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1、集成电路高温动态老化系统产品详情符合标准：GJB548 （等同 MIL-STD-883）、GJB 597 （等同 MIL-M-38510）适用范围：适用于对各种数字、模拟、数模混合集成电路和SOC电路、微处理器、存储器等微电子电路进行高温动态 老化试验。工作特性： 一板一区工作方式，最多可同时进行16种规格、批次的器件进行筛选试验，适应多品种、小批量。超温报警装置，确保温度条件安全施加。可检测各组电源工作情况及试验箱温度并描绘其与时间相关的曲线。软件全编辑信号产生方式，可满足包括存储器在内的多种集成电路器件的动态老化要求。集成的用户软件包基于WINDOWS平台开发，功能完备并有良好的可扩展性。
2、 主从式RS485全双工高速串行通讯接口，远距离通讯能力强，数据传输安全可靠。试验容量和系统分区可根据实际情况另行配置。 试验箱可选择两个小型试验箱，每个试验箱装8块老化板，可同时进行两个温度条件的试验。 可提供专用调式台，具备独立的DUT试运行接口和维修接口，方便试验前或试验中对DUT和老化板进 行试验状态检查。电子电路进行高温动态老化试验。技术性能：型号ELEA-VELEH-V系统分区16区（标准）试验容量208X16 （以 DIP14 计）/试验温度最高150C数字信号路数每板64路每板8路数字信号每路可独立编辑信号的数据、地址、控制、三态特性；信号最高频率：2MHz；最小编 程分辨率1
3、00ns，最小编程步长100ns；编程深度256k；信号幅度程控范围：2.0V 18.0V；最大寻址深度：64G；数字信号可采用直接输入、字符输入、程序输入三种方 法编程；模拟信号多路多种类模拟信号发生单元及驱动电路，最高频率可达1MHz ;最大驱动电流：1A;信 号幅度Vpp20V；直流偏移量：01/2Vpp；试验状态监测64路信号示波监测接口；宽范围数字、模拟信号频率自动测试、记录；二级电源电压监测；二级电源电流、信号峰值监测（可选）通讯速率500K二级电源可程控 VCC、VMUX、VEE； 输出能力：2V18V/10A； 具备灌电流能力；2 组正电源：VCC1 （+2V+36V）、VCC
4、2 （+2V+36V）；2 组负电源：VEE1 （-2V-36V）、VEE2 （-2V-36V）；电流 为最大10A；具有过流、过压及过热保护功能；电源要求输入：AC380V,50Hz,三相（220V单相可选）；整机功率：8kW以下整机功率：12kW以下重量约 500kg外形尺寸（宽X高1313mmX1950mmX1350mm摘要：在数模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源 电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈 值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压，通过将其相减抵消温度系数
5、，从而得 到任意大小的零温度系数基准电压值。该设计方案基于某公司0.5Mm CMOS工艺设计，经HSpice仿真验 证表明，各项指标均已达到设计要求。电压基准是混合信号电路设计中一个非常重要的组成单元，它广泛应用于振荡器、锁相环、稳压器、 ADC， DAC 等电路中。产生基准的目的是建立一个与工艺和电源电压无关、不随温度变化的直流电压。目 前最常见的实现方式是带隙(Bandgap)电压基准，它是利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压加 权求和来获得零温度系数的基准电压。但是，在这种设计中，由于正温度系数的电压一般都是通过晶体管 的 be 结压差得到的，负温度系数电压则直接利用晶体管的 be
6、 结电压。由于晶体管固有的温度特性使其具 有以下局限性：(1) CMOS 工艺中对寄生晶体管的参数描述不十分明确；(2) 寄生晶体管基极接地的接法使其只能输出固定的电压；(3) 在整个温度区间内，由于 Vbe 和温度的非线性关系，当需要输出精确的基准电压时要进行相应的曲 率补偿。为了解决这些问题，提出一种基于CMOS阈值电压的基准设计方案。它巧妙利用PMOS和NMOS阈 值电压的温度特性，合成产生与温度无关的电压基准，整个电路不使用双极晶体管，克服了非线性的温度 因子，并能产生任意大小的基准电压值。1 传统带隙电压基准电路图 1 为典型带隙基准的原理示意图。图1 典型带隙基准原理示意图假设R1
