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1、场发射显示器之展望场发射显示器之展望The Prospects of Field Emission Displays 大同公司FED 研发处罗吉宗处长 DVMDFED vs other displays. What is the Field Emission Display (FED) ？ . Kindsof field emission display.The traditional FEDs PixTech, Motorola,Candescent/Sony, Futaba.The New Approaches pFED, SED and CNT FED. The prospects of
2、 commercial FED. 简报内容 简报内容. FED vs other displays. What is the Field Emission Display (FED) ？ . Kindsof field emission display.The traditional FEDs PixTech, Motorola,Candescent/Sony, Futaba.The New Approaches pFED, SED andCNT FED. The prospects of commercial FED.FED 与其他类型显示器之特性比较: good ;: medium ; X
3、 : badOOOO(75%NTSC)(72%NTSC)(90%NTSC)(75%NTSC)(94%NTSC)Color Fidelity(5000:1)X(1000:1)O(3000:1)(5000:1)(10000:1)Contrast (Dark)ooo(800nits)(600nits)(640nits)o(400nits)(800nits)BrightnessX(525line)(1920x1080)X(1024x768)(1920x1080)o(200W)o(240W)X(385W)(1920x1080)High Resolution(150W)(150W)Low Power Co
4、nsumption(1ms)X(8ms)(1ms)(1ms)(8600:1Announced on Sep. 14, 2004(Surface-conduction Electron-emitter Display,CNT-FEC 发展较为积极的公司有日本的伊势电子,NEC,三菱电机，韩国的三星电子丄 G 电子，台湾的工研院电子所等 .CNT 为较佳电子发射源之理由：表面传导电子发射显示器 )高宽比 (aspect ratio) 大, 尖端的曲率半径小 , 易穿隧电子 .Conductivity 大, 导电 , 导热佳化性稳定 , 机械强度强 .SID 2000 Display of the
5、YearSilver Award WinnerSource: ISE (2001)ISEs Field Emission Lamp ModuleCNT- FEDCNT- FEDISEs FEDCNT- FEDISEs FEDTest image of a fully sea 9-inch CNTs-FED (Samsung)CNT- FEDSamsungs CNT-FEDSamsung 在 2003 年 IVMC 以录影展示自家 38 吋 CNT FEDDVMDThe prospects of commercial FEDCNT易结团难均匀分布,浆料之调制技术与不同之涂布 emitter技术尚
6、在发展中 但LCD之背光源(BLU)或高亮度灯具结构较简单,将可於一两年内上市,再向 CNT-FEDk 市努力.商用的大面积 FED 技术，将有 pFED,SED&CNT-FED 出.Toshiba & Cannon 已宣 布将於 2007 年正式量产 SED.CN之场发射源应用将以背光源或高亮度灯具为优 先.大同公司的 FED 技术展望：大同公司之 FED 技术竞争力：大同公司在 92 年业界科专开始 FED 研发工作，至今已拥有高精细网印技术，阳极板制作技术 , 真空封装技术 , 并在上期计划展示 4 吋 color FED panel.大同公司有 CRT,TFT-LCD,PDP 勺技术基
7、础,对 FED 的研发助益很大,在这期计 划中有三项技术优势 :制作有特色之 FED 阴极板：以网印的厚膜技术实现大面积 化,以黄光微影技术 提高影像解析度和画素均匀性 .开发 printable spacer：应用网印和喷砂技术制作稳定的 Spacer 架构 , 因有华 映制作 PDP rib 的经验, 成功的机会很高 .使用 MIMIV 的 PFE IPs 调制最佳的 emitter 和 insulator 浆料,并在 spacer 上 以薄膜技术解决辉光闪烁问题，因有 MIMIV 专家指导,我们有信心做好这些关键 技术 .A:9294 年:Dy node 强化场发射核心技术开发与智权布局
8、（业界科专计画） B:9596年:20 吋场发射显示技术深耕（业界科专计画-本计划）C:97 年:大於 40 吋场发射显示面板试验工厂D:98 年:BLU 量产E:99 年: 大於 40 吋场发射显示面板产品量产 量产性A （Lab）商品规格检讨 建立基础技术 智权布局B （ 技术深耕 ）20FED驱动电路面板设计 制程验证 制程 QC产品规格Pilot 规划C （Pilot Plant）验证40的大尺寸化 FED 技术建立良品率与产能分析 成本分析设备采购与厂房建构 C1安装试车 C2良率改善 C3D （ 试量产 ） & BLU 量产年产量年产值（BEP）市占率AB94969899C1C2C3D979593E （ 量产） 量产大於 40 吋以上面板welcome!Thanks for your attentions. Comments are
