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1、学生半导体器件学习考研指导学生半导体器件学习考研指导我们在进展半导体器件的考研时，要多听取他人的指导。为大家精心准备了半导体器件考研指导，欢送大家前来阅读。考试科目名称：半导体物理 考试科目代码：829一、考试要求：要求考生系统地掌握半导体物理的根本概念和根本原理，并能利用根本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体构造和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n 结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等根本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。二、考试内容：1)半导体晶体构造和能带论a:半导体晶格构造及电子状态和能带b:半导体中电子的运动c:本征半导体的导电机
2、构d:硅和锗及常用化合物半导体的能带构造2)杂质半导体理论a:硅和锗晶体中的杂质能级b:常用化合物半导体中的杂质能级c:缺陷、位错能级3)载流子的统计分布a:状态密度与载流子的统计分布b:本征与杂质半导体的载流子浓度c:一般情况下载流子统计分布d:简并半导体4)半导体的导电性a:载流子的漂移运动与散射机构b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系c:多能谷散射、耿氏效应5)非平衡载流子a:非平衡载流子的注入、复合与寿命b:准费米能级c:复合理论、陷阱效应d:载流子的扩散、电流密度方程e:连续性方程6)p-n 结理论a:p-n 结及其能带图b:p-n 结电流电压特性c:p-n 结电容、p-n 结隧
3、道效应7)金属-半导体接触理论a:金-半接触、能带及整流理论b:欧姆接触8)半导体光电效应a:半导体的光学性质(光吸收和光发射)b:半导体的光电导效应c:半导体的光生伏特效应d:半导体发光二极管、光电二极管三、试卷构造：a)考试时间：180 分钟，总分值：150 分b)题型构造a:概念及简答题(60 分)b:论述题(90 分)c)内容构造a:半导体晶体构造和能带论及杂质半导体理论(30 分)b:载流子的统计分布(20 分)c:半导体的导电性(20 分)d:非平衡载流子(20 分)e:p-n 结理论和金属-半导体接触理论(30 分)f:半导体光电效应(30 分)“半导体物理与器件物理”(801)
4、一、总体要求“半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二局部组成，半导体物理占 60%(90 分)、器件物理占 40%(60分)。“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关根底理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、根本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。“器件物理”要求学生掌握 MOSFET 器件物理的根本理论和根本的分析方法，使学生具备
5、根本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握 MOS 根本构造和电容电压特性;MESFET 器件的根本工作原理;MOSFET 器件的频率特性;MOSFET 器件中的非理想效应;MOSFET 器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET 的击穿特性;掌握器件特性的根本分析方法。“半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应到达或超过本科相应的课程要求水平。二、各局部复习要点“半导体物理”局部各章复习要点(一)半导体中的电子状态1.复习内容半导体晶体构造与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，盘旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的
6、能带构造。2.详细要求半导体中的电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴的概念盘旋共振及其实验结果Si、Ge 和典型化合物半导体的能带构造(二)半导体中杂志和缺陷能级1.复习内容元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。2.详细要求Si 和 Ge 晶体中的杂质能级杂质的补偿作用深能级杂质-族化合物半导体中的杂质能级等电子杂质与等电子陷阱半导体中的缺陷与位错能级(三)半导体中载流子的统计分布1.复习内容状态密度，Fermi 能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体2.详细要求状态密度的定义与计算费米能
