《背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺》由会员分享，可在线阅读，更多相关《背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺（1页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
19)中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN101241946A(43)申请公布日2008.08.13(21)申请号 CN200710173512.8(22)申请日 2007.12.28(71)申请人 中国科学院上海技术物理研究所地址200083 上海市玉田路500号(72)发明人 唐恒敬;张可锋;吴小利;朱慧;宁锦华;李淘;汪洋;李雪;李永富;龚海梅(74)专利代理机构 上海新天专利代理有限公司代理人 郭英(51)Int.CIH01L31/105;H01L31/18;权利要求说明书 说明书 幅图(54)发明名称背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺 (57)摘要本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探 测器芯片及制备工艺，包括在 pInGaAs/p InP/iInGaAs/nInP 外延片上刻蚀形成 pInGaAs/p InP/i InGaAs 微台面，InGaAs 吸收层厚度设计为l.lum至1.5um,掺杂浓度为3 5X10
