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1、芯片制造工艺与芯片测试芯片制造工艺与芯片测试展讯通信展讯通信 人力资源部人力资源部 培训与发展组培训与发展组2021/3/111展讯通信-人力资源部-培训与发展组芯片的制造工艺芯片的制造工艺1IC 产业链产业链2 Wafer 的加工过程的加工过程3 IC 的封装过程的封装过程4 芯片的测试芯片的测试 芯片工艺制造小结芯片工艺制造小结2021/3/112一、一、IC 产业链产业链IC 应用应用硅片硅片掩膜掩膜半导体设备半导体设备材料厂商材料厂商IP/设计服务设计服务IC设计设计ICIC掩膜数据掩膜数据用户需求Wafer CPWafer加工加工封装封装Test交货交货成品成品中测中测2021/3/
2、113半导体圆柱单晶硅的生长过程制备制备Wafer2021/3/114二、二、Wafer加工过程加工过程2021/3/115光刻光刻 Photolithography2021/3/1161.Waferprepare,deepNwelllithoandimpl.DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程2021/3/117DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程2.Padoxide,nitridedeposit,diffusionlitho,trenchetch2021/3/118DeepNwell3.Trenchoxide,litho,etchandCMP;Nitride
3、removeandsacoxide二、二、Wafer加工过程加工过程2021/3/119DeepNwell4.Pwelllitho,impl.,VTNimpl.二、二、Wafer加工过程加工过程2021/3/1110DeepNwell5.Nwelllitho,impl.;VTPphoto,impl.二、二、Wafer加工过程加工过程2021/3/1111DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程6.Sacoxideremove,gate1oxideandlitho,gate2oxide2021/3/1112DeepNwell7.Polydeposit,litho,andetch;NL
4、DDphotoandimpl.;PLDDphotoandimpl.;Spacerdep.andetch二、二、Wafer加工过程加工过程2021/3/1113DeepNwell8.N+S/Dphotoandimpl.;P+S/Dphotoandimpl.二、二、Wafer加工过程加工过程2021/3/1114DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程9.RPOdeposit,photoandetch;Salicideformation2021/3/1115DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程10.ILDdep.andCMP2021/3/1116DeepNwell二、二
5、、Wafer加工过程加工过程11.Contphotoandetch;Wdep.andCMP2021/3/1117DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程12.Met1dep.,photoandetch2021/3/1118DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程13.Via1,Met2,Via2,Met3,Via3,Met4,CTM4,Via4,TME2021/3/1119DeepNwell二、二、Wafer加工过程加工过程14.Passivationdep.,photo,andetch;Alloy2021/3/11202021/3/1121 封装流程封装流程三、三、I
6、C 封装过程封装过程2021/3/1122BACK GRINDING 晶圆背面研磨晶圆背面研磨WAFER WAFER TRUCK TABLEGRINDING WHEEL 三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1123WAFER WAFER SAW晶圆切割WAFER MOUNTBLUE TAPE DIE SAW LADE 划片划片三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1124Die Bond(Die Attach) 上上 片片BOND HEAD EPOXY SUBSTRATE EPOXY CURE ( DIE BOND CURE) 三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1125
