介紹氣體壓力製程氣體通量鍍膜功率鍍膜時間使用靶數T/S(Target/Substrate)距離第6页,共18页。氣 體 壓 力 (一)壓力低壓力低腔體內部氣體粒子少腔體內部氣體粒子少撞擊靶材的撞擊靶材的Ar+變少變少壓力高腔體內部氣體粒子多ArAr+ +變多ArAr+到達靶材前碰撞其他粒子機率變大靶原子到達基板前與氣體碰撞的機率變大Ar低真空鍍膜AlAlAr+Ar+Ar+AlAr高真空鍍膜Ar+AlAlAlAr+第7页,共18页。氣 體 壓 力 (二)常用的濺鍍壓力10-3 10-2 Torr(110m Torr)粗略真空粗略真空中度真空中度真空高真空高真空超高真空超

5、高真空壓力壓力(Torr)760 11 10-310-3 10-7 10-7平均自由平均自由徑徑(cm) 10-210-2 1010 105 105第8页,共18页。製程氣體通量1.通入太少 無法維持電漿2.通入太多 未參與碰撞之Ar變成殘餘氣體 增加pump之負荷 與靶原子一起沉積在基板上的 機率變大3.須視鍍膜壓力來設定通入量第9页,共18页。1.高功率單一離子所擊出的靶原子較多 可縮短鍍膜時間瞬間產生的熱較多2.低功率單一離子所擊出的靶原子較少 會延長鍍膜時間鍍膜溫度較低鍍膜功率第10页,共18页。功率-時間-靶數之關係鍍膜厚度的直接影响參數可利用功率時間靶數之乘積變換不同參數鍍相同膜厚

6、,例如:8KW2S3靶8KW3S2靶低功率時,鍍膜速率與功率非呈線性,例如:8KW2S3靶4KW4S3靶2KW8S3靶第11页,共18页。T / S 距 離1.靶材到基板距離2.T/S短可增加鍍膜率,但基板受熱亦增加3.T/S太長,則沉積的靶原子與其他粒子碰撞機率增大 鍍膜速率降低 基板受熱降低第12页,共18页。第13页,共18页。lEMI生产工艺流程生产工艺流程第14页,共18页。l治具设计及成型的要求治具设计及成型的要求1.EMI1.EMI治具要求,密封严实,所有需遮镀位置配合尺治具要求,密封严实,所有需遮镀位置配合尺度为度为0 0对对0 0,以免造成产品多镀,飞油。,以免造成产品多镀,

7、飞油。2.EMI2.EMI治具死角位置设计要求有倒角,防止因角度过小治具死角位置设计要求有倒角,防止因角度过小镀膜层过薄而导致电阻偏高镀膜层过薄而导致电阻偏高 。3.3.成型原料要求为一次性成型原料要求为一次性PCPC水口料,因蒸渡时,炉内温度水口料,因蒸渡时,炉内温度约为约为300300o oC,C,要求具有一定耐高温性,避免变形,保证治具量要求具有一定耐高温性,避免变形,保证治具量产中品质,严禁有拉膜治具流入,残留胶丝产中品质,严禁有拉膜治具流入,残留胶丝/ /毛边须修整平齐、毛边须修整平齐、不允许有变形及明显的缩水现象、水口位须修剪平整不允许有变形及明显的缩水现象、水口位须修剪平整, ,

8、不可高不可高于水口平台、治具表面上不允许有油污。于水口平台、治具表面上不允许有油污。4.4.所有治具设计外观面不得出现有加强筋。如图。所有治具设计外观面不得出现有加强筋。如图。5.5.产品、治具装配大面积接触面要注意保证省模平整度。产品、治具装配大面积接触面要注意保证省模平整度。死角位置注意倒角,保证死角位置注意倒角,保证电阻电阻治具外观面不得出现有治具外观面不得出现有此类加强筋此类加强筋第15页,共18页。l 对素材要求对素材要求检验条件检验条件检验条件检验条件n n1 1检验应在检验应在40Wx240Wx2日光灯下日光灯下1 12m2m距离内,目视距离为距离内,目视距离为20-30cm20-30cm,目测产品表面时,目测产品表面时间在间在8-108-10秒钟。秒钟。n n2 2检验员视线与产品表面角度在检验员视线与产品表面角度在4545度至度至9090度范围内旋转。度范围内旋转。第16页,共18页。THE END!祝各位工作愉快!第17页,共18页。演讲完毕,谢谢观看!第18页,共18页。

展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 建筑/环境 > 施工组织

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号