MOS开关与传输门特性分析【应用材料】

上传人:桔**** 文档编号:567958657 上传时间:2024-07-22 格式:PPT 页数:23 大小:793.50KB
返回 下载 相关 举报
MOS开关与传输门特性分析【应用材料】_第1页
第1页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析【应用材料】_第2页
第2页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析【应用材料】_第3页
第3页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析【应用材料】_第4页
第4页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析【应用材料】_第5页
第5页 / 共23页
点击查看更多>>
资源描述

《MOS开关与传输门特性分析【应用材料】》由会员分享,可在线阅读,更多相关《MOS开关与传输门特性分析【应用材料】(23页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、MOS开关与传输门特性分析开关与传输门特性分析1沐风书苑沐风书苑 单开关电路单开关电路输输入入信信号号输输出出信信号号2沐风书苑沐风书苑MOS管的四种基本类型管的四种基本类型GSDN 沟道耗尽型沟道耗尽型GSDN沟道增强型沟道增强型MOS(MentalOxideSemiconductor) 金属金属 氧化物氧化物 半导体半导体场效应管场效应管3沐风书苑沐风书苑GSDP 沟道增强型沟道增强型GSDP 沟道耗尽型沟道耗尽型在数字电路中,多采用增强型。在数字电路中,多采用增强型。4沐风书苑沐风书苑GSDN沟道增强型沟道增强型源极源极栅极栅极漏极漏极5沐风书苑沐风书苑MOS管的结构和工作原理管的结构和

2、工作原理6沐风书苑沐风书苑vGS=0时时PNNGSDvGSvDSiD=0D、S间间相当于两相当于两个背靠背个背靠背的的PN结结不论不论D、S间有无电压,均无法导通,不能间有无电压,均无法导通,不能导电。导电。7沐风书苑沐风书苑PNNGSDVDSVGSvGS0时时vGS足够大时足够大时(vGSVGS(th)),),形成电场形成电场GB,把把衬底中的电子吸引衬底中的电子吸引到上表面,除复合到上表面,除复合外,剩余的电子在外,剩余的电子在上表面形成了上表面形成了N型型层(反型层)为层(反型层)为D、S间的导通提供了间的导通提供了通道。通道。VGS(th)称为阈值电压称为阈值电压(开启电压)开启电压)

3、源极与源极与衬底接衬底接在一起在一起N沟道沟道可以通过改变可以通过改变vGS的大小来控制的大小来控制iD的大小。的大小。8沐风书苑沐风书苑MOS管的输入、输出特性管的输入、输出特性 对于共源极接法的电路,栅极和衬底之间被二氧对于共源极接法的电路,栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离,所以化硅绝缘层隔离,所以栅极电流为零栅极电流为零。输出特性曲线输出特性曲线(漏极特性曲线)(漏极特性曲线)9沐风书苑沐风书苑夹断区(截止区)用途:用途:做无触点的、断开状态的做无触点的、断开状态的电子开关电子开关。条件:条件:整个沟道都夹断,整个沟道都夹断,源极和漏极之间没有导通源极和漏极之间没有导通沟道。沟道。 特

4、点:特点:10沐风书苑沐风书苑可变电阻区特点特点: :(1)(1)当当vGS 为定值为定值时时,iD 是是 vDS 的线性函数,的线性函数,具有类似与线性电阻的具有类似与线性电阻的性质,且其阻值受性质,且其阻值受 vGS 控制。控制。 (2)管压降管压降vDS 很小。很小。用途:用途:做做压控线性电阻压控线性电阻和无触点的、闭合状态的和无触点的、闭合状态的电子开关电子开关。条件:条件:源端与漏端沟源端与漏端沟道都不夹断道都不夹断 11沐风书苑沐风书苑恒流区:恒流区:(又称饱和区或放大区)又称饱和区或放大区)特点特点:(1)受控性受控性: 输入电压输入电压vGS控制输出电流控制输出电流(2)恒流

