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1、泓域咨询/关于成立碳化硅器件公司方案关于成立碳化硅器件公司方案xx有限责任公司报告说明xx有限责任公司主要由xxx集团有限公司和xxx投资管理公司共同出资成立。其中：xxx集团有限公司出资113.00万元，占xx有限责任公司10%股份；xxx投资管理公司出资1017万元，占xx有限责任公司90%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资40373.85万元，其中：建设投资31963.67万元，占项目总投资的79.17%；建设期利息451.26万元，占项目总投资的1.12%；流动资金7958.92万元，占项目总投资的19.71%。项目正常运营每年营业收入93700.00万元，综合总成本费用73852.9
2、0万元，净利润14521.24万元，财务内部收益率27.75%，财务净现值33240.55万元，全部投资回收期4.97年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面，综合Yole等第三方机构数据，2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动，我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计，截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元，规划产能超过420万片/年（等
3、效6寸），对比CASA的数据，2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年（等效6寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力，且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产，但受衬底良率及质量等因素影响，实际产能或严重不足。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 拟成立公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司
4、合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况12第二章 公司组建方案18一、 公司经营宗旨18二、 公司的目标、主要职责18三、 公司组建方式19四、 公司管理体制19五、 部门职责及权限20六、 核心人员介绍24七、 财务会计制度25第三章 背景及必要性29一、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积29二、 SiC器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待30三、 直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC将加速替代31四、 提升对外开放水平33五、 提升科技创新引领力34六
5、、 项目实施的必要性35第四章 行业、市场分析36一、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力36二、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期37三、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高37第五章 法人治理结构40一、 股东权利及义务40二、 董事42三、 高级管理人员46四、 监事49第六章 发展规划分析52一、 公司发展规划52二、 保障措施56第七章 项目环境影响分析59一、 编制依据59二、 建设期大气环境影响分析60三、 建设期水环境影响分析61四、 建设期固体废弃物环境影响分析62五、 建设期声环境影响分析62六、 环境管理分析63七、
6、结论65八、 建议65第八章 项目选址可行性分析67一、 项目选址原则67二、 建设区基本情况67三、 持续扩大有效投资69四、 项目选址综合评价70第九章 风险评估分析71一、 项目风险分析71二、 项目风险对策73第十章 项目经济效益评价75一、 经济评价财务测算75营业收入、税金及附加和增值税估算表75综合总成本费用估算表76固定资产折旧费估算表77无形资产和其他资产摊销估算表78利润及利润分配表80二、 项目盈利能力分析80项目投资现金流量表82三、 偿债能力分析83借款还本付息计划表84第十一章 进度计划86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第
7、十二章 投资方案分析88一、 投资估算的依据和说明88二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表91四、 流动资金93流动资金估算表93五、 总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十三章 项目综合评价97第十四章 补充表格98主要经济指标一览表98建设投资估算表99建设期利息估算表100固定资产投资估算表101流动资金估算表102总投资及构成一览表103项目投资计划与资金筹措一览表104营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表105固定资产折旧费估算表106无形资产和其他资产摊销估算表
8、107利润及利润分配表108项目投资现金流量表109借款还本付息计划表110建筑工程投资一览表111项目实施进度计划一览表112主要设备购置一览表113能耗分析一览表113第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xx有限责任公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本1130万元三、 注册地址xxx四、 主要经营范围经营范围：从事碳化硅器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xx有限责任公司主要由xxx集团有限公司和xxx投资管理公司发起成立。（一）xxx集团
9、有限公司基本情况1、公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表
10、主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额14509.0611607.2510881.80负债总额4475.773580.623356.83股东权益合计10033.298026.637524.97公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入63746.1950996.9547809.64营业利润12361.839889.469271.37利润总额10243.128194.507682.34净利润7682.345992.235531.28归属于母公司所有者的净利润7682.345992.235531.28（二）xxx投资管理公司基本情况1、公司
11、简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额14509.0611607.2510
12、881.80负债总额4475.773580.623356.83股东权益合计10033.298026.637524.97公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入63746.1950996.9547809.64营业利润12361.839889.469271.37利润总额10243.128194.507682.34净利润7682.345992.235531.28归属于母公司所有者的净利润7682.345992.235531.28六、 项目概况（一）投资路径xx有限责任公司主要从事关于成立碳化硅器件公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由目前已有多家车企在主逆变器中
13、采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最
14、多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别