7、级和载流子的统计分布本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度杂质补偿半导体的载流子浓度简并半导体及其载流子浓度、简并化条件、简并半导体的特点与杂质带导电载流子浓度的分析计算方法及其影响载流子浓度的因素(四)半导体的导电性1.复习内容载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系，强场效应与热载流子2.详细要求载流子漂移运动迁移率载流子散射半导体中的各种散射机制迁移率与杂质浓度和温度的关系电阻率及其与杂质浓度和温度的关系强电场下的效应高场畴区与 Gunn 效应;(五)非平衡载流子1.复习内容非平衡载流子的产生与复合，非平衡载流子寿命，准费米
8、能级，复合理论，陷阱效应，非平衡载流子载流子的扩散与漂移，因斯坦关系，连续性方程。2.详细要求非平衡载流子的注入与复合准费米能级非平衡载流子的寿命复合理论陷阱效应载流子的扩散运动载流子的漂移运动Einstein 关系连续性方程的建立及其应用“器件物理”局部各章复习要点(一)金属-氧化物-半导体场效应构造物理根底1.复习内容MOS 构造的物理性质，能带构造与空间电荷区，平带电压与阈值电压，电容电压特性2.详细要求MOS 构造的物理性质n 型和 p 型衬底 MOS 电容器的能带构造耗尽层厚度的计算功函数的根本概念以及金属-半导体功函数差的计算方法平带电压的定义与求解;阈值电压的影响因素;MOS 电
9、容的定义，理想的 C-V 特性;影响 C-V 特性的主要因素(二)MOSFET 根本工作原理1.复习内容MOSFET 根本构造，MOSFET 电流电压关系，衬底偏置效应。MOSFET 的频率特性。闩锁现象2.详细要求MOSFET 电流电压关系的定性分析，漏极电流与栅压之间的关系;衬偏效应的概念及影响小信号等效电路的概念与分析方法MOSFET 器件频率特性的影响因素CMOS 根本技术及闩锁现象(三)MOSFET 器件的深入概念1.复习内容MOSFET 中的非理想效应;MOSFET 的按比例缩小理论;小尺寸器件的阈值电压;MOSFET 器件的击穿特性2.详细要求理解实际器件与理想特性之间的偏差及其
10、原因器件按比例缩小的根本方法动态电路方程及其求解短沟道效应与窄沟道效应对 MOSFET 器件阈值电压的影响MOSFET 器件的各种击穿模式，击穿电压的影响因素三、试卷构造与考试方式1、题型构造：名词解释、简答题、问答题、计算题、判断题、绘图题等。试卷总分值为 150 分。2、考试方式：闭卷，考试必须按照规定携带不具备编程和存储功能的函数计算器。3、考试时间：180 分钟。四、参考书目1、半导体物理学(第七版)，刘恩科、朱秉升、罗晋生等著，电子工业出版社 xx 年 3 月。2、半导体物理与器件(第 4 版)赵毅强等译 电子工业出版社 xx 年。南京电子器件研究所始建于 1958 年，主要从事固态
11、功率器件、微波毫米波模块电路等专业技术的研发和生产，研制的核心芯片和关键元器件在我军战略预警、防空反导、准确打击、机载火控等信息化装备和载人航天等国家大型工程中发挥了举足轻重的作用;科研进入了国家科技开展的“主渠道”，是国家科技重大专项核心电子器件领域的主要承当单位之一，目前在三代半导体研制领域处于国内领先水平;积极推动军民融合开展，民品产业进入国民经济信息化建立的主战场，形成了射频电子、功率电子两大支柱产业板块。硕士点以国家级重点实验室为依托，拥有国内一流的科研条件，师资力量雄厚。南京电子器件研究所现有研发人员1500 余人，高工以上职称 354 人，集团公司首席科学家 2 人，首席专家 2
12、 人，享受政府特殊津贴 55 人，江苏新世纪百千万人才工程国家级人选2人。南京电子器件研究所是“单片集成电路与模块重点实验室”、“国家平板显示工程技术研究中心”、“宽禁带半导体电力电子器件实验室”、“有源层优化生长技术研究应用中心”等国家级实验室和工程中心的依托单位。建所以来，共取得科研成果3000 多项，其中省(部)级以上科技进步奖 560 多项，国家级科技进步奖 60 多项，国家科学技术进步奖特等奖 2 项。南京电子器件研究所招收的研究生为全日制学术型硕士，学制2.5 年，且为定向培养。研究生第一年在东南大学选修课程，学分修满后第二年回所做课题完成毕业论文。我所对在读研究生实行奖学金制度，
13、学生读研期间免收学费及住宿费。在读学生入住舒适的单身公寓，每月发放餐补。xx 年全国研究生招生考试 成绩已公布，我所将接收调剂考生十多名。调剂条件如下：一、学生毕业院校为：“985”和“211”等重点院校考生。二、毕业专业：电子科学与技术、微电子学、电磁场与微波技术、电子信息工程等相关专业(计算机、自动化、机械等方向不接收)。三、统考科目为数学一和一。四、报考学位为全日制学术型学位。符合上述条件，并且有志于为国防事业做出奉献的考生，请将个人简历(含工程经历、本科成绩等)及我所调剂申请表(附件)发送邮件至：，并在邮件标题中注明姓名、毕业学校、专业及考研总分。猜你感兴趣：1.2. 有关计算机根本知识3. 电视机的修理方法以及保养方法4.5. 如何正确选购 cpu 以及保养方法
