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1、巨磁阻效应及其应用磁电转化特性 =410-7H/m n=24000T/m B=nI磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I(mA)磁感应强度B(T)输出电压U(mV)励磁电流I(mA)磁感应强度B(T)输出电压U(mV)100-10080 -8060-6040-4020-2010-1000-1010-2020-4040-6060-8080-100100磁电转化旳开关特性磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I(mA)电压表显示电平励磁电流I(mA)电压表显示电平301高-301高临界值:1-1高低临界值:1-1高低0-1低0-1低临界值:-11低高临界值:-11低高-301高301高磁阻特性 磁阻供电电压
2、4V磁场矢量减小磁场矢量增大励磁电流I(mA)磁感应强度B(T)磁阻电流IR(mA)磁阻R()励磁电流I(mA)磁感应强度B(T)磁阻电流IR(mA)磁阻R()100-10080-8060-6040-4020-2010-1000-1010-2020-4040-6060-8080-100100测电流低磁偏置越25mV高磁偏置约150mV电流矢量减小电流矢量增长电流矢量减小电流矢量增长导线电流I(mA)输出电压U(mA)导线电流I(mA)输出电压U(mA)导线电流I(mA)输出电压U(mA)导线电流I(mA)输出电压U(mA)300-300300-300200-200200-200100-1001
3、00-1000000-100100-100100-200200-200200-300300-300300梯度传感器特性转动角度(度)036912151821输出电压U(mV)转动角度(度)2427303336394245输出电压U(mV)磁记录与读取序号序号转二进制数磁卡区域87654321读出电压(V)霍尔效应及其应用VHIS关系 (IM=0.700A) KB=_KGS/A IS(mA)V1(mA)V2(mA)V3(mA)V4(mA )VH=(V1-V2+V3-V4)/4(mV )+B +IS-B +B-B -IS+B -IS0.501.001.502.002.503.00VHIM关系 (IS=2.00mA)IS(mA)V1(mA)V2(mA)V3(mA)V4(mA )VH=(V1-V2+V3-V4)/4(mV )+B +IS-B +B-B -IS+B -IS0.1000.2000.3000.4000.5000.600测电导率 IM=0 d=0.05cm b=0.40cm l=0.40cmIS(mA )V1(mV)(+IS)V2(mV)(-IS)V=(V1+V2)/2=ISl/(Vbd)0.501.001.50