7、 Wire Bond GOLD WIRE CAPILLARY DIE PAD FINGER(INNER LEAD) 三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1126Compound Mold chase Molding Gate insert Runner Top cull block Cavity Top chase Air vent Compound Pot Plunger Substrate Bottom cull block Bottom chase 三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1127Marking INK MARK LASER MARK SPREADTRUM S
8、ample 20 JUN SPREADTRUM Sample 20 JUN SPREADTRUM Sample 20 JUN SPREADTRUM Sample 20 JUN 三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1128Ball Attach FLUX FLUX PRINTING BALL ATTACH TOOL BALL ATTACH VACUUM SOLDER BALL REFLOW 三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1129PUNCH Singulation ROUTER SPREADTRUM Sample 20 JUN SPREADTRUM Sample 20 JUN
9、 SPREADTRUM Sample 20 JUN SPREADTRUM Sample 20 JUN SAW SINGULATION 三、三、IC 封装过程封装过程2021/3/1130封装种类封装种类DIP 双列直插SIP 单列直插PQFP 塑料方型扁平式封装BGA 球栅阵列封装球栅阵列封装 PGA 针栅阵列封装CSP 芯片尺寸封装MCM 多芯片封装2021/3/11312021/3/1132四、四、IC 的测试的测试TEST OBJECTIVES 测试目的分类测试目的分类Design Verification 设计验证测试设计验证测试Production Tests 大生产测试大生产测试C
10、haracterization Tests 特性分析测试特性分析测试Failure Analysis Tests 失效分析测试失效分析测试TESTING STAGES 测试阶段分类测试阶段分类Wafer Sort Testing 晶园测试晶园测试 (中测中测)Package Device Testing 成品测试成品测试Incoming Inspection Testing 入厂筛选测试入厂筛选测试TEST ITEMS 测试内容分类测试内容分类Per-Pin Testing 管脚测试管脚测试Parametric Testing 参数测试参数测试Functional Testing 功能测试功能
11、测试2021/3/1133WaferProcessWaferTestBox &ShipFinal TestBurn InPackageAssembly Economic Gate Tester Fault Coverage vs. costWafer Test vs. Final TestWafer Test vs. Final Test Quality Gate Tester Fault Coverage vs. Escape costPackage costProcess Yield2021/3/1134测试程序开发流程测试程序开发流程Device and Test Specificati
12、onsDefine pinmap, test philosophy, conditionsSelect ATE and required configDevelop DIB and interfaceCreate test waveforms, test patterns, clock/timing solutions,test procedures, simulate off-lineOn-Tester debugRepeatability,correlation, and test time optimizationTest program release to Production? ?
13、2021/3/1135芯片工艺过程小节芯片工艺过程小节从硅片到芯片要经过一系列的氧化、光刻、扩散、离子注入、生长多从硅片到芯片要经过一系列的氧化、光刻、扩散、离子注入、生长多晶硅、淀积氧化层、淀积金属层等等晶硅、淀积氧化层、淀积金属层等等50100到工序到工序硅片经过一次次物理、化学过程，受到一张张掩模的约束，在硅表明硅片经过一次次物理、化学过程，受到一张张掩模的约束，在硅表明形成了一个个电子器件及连线，由此构成逻辑单元乃至整个系统形成了一个个电子器件及连线，由此构成逻辑单元乃至整个系统简称硅表面加工工艺简称硅表面加工工艺芯片制造过程首先要得到的是硅表面加工工艺需要的掩模芯片制造过程首先要得到
14、的是硅表面加工工艺需要的掩模掩模制造过程是集成电路设计生产中成本最高的环节掩模制造过程是集成电路设计生产中成本最高的环节2021/3/1136芯片工艺过程小节芯片工艺过程小节加工工艺加工工艺WafferMaskset0.18um 1P6M$1600$180K0.16um 1P6M$1700$260K0.152um 1P6M$1800$270K90nm 1P7M$6000$870K65nm 1P7M$7500$1500K2021/3/1137思考思考全面的功能验证、Timing分析趋近100的测试覆盖如何保证数以千万的晶体管能如期协调工作？如何确保交给用户的成品都是合格的？2021/3/1138
