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1、设计制作工艺的不同，型、亚微米型4印刷电路 PCB （printed circuit board） 型变压器可省去绕组骨架，能增大散热面积，能减小在高频工作时由集肤效应和邻诉效应所引起的涡流损耗，也能增大电流密度，苴电流密度最高可达20A/mm，功PCB型变压1率大，工艺简单。但用PCB,窗口利用率低，仅为0.250.3，传统变压器的窗口利用率为0.4,其体积也较大。PCB型变压器其功率可高达20kW ,频率可达兆赫数量级。采用pulse的平面技术，多层PCB夹磁芯之间，薄型高效铁-4001300。工2,变压厚膜变压器是为了克服薄膜变压器中导体电阻大的缺陷而提出的。以氧化铝作基体，采用厚膜工艺
2、,在其上、下表面各印制了初级和次级绕组，用铁氧体制作的平面变压器在2MHz,输出功率为75W 时,压器，其底部面积小，高度只有7.4mm，工作频150750kHz,造出的平面变压器效率一般较低，因此寻求更进一步的工工艺是实现平型变压3薄膜型变压器是一种用磁性薄膜研制的叠戻微型变压器，采用薄膜后高度低于1mm,工作频率超过1MH z,其体积小，易于集成，但只适用于小功率情况。它们绝大多数采用金属磁性材料，如坡莫合金、铁器高频集匕白丿键。硅铝和非晶合金。主要是因为它们有高 BS 和口高磁导率。Tsuiiimotl等人用带式（铜厚 35口m, 长 34mm,宽 3mm）加以绝缘膜（厚 100um）,
3、 非晶 CoNbZr 膜（1.8um）构成一种能在高频下输出电压可控的薄膜 变压器针孔型变压器，还制成了厚度为210口m的片式变压器。它是采用两层10um厚的CoZr非晶薄膜做成的，用于5V、0.3A、1MHz的开关电源，77.5% 铁氧体材料（以MnZn系为主）也可以制成薄膜型变压器，但用常规的方法很难制出合适的微型磁膜，故需开发新的成膜技术。目前国外主要采用PVD、术配合化学蚀刻，激光烧蚀法、光照射低温镀膜法等成膜技术。Yamaguchi K等设计制10MHz 时2.4mmx3.1mm67%。亚微米型变压4 ,亚微米变压器是利用化学法合成，采用低温（900C）烧结的NiCuZn铁氧体为介质
4、材料，以Ag为内电极，用流延和丝网印刷技术的方法制备而成的，其体积小、质量轻、易于集成、工艺简单。两种片式亚CVD 等微型变压苴微米型变压器，夕卜形尺寸分别为 2.1cmx2.1cmx1mm 和 8mmx8mmx1mm, 设计变压比分别为 6 和 4,工作频率为110MHz。亚微米型平面变压器结构新颖，改变了传统变压器的结构特征，将变压器原边和 副边绕组采用丝网印刷技术烧制在铁氧体材料中，外型类似表贴的集成电路器件。对亚微米型平面变压器 的电气性能测试表明：空载情况下，变压比先随着输入电压的增加而增大，而后随着输入电压的增加而 减小，范围内达到最大值。另外，变压比随着输入信号频率的增加而增大。
5、在一定输入频率和电压情况 下，输出功率随负载的增大先升高再降低，存在一个输出功率最大的负载申，阻值。在一定输入电压和输 出负载的情况下，随着输入电压频率的增加，变压器的变压比逐渐增大，当输入电压频率高于某一临界值 后，变压比基本保持不变。波形畸变程度随着输入电压频率的增加而减小。在一个固定输入频率下，存 在一个饱和负载电阳值，当负载电阳值小干饱和负载电阳值时，则变压器的输出电压随负载增大而增大, 但当负载电阻值大于饱和负载电阻值时，输出电压的变化很小或基本保持不变。随着频率的升高饱和负载负载电阻值等于饱和负载电阻值时，变压器的变压比基本不随输但随着输入电压的升高，输入输出电压的波形畸变程度增强。