5、性:恒流性:输出电流输出电流iD 基本上不受输出电压基本上不受输出电压vDS的影响。的影响。条件条件:(1)源端沟道未夹断源端沟道未夹断 (2)漏端沟道予夹断漏端沟道予夹断 用途用途:可做可做放大器放大器和和恒流源恒流源。12沐风书苑沐风书苑MOS管开关等效电路管开关等效电路 当当vI=vGSVGS(th)且且vI继续升高时,继续升高时,MOS管工作在可变管工作在可变电阻区。电阻区。MOS管导通内阻管导通内阻RON很小,很小,D-S间相当于闭合间相当于闭合的开关的开关,vO0。14沐风书苑沐风书苑传输门输出特性传输门输出特性 传输门(传输门(TG)的应用非常广泛,不仅可以)的应用非常广泛,不仅

6、可以作为基本单元电路构成各种逻辑电路,用于信作为基本单元电路构成各种逻辑电路,用于信号传输,而且在取样号传输,而且在取样保持电路、斩波电路、保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路中传输模拟信号,因而又模数和数模转换电路中传输模拟信号,因而又称为模拟开关。称为模拟开关。15沐风书苑沐风书苑 CMOS传输门由一个传输门由一个P沟道和一个沟道和一个N沟道沟道增强型的增强型的MOSFET并联而成,如下图所示。并联而成,如下图所示。电路结构电路结构逻辑符号逻辑符号16沐风书苑沐风书苑 C和和C是一对互补的控制信号是一对互补的控制信号,设控制信号的设控制信号的高低电平分别为高低电平分别为VDD和和0V,那

7、么当那么当C=0时时,只要输入只要输入信号的变化范围不超出信号的变化范围不超出0VDD,则则Vi=0VVDDVGS1=0V -VDD,T1始终截止始终截止;VGS2=VDD 0V, T2始终截止始终截止。 T1和和T2同时截止,输入与输出之间呈高阻同时截止,输入与输出之间呈高阻(109 ),传输门截止。,传输门截止。17沐风书苑沐风书苑 当当C端接端接+5V,C端接端接0时,时,Vi在在0+3V的范围内,的范围内,T1导通。导通。Vi在在0+3V的范围内,的范围内,T2导通。由此可知,当导通。由此可知,当Vi在在0+5V之间变化之间变化时时T1和和T2至少一个是导通。至少一个是导通。VO=Vi

8、,信号可,信号可以传输过来。以传输过来。 由于由于T1、T2管的结构形式是对称的,即漏管的结构形式是对称的,即漏极和源极可互换使用,因而极和源极可互换使用,因而CMOS传输门属于传输门属于双向器件,它的输入端和输出端也可互易使用。双向器件,它的输入端和输出端也可互易使用。18沐风书苑沐风书苑 利用利用CMOS传输门和传输门和CMOS反相器可以组反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路,如数据选择器、寄合成各种复杂的逻辑电路,如数据选择器、寄存器、计数器等等。存器、计数器等等。 举例利用举例利用CMOS传输门和传输门和CMOS反相器构反相器构成异或门。成异或门。19沐风书苑沐风书苑AB TG1TG2

9、Y0 00 0通通断断00 01 1通通断断11 10 0断断通通11 11 1断断通通020沐风书苑沐风书苑双向模拟开关双向模拟开关 传输门的另一个重要用途是作模拟开关,传输门的另一个重要用途是作模拟开关,用来传输连续变化的模拟电压信号。这一点用来传输连续变化的模拟电压信号。这一点是无法用一般的逻辑门实现的。模拟开关的是无法用一般的逻辑门实现的。模拟开关的基本电路是由基本电路是由CMOS传输门和一个传输门和一个CMOS反反向器组成的,如下图所示。和向器组成的,如下图所示。和CMOS传输门传输门一样,它也是双向器件。一样,它也是双向器件。21沐风书苑沐风书苑 假定接在输出端的电阻为假定接在输出端的电阻为RL,双向模拟双向模拟开关的导通内阻为开关的导通内阻为RTG。 当当C=0时,开关截止,输出与输入之时,开关截止,输出与输入之间的联系被切断间的联系被切断Vo=0。 当当C=1时,开关接通,输出电压为:时,开关接通,输出电压为:电压传输系数电压传输系数:22沐风书苑沐风书苑谢谢观看!谢谢观看!23沐风书苑沐风书苑

展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 办公文档 > PPT模板库 > 总结/计划/报告

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号