15、芯片的设计研发芯片的设计研发1数字系统设计的方法学数字系统设计的方法学2 基于语言描述语言的设计流程基于语言描述语言的设计流程2021/3/1139什么是方法学？什么是方法学？MethodologyScience of study of methodsSets of methods used (in doing sth)方法学是关于方法的科学方法学是关于方法的科学方法学是做某事的一系列方法方法学是做某事的一系列方法有别于凭经验靠感觉，方法学讲究建立模型推演、以精确有别于凭经验靠感觉，方法学讲究建立模型推演、以精确的定量的数学方法分析的定量的数学方法分析2021/3/1140什么是数字系统设计的
16、方法学？什么是数字系统设计的方法学？数字系统设计方法学数字系统设计方法学设计流程方法学设计流程方法学设计工具方法学设计工具方法学硬件实现方法学硬件实现方法学2021/3/1141数字系统设计流程方法学数字系统设计流程方法学系统级设计系统级设计寄存器传输级设计寄存器传输级设计电路级设计电路级设计物理级设计物理级设计仿真验证仿真验证成品测试成品测试2021/3/1142系统级设计系统级设计系统需求分析系统需求分析系统功能定义系统功能定义系统模块划分、使用那些系统模块划分、使用那些 IP确定设计流程、验证方法、测试方法确定设计流程、验证方法、测试方法系统类型简单分类系统类型简单分类任务管理任务管理数
17、据处理数据处理数学运算数学运算借助借助C、SystemC、Verilog、VHDL仿真仿真在系统设计阶段，关心的是功能、性能和效率在系统设计阶段，关心的是功能、性能和效率2021/3/1143寄存器传输级设计寄存器传输级设计安排寄存器安排寄存器设计功能逻辑设计功能逻辑设计状态机设计状态机把模块功能分解到每个节拍把模块功能分解到每个节拍把算法转换到电路实现把算法转换到电路实现借助硬件描述语言描述设计，并仿真、调试借助硬件描述语言描述设计，并仿真、调试在寄存器传输级阶段，更关心的是时序和具体运算在寄存器传输级阶段，更关心的是时序和具体运算2021/3/1144电路级设计电路级设计由计算机工具综合产
18、生由计算机工具综合产生综合过程考虑的实际因素综合过程考虑的实际因素库单元的选择、映射库单元的选择、映射元件、连线的物理延迟元件、连线的物理延迟元件的驱动能力及功耗元件的驱动能力及功耗综合的优点综合的优点设计阶段与工艺无关、容易复用设计阶段与工艺无关、容易复用芯片面积、速度自动折中，产品性价比高芯片面积、速度自动折中，产品性价比高易修改、易维护，系统设计能力大大提高易修改、易维护，系统设计能力大大提高在电路级设计，更关心的是面积和功耗在电路级设计，更关心的是面积和功耗2021/3/1145物理级设计物理级设计自动、人工交互布局、布线自动、人工交互布局、布线DRC 设计规则检查设计规则检查ERC
19、电路规则检查电路规则检查电路参数提取电路参数提取产生最终的版图数据产生最终的版图数据在物理级设计，更关心的是延迟对功能、性能的影响在物理级设计，更关心的是延迟对功能、性能的影响2021/3/1146仿真验证仿真验证设计阶段的仿真验证设计阶段的仿真验证验证设计思想，找出描述错误，细化硬件时序验证设计思想，找出描述错误，细化硬件时序综合后的仿真验证综合后的仿真验证发现硬件设计在综合过程中由于实际延迟引起的功能发现硬件设计在综合过程中由于实际延迟引起的功能错误错误布局布线后的仿真验证布局布线后的仿真验证发现综合产生的电路网表在布局布线后由于实际延迟发现综合产生的电路网表在布局布线后由于实际延迟引起的
20、功能错误引起的功能错误2021/3/1147设计工具方法学设计工具方法学仿真方法学仿真方法学 功能仿真、逻辑仿真、开关级仿真、电路级仿真综合方法学综合方法学 综合考虑各种因素，自动生成硬件电路的方法时序分析方法学时序分析方法学 物理参数提取，静态时序分析方法，噪声分析故障测试方法学故障测试方法学 故障模型，可测试性分析，测试矢量生成，测试电路自动插入物理实现方法学物理实现方法学 ASIC、FPGA，自动布局布线、工艺过程模拟2021/3/1148硬件实现方法学硬件实现方法学硬件算法实现方法硬件算法实现方法 流水线结构、脉动结构、神经元IP核复用核复用 软核、固核、硬核软硬件协同设计软硬件协同设
21、计 系统软硬件划分之后，软硬件同时开发CPU、BUS、FLASH、RAM标准构件标准构件 仿真模型、开发工具SoC片上系统片上系统 有了上述的条件，2021/3/1149传统的设计方法传统的设计方法原理图设计逻辑图设计2021/3/1150摩尔定律摩尔定律芯片的集成度，每隔18个月就翻一番 2021/3/1151基于语言描述语言的设计流程基于语言描述语言的设计流程HDLHDL仿真通过?HDL综合功能仿真布局布线TapeoutNetlist通过?通过?仿真、静态分析nonono2021/3/1152芯片产品的关键属性芯片产品的关键属性可靠性可靠性 产品的信誉度产品的信誉度可测性设计、Worst
22、case、Best case考虑性能性能 产品的生命力产品的生命力面积、功耗功能功能 产品的存在产品的存在关键技术的积累2021/3/1153设计者经常面对的问题设计者经常面对的问题功能的正确性功能的正确性仿真验证、功能覆盖率、代码覆盖率、一致性检查Timing的正确性的正确性静态时序分析、后仿真测试覆盖率测试覆盖率DFT更合理、更巧妙更合理、更巧妙面积、功耗、速度面积、功耗、速度2021/3/1154思考思考只有硬件的产品是功能单一的产品只有硬件的产品是功能单一的产品必须要有软件才能实现复杂功能必须要有软件才能实现复杂功能电视机 vs 计算机电话机 vs 手机 2021/3/1155软件架构
