崇左碳化硅项目建议书_范文参考

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1、泓域咨询/崇左碳化硅项目建议书崇左碳化硅项目建议书xxx有限责任公司目录第一章 项目背景分析7一、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高7二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代9三、 积极主动融入粤港澳大湾区10第二章 绪论11一、 项目名称及投资人11二、 编制原则11三、 编制依据12四、 编制范围及内容13五、 项目建设背景13六、 结论分析14主要经济指标一览表16第三章 市场分析18一、 新能源车充电及里程焦虑凸显,800V架构时代来临18二、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低19三、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1

2、亿美元20第四章 建筑工程说明22一、 项目工程设计总体要求22二、 建设方案23三、 建筑工程建设指标24建筑工程投资一览表25第五章 产品方案分析27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第六章 运营模式30一、 公司经营宗旨30二、 公司的目标、主要职责30三、 各部门职责及权限31四、 财务会计制度34第七章 SWOT分析38一、 优势分析(S)38二、 劣势分析(W)40三、 机会分析(O)40四、 威胁分析(T)41第八章 组织机构及人力资源47一、 人力资源配置47劳动定员一览表47二、 员工技能培训47第九章 技术方案分析50一、

3、 企业技术研发分析50二、 项目技术工艺分析52三、 质量管理54四、 设备选型方案55主要设备购置一览表55第十章 原辅材料供应及成品管理57一、 项目建设期原辅材料供应情况57二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理57第十一章 投资估算59一、 投资估算的依据和说明59二、 建设投资估算60建设投资估算表62三、 建设期利息62建设期利息估算表62四、 流动资金64流动资金估算表64五、 总投资65总投资及构成一览表65六、 资金筹措与投资计划66项目投资计划与资金筹措一览表66第十二章 项目经济效益分析68一、 经济评价财务测算68营业收入、税金及附加和增值税估算表68综合总成本费用估算

4、表69固定资产折旧费估算表70无形资产和其他资产摊销估算表71利润及利润分配表73二、 项目盈利能力分析73项目投资现金流量表75三、 偿债能力分析76借款还本付息计划表77第十三章 招标、投标79一、 项目招标依据79二、 项目招标范围79三、 招标要求80四、 招标组织方式80五、 招标信息发布84第十四章 项目总结分析85第十五章 附表附件88主要经济指标一览表88建设投资估算表89建设期利息估算表90固定资产投资估算表91流动资金估算表92总投资及构成一览表93项目投资计划与资金筹措一览表94营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总成本费用估算表95利润及利润分配表96项目投资现金

5、流量表97借款还本付息计划表99第一章 项目背景分析一、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以

6、良好导电性为追求目标,在PVT法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降

7、低微管密度,部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下,国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类不断丰富,产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超240亿元、规

8、划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面,综合Yole等第三方机构数据,2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元,规划产能超过420万片/年(等效6寸),对比CASA的数据,2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年(等效6寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影

9、响,实际产能或严重不足。二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15.6%

10、。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同

11、时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。三、 积极主动融入粤港澳大湾区按照自治区东融战略,主动参与北部湾经济区和粤港澳大湾区两湾联动,加快崇左通往防城港、钦州的向海通道建设,在北部湾经济区开放发展中有新作为;主动融入大湾区先进制造业体系,有序承接大湾区日用化工、日用品、健康体育用品、纺织服装等消费品加工业和电子信息、人工智能、无

12、人机、生物医药等新兴产业,积极推动大湾区科技成果向崇左转移转化。探索与大湾区合作共建产业园区,将崇左打造成有机衔接大湾区开放合作的先行区,加快建设面向大湾区优质农产品供应基地。第二章 绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称崇左碳化硅项目(二)项目投资人xxx有限责任公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准)。二、 编制原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发,遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益,充分利用成熟、先进经验,实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况,采用先进适用的技术,

13、以经济效益为中心,节约资源,提高资源利用率,做好节能减排,在采用先进适用技术的同时,做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况,合理制定产品方案及工艺路线,设计上充分体现设备的技术先进,操作安全稳妥,投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计规范,努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备,加强计量管理,提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全,保护环境、节约用地原则进行布置;同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面,本着“三同时”原则,设计上充分考虑装置在上述各方面投资,使得

14、环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳,统一治理,安全生产,文明管理。三、 编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。四、 编制范围及内容依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况,按照项目的建设要求,对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模,并提出主要技术经济指标,对项目能否实施做出一个比较科学的评价,其主要内容包括如下几个

15、方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。五、 项目建设背景SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于x

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