发光二极管主要参数与特性

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1、发光二极管主要参数与特性led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器 件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发 光光强指向特性、时间特性以及热学特性。1、LED 电学特性1.1 I-V特性 表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触 电阻，反之为高接触电阻。I ,If一0击一反向死区 穿区Ir-图一一工作区VFV正向死区i-v特性曲线如左图：（1） 正向死 区：（图 oa 或oa，段） a点对于V 为开启电 压，当VVVa,外加电 场尚克服 不少因载 流子扩散而形成势垒电场，此时R

2、很大；开启电压对于不同LED其值不同,GaAs 为 IV,红色 GaAsP 为 1.2V, GaP 为 1.8V, GaN 为 2.5V。（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系F1= I（eqVF/KT -）【S为反向饱和电流。V0时，VVF的正向工作区IF随VF指数上升 IF= IS e qVF/KTFFFF S（3）反向死区：VV0时pn结加反偏压V= _ V 时，反向漏电流 Ir（V= -5V）时，GaP 为 0V, GaN 为 10uA。（4）反向击穿区VV- VR , VR称为反向击穿电压；VR电压对应IrRRRR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使VV- VR时，则出现Ir突

3、RR然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。R1.2 C-V 特性鉴于 LED 的芯片有 9X9mil (25QX250um), 1QX10mil, 11X11mil (28QX280um), 12X12mil （300X300um）,故pn结面积大 小不一,使其结电容（零偏压） cn+pf 左右。C-V 特性呈二次函数关系（如图2）。由1MHZ交流信号用c-V 特性测试仪测得。1.3 最大允许功耗 PFm 当流过 LED 的电流为 IF、F管压降为UF则功率消耗为P=UFXIFFF FLED 工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一

4、部分变为热，使结温升 高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta,则当TjTa时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量 （功率），可表示为P = Kt （Tj -Ta）。1.4 响应时间T响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示 LCD （液晶显示）约 10-310-5S, CRT、PDP、LED 都达到 10-610-7S （us 级）。 响应时间从使用角度来看，就是 LED 点亮与熄灭所延迟的时间，即图中 tr 、tf 。图中 t0 值 r f 0 很小，可忽略。 响应时间 主要取决于载 流子寿命、器 件的结电容及 电路阻抗。LED 的点亮时 间上升时 间 tr 是指接通 r 电

5、源使发光亮 度达到正常的 10%开始，一直 到发光亮度达 到正常值的 90%所经历的 时间。LED熄灭时间一一下降时间tf是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。不同材料制得的LED响应时间各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响应时间V10-9S, GaP为10-7 S。因此它们可用在10100MHZ高频系统。2 LED 光学特性 发光二极管有红外（非可见）与可见光两个系列，前者可用辐射度，后者可用光度学来量度 其光学特性。21发光法向光强及其角分布I2.1.1发光强度（法向光强）是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、 圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有

6、很强指向性：位于法向方向光强最大，其与水平面交角 为90。当偏离正法向不同e角度，光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖 角方向。2.1.2发光强度的角分布I是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的e工艺（包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否） 为获得高指向性的角分布（如图 1） LED管芯位置离模粒头远些； 使用圆锥状 （子弹头）的模粒头； 封装的环氧树 脂中勿加散射剂。采取上述措施可 使 LED 2e 1/2 = 6 左右，大大提高了指 向性。 当前几种常 用封装的散射角 （ 2 e 1/2 角）图2礙向性弱性强（角大）小）圆形 LED ：5 、10、

7、30、452.2 发光峰值波长及其光谱分布 LED 发光强度或光功率输出随着波长变化而不同，绘成一条分布曲线光谱分布曲 线。当此曲线确定之后，器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。LED的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及pn结结构（外延层厚度、掺杂杂质） 等有关，而与器件的几何形状、封装方式无关。下图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱响应曲线。其中w打工：二工）T二丄0J 二0 _?00LED 光谱分布曲线1 蓝光 InGaN/GaN2 绿光 GaP:N 3 红光 GaP:Zn-O4 红外 GaAs5 Si 光敏光电管 6 标准钨丝灯 是蓝色InGaN/GaN

8、发光二极管，发光谱峰入p = 460465nm； 是绿色GaP:N的LED，发光谱峰入p = 550nm； 是红色GaP:Zn-0的LED，发光谱峰入p = 680700nm； 是红外LED使用GaAs材料，发光谱峰入p = 910nm； 是 Si 光电二极管，通常作光电接收用。由图可见，无论什么材料制成的LED,都有一个相对光强度最强处（光输出最大），与之相对 应有一个波长，此波长叫峰值波长，用入p表示。只有单色光才有入p波长。 谱线宽度：在LED谱线的峰值两侧土 入处，存在两个光强等于峰值（最大光强度）一半 的点，此两点分别对应入p-入，入P+入之间宽度叫谱线宽度，也称半功率宽度或半高宽度