23、软件架构RTOSDiagnosticsDrivers HAL)MN (Call, CB, SS, SMS, GPRS)Layer 3Layer 1Layer 2MultimediaAudio/VideoCall SMSCBS SSPB Game.ATCMIDIMP3MPEG4H.263 EnginesDigital CameraDAL（LCD,KPD,CHR）FS, AUDIO, VIDEO, Multimedia EnginesOSAOther applicationMMI Kernal/GUI其他应用，e.g. wap,java,MMS,etc.2021/3/1156文件系统的基本框架图文
24、件系统的基本框架图其他线程用户接口层文件系统线程消息队列文件系统管理层虚拟设备层物理设备层用户接口层提供文件操作用户接口层提供文件操作API，把相应的操作请求，把相应的操作请求发送给文件系统管理层，发送给文件系统管理层，完成阻塞或非阻塞调用完成阻塞或非阻塞调用该层提供文件系统空间管理，该层提供文件系统空间管理，存取控制，读写操作。存取控制，读写操作。该层作为一个线程运行，处该层作为一个线程运行，处理理IO请求请求该层提供文件系统空间管该层提供文件系统空间管理，存取控制，读写操作。理，存取控制，读写操作。该层作为一个线程运行，该层作为一个线程运行，处理处理IO请求请求该层提供对实际的该层提供对实
25、际的物理设备安全的读物理设备安全的读写、擦除等操作写、擦除等操作2021/3/1157思考思考芯片上的软硬件都齐全了，可以销售了吗？芯片上的软硬件都齐全了，可以销售了吗？用户如何开发自己的应用程序？用户如何开发自己的应用程序？用户拿到芯片后如何使用，遇到问题如何解决？用户拿到芯片后如何使用，遇到问题如何解决？周密细致的现场技术支持（周密细致的现场技术支持（FAE）EVB 板板 公司软件开发和芯片功能测试环境公司软件开发和芯片功能测试环境DVB 板板 提供给用户的软件开发环境提供给用户的软件开发环境2021/3/1158总之总之展讯的产品中凝聚了展讯的产品中凝聚了大量的财力、物力、人力众多的智慧
26、、心血、汗水繁冗的工具、网络、平台展讯产品是公司愿景、公司使命、公司价值观的具体体现，总之是公司文化的具体体现2021/3/1159Determine requirementsWrite specificationsDesign synthesis and VerificationFabricationManufacturing testChips to customerCustomers needTest developmentVLSI 研发制造过程总和研发制造过程总和2021/3/1160Verification vs. Test 验证设计的正确性由仿真过程来运行在制造之前只需运行一次对设
27、计质量负责验证硬件制造过程的正确性分为两个过程：1. 测试产生：由EDA软件处理在设计过程中运行一次2. 测试实施：向硬件施加电信号测试要对每个制造出的器件施加测试过程对器件的生产质量负责2021/3/1161Costs of TestingDesign for testability (DFT)Chip area overhead and yield reductionPerformance overheadSoftware processes of testTest generation and fault simulationTest programming and debuggingM
28、anufacturing testAutomatic test equipment (ATE) capital costTest center operational cost 2021/3/1162工艺过程引起的失效工艺过程引起的失效接触孔腐蚀不到位接触孔腐蚀不到位寄生晶体管寄生晶体管氧化层缺陷氧化层缺陷 . . .材料引起的失效材料引起的失效Bulk defects (裂缝裂缝, 晶体不完整晶体不完整)表面沾污表面沾污 (离子迁移离子迁移). . .随时间变化引起的失效随时间变化引起的失效介质缺陷介质缺陷电迁移电迁移. . .封装引起的失效封装引起的失效接触退化接触退化密封泄露密封泄露.
29、. . 芯片中的失效种类芯片中的失效种类2021/3/1163Single Stuck-at FaultThree properties define a single stuck-at faultOnly one line is faultyThe faulty line is permanently set to 0 or 1The fault can be at an input or output of a gateExample: XOR circuit has 12 fault sites ( ) and 24 single stuck-at faultsa b cd e f 10g h i 1s-a-0j k z 0(1)1(0)1Test vector for h s-a-0 faultGood circuit valueFaulty circuit value2021/3/11642021/3/1165