7、=R2，根据运算放大器两输入端电压相等的原则，可以得到Va=Vb,又Vbe1-Vbe2=VTInn, 因此输出电压为：vou, = Vhc? -I-峰严局 + 出)=U +已山和(1 +&/凡)(D故：aV/3T = dV/dT + n 讥1+ R2/RdVT/aTVbe在室温下的温度系数约为-2. 0 mV/K,而热电压、VT在室温下的温度系数约为0. 085 mV/K。 合理设置R2, R3和n的值，可以得到零温度系数的基准电压。但是，由于前述有关晶体管温度特性的缺陷，使得实际设计中会存在很多困难。鉴于此，将对传统带 隙基准进行改进，基于MOS阈值电压设计一款零温度系数的基准电路。2 新型
8、电压基准电路2. 1 MOS 器件的温度特性对长沟道MOS器件而言，其工作区域可划分为饱和区和线性区。 饱和区的工作电流为：Idi =(3)线性区的工作电流为：6 = MmC叶(W/Z)(V7鞋一V7ts )/2J (4)式中：COX为单位面积的栅电容；pN为电子的迁移率；W，L为栅的宽和长；VTN为NMOS的阈值 电压。在式(3)和式(4)中，有两项与温度相关的参数：阈值电压VTN以及迁移率pN。阈值电压与温度关系式为：2丁 丁亦2)=耽丁( 丁NOM)+(心十詈町(窓1)式中：VT(TNOM)是标称温度下的阈值电压；KT1是阈值电压的温度系数；KT1I是阈值电压的沟道调 制系数；KT2是阈
9、值电压的衬偏系数。从该式可以看出，阈值电压和温度呈线性关系。相反，迁移率卢 N 与温度呈非线性的函数关系，表达式为：式中：pN(TNOM)为标称温度下的迁移率；Ute为pN的温度系数，典型值一般在-2. 0-1 5之间。 由于迁移率弘N是温度的非线性函数，所以很难利用MOS特性产生精确的基准电压。一种方法是利用晶 体管产生PTAT电压进行补偿。但是，PTAT电压恒定的温度系数使得基准电压只能在一个固定的温度点上产生零温度系数的基准电压。因此，在该设计中，为了克服迁移率非线性的影响，通过两个分别与 PMOS 和 NMOS 阈值电压成正比的电压相减而进行抵消。22 设计原理图 2 为该基准电路的设
10、计原理图。i图2 电压基准设计原理图如图2所示，首先产生两路分别与PMOS和NMOS阈值电压成正比的电压VP和VN,通过设置合理 的系数K1, K2,使得两者的温度系数相抵消，从而得到低温度系数或零温度系数的基准电压。产生的基 准电压表达式如式(7)所示：J = K叭十瓦游 120ire图4 电压Up随溫度的变化曲线2. 4基于NMOS阈值电压产生VN电路设计如图3中模块2所示，VN是由MN1, MN2产生的一个随温度变化的线性电压。与VP产生电路不同的是，通过合理设置R3, R4的值，使得MN1与MN2都工作在饱和区。MP4为启动管，它使得电路尽快 摆脱零点进入正常工作，然后自行关闭。经过M
11、N1和MN2的电流分别为：=寺尸wGx( W)L) V )2(13)式中：VTN为MN2的阈值电压；VTNo为Vsb=0的阈值电压。同样暂时假设运放A2不存在失调，贝V：由式(17)可知，VN仅为阈值电压的函数，并且，忽略体效应对VN的影响，VN仍然可以看作是温度 的线形函数。图5所示的是HSpice的仿真验证波形，同样，从图中可以看到，当温度从-40C变化到125C 时， VN 亦随温度线形变化。25 减法器电路设计从式(12)、式(17)可以看出，VP与VN均为负温度系数，所以可以通过VP与VN相减得到一个近似 零温度系数的基准电压。减法器的电路设计如图 3 中模块3所示。从图中可以得到，
12、减法器的传输函数为5 = (1 + R7/I+R7/R.)Vp -=(碍/出)(1 + 碍 /凤+凤/&)叭一*(18)那么隠如=(尺忌兀0 +尺5/凤I R-/R?)3Vp/JT aVw/aT2CT9)通过合理设置(1+R5 / R6+R5 / R7)可以抵消VP与VN的温度系数，而R7 / R5可以用来设置设计者 需要的基准电压值。可见，通过这种方式设计的基准电压不一定是一个固定的1.25 V电压，而是可以通过 调整R7和R5的阻值来达到设计者需要的基准电压。26 运放设计为了提高基准电路的特性，设计电路中的运放A1, A2, A3均采用折叠式的共源共栅结构，具有很高 的电压增益与宽的线性区间，保证了较高的基准精度与较大的调整空间，电路结构如图6所示。在输出端 采用一个：PMOS源跟随器M14以提高运放的输出摆幅。经HSpice仿真验证，该运放开环增益105 dB, CMRR和PSRR均在