9、。半高宽度反映谱线宽窄，即LED单色性的参数，LED半宽小于40 nm。 主波长：有的 LED 发光不单是单一色，即不仅有一个峰值波长；甚至有多个峰值，并非单 色光。为此描述LED色度特性而引入主波长。主波长就是人眼所能观察到的，由LED发出主要单 色光的波长。单色性越好，则入p也就是主波长。如GaP材料可发出多个峰值波长，而主波长只有一个，它会随着LED长期工作，结温升高而主 波长偏向长波。2.3 光通量光通量F是表征LED总光输出的辐射能量，它标志器件的性能优劣。F为LED向各个方向发 光的能量之和，它与工作电流直接有关。随着电流增加，LED光通量随之增大。可见光LED的 光通量单位为流明

10、（lm）。LED 向外辐射的功率光通量与芯片材料、封装工艺水平及外加恒流源大小有关。目前单 色LED的光通量最大约1 lm,白光LED的F1-51-8 lm （小芯片），对于lmmxlmm的功 率级芯片制成白光LED,其F=18 lm。2.4 发光效率和视觉灵敏度 LED效率有内部效率（pn结附近由电能转化成光能的效率）与外部效率（辐射到外部的效 率）。前者只是用来分析和评价芯片优劣的特性。LED 光电最重要的特性是用辐射出光能量(发光量)与输入电能之比，即发光效率。 视觉灵敏度是使用照明与光度学中一些参量。人的视觉灵敏度在入= 555nm处有一个最大值680血。若视觉灵敏度记为，则发光能量p

11、与可见光通量F之间关系为卩=比*;F= /K P d入入A 发光效率一一量子效率n =发射的光子数/Pn结载流子数=(e/hcI)/入P d 若输入能量为w=ui，则发光能量效率n =P/W若光子能量hc=ev,则n n P，则总光通F=(F/P)P二Kgw式 一 中K= F/P卩卩 流明效率：LED的光通量F/外加耗电功率W=Kn p它是评价具有外封装LED特性，LED的流明效率高指在同样外加电流下辐射可见光的能量较大，故也叫可见光发光效率。以下列出几种常见led流明效率(可见光发光效率PLED发光颜色A p(nm)材料可见光发光效率(lm/w)外量子效率最高值平均值700GaP : Zn-

12、O2.41213红光660GaAlAs0.270.50.3650GaAsP0.380.50.2黄光590GaP：N-N0.450.1绿光555GaP：N4.20.70.0150.15蓝光465GaN10白光谱带GaN+YAG小芯片1.6，大芯片18品质优良的LED要求向外辐射的光能量大，向外发出的光尽可能多，即外部效率要高。事实 上， LED 向外发光仅是内部发光的一部分，总的发光效率应为 n =n n n ，式中n向为p、n结区少子注入效率，n为在势垒区少子与多子复合效率，ni c eic为外部出光(光取出效率)效率。6 由于LED材料折射率很高n i3-6。当芯片发出光在晶体材料与空气界面

13、时(无环氧封装) 若垂直入射，被空气反射，反射率为(ni-1) 2/ (ni+1) 2=0.32，反射出的占32%，鉴于晶体本 身对光有相当一部分的吸收，于是大大降低了外部出光效率。为了进一步提高外部出光效率n e可采取以下措施： 用折射率较高的透明材料(环氧树脂 n=1.55并不理想)覆盖在芯片表面；把芯片晶体表面加工成半球形； 用Eg大的化合物半导体作衬底以减少晶体内光吸收。有人曾经用n=2.42.6的低熔点玻璃 成分As-S(Se)-Br(I)且热塑性大的作封帽，可使红外GaAs、GaAsP、GaAlAs的LED效率提高 46 倍。2.5 发光亮度亮度是LED发光性能又一重要参数，具有很

14、强方向性。其正法线方向的亮度BO=IO/A，指定 某方向上发光体表面亮度等于发光体表面上单位投射面积在单位立体角内所辐射的光通量，单位 为 cd/m2 或 Nit。若光源表面是理想漫反射面，亮度 BO 与方向无关为常数。晴朗的蓝天和荧光灯的表面亮度约为7000Nit (尼特)，从地面看太阳表面亮度约为14X108Nit。LED亮度与外加电流密度有关，一般的LED，JO (电流密度)增加BO也近似增大。另外， 下降，BO减小。当环境温度不变，电 流增大足以引起pn结结温升高，温升 后，亮度呈饱和状态。2.6 寿命老化：LED发光亮度随着长时 间工作而出现光强或光亮度衰减现 象。器件老化程度与外加

15、恒流源的大 小有关，可描述为Bt=BO e-t/ t时间后的亮度，BO为初始亮度。通常把亮度降到B=1/2B。所经历的时间t称为二极 管的寿命。测定t要花很长的时间，通常以推算求得寿命。T , Bt 为测量方法：给LED通以一定恒流源，点燃103104小时 后，先后测得BO，Bt=100010000，代入Bt=Bo e-t/T求 出T ；再把Bt=1/2BO代入，可求出寿命to长期以来总认为 LED 寿命为 106小时，这是指单个LED在IF=20mA下。随着功率型LED开发应用，国外 F学者认为以LED的光衰减百分比数值作为寿命的依据。 如LED的光衰减为原来35%，寿命6000hoI-Ec13 热学特性LED的光学参数与pn结结温有很大的关系。一般工作在小电流IFV10mA，或者1020