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1、第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。3、在N型半导体中，自由电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。二判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，
2、扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（ ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ ）5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ ）6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ ）7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（ ）习题2客观检测题一、填空题1、半导体二极管当正偏时，势垒区 变窄 ，扩散电流 大于 漂移电流。2、 在常温下，硅二极管的门限电压约 0.6 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V；锗二极管的门限电压约 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.2 V。3、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制
3、成的二极管，称为 （稳压）二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是 最大整流电流 、 反向击穿电压 、 反向电流 和 极间电容 。二、判断题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ a ）。 a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成 c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ c ）。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的（ d ）。 a. 单向导电性 b. 反偏截止特性 c. 电容特性 d. 反向击穿特性 4、二极管的反向饱和电流在20时是
4、5A，温度每升高10，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40时，反向饱和电流值为（ c ）。 a. 10A b. 15A c. 20A d. 40A5、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。主观检测题1. 写出题图2.1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。解：VO12V（二极管正向导通），VO20（二极管反向截止），VO32V（二极管正向导通），VO42V（二极管反向截止），VO52V
5、（二极管正向导通），VO62V（二极管反向截止）。题图2.1.23 重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD0.7V。解：UO11.3V（二极管正向导通），UO20（二极管反向截止），UO31.3V（二极管正向导通），UO42V（二极管反向截止），UO51.3V（二极管正向导通），UO62V（二极管反向截止）。(a)(c)(b)题图2.1.44 设题图2.1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出、两端电压。解：题图2.1.4所示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=6V，图（b）所示电路，二极管D1导通
6、，D2截止，VAO=0V，图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=0V。2.2.1 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、5.7V、8.7V和13V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V、5V等三种稳压值。2.2.2 已知稳压管的稳压值VZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。题图2.2.2 解：（1）当VI10V时，若VO1V
7、Z6V，则稳压管的电流为，大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。 （2）当VI10V时，若VO2VZ6V，则稳压管的电流为，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 。2.2.3 电路如题图2.2.3（a）（b）所示，稳压管的稳定电压VZ3V，R的取值合适，vi的波形如图（c）所示。试分别画出vO1和vO2的波形。题图2.2.3解：波形如图2.2.3所示。题图2.2.3所示的电路中，对于图（a）所示的电路，当时，稳压管DZ反向击穿，vovi 3V，当时，稳压管DZ未击穿，vo0V。图2.2.3对于图b所示的电路，当时，稳压管DZ反向击穿，voVZ ，当时，稳压管DZ未击穿，vovi 。题图
8、2.2.4题图2.2.42.2.4 已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ6V，最小稳定电流IZmin5mA，最大稳定电流IZmax25mA。（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；（2）若vi35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当vi10V时，若vOVZ6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当vi15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以 vOVZ6V 同理，当vi35V时，vOVZ6V。 （2）29mAIZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。2.2.5 电路如题图2.2.5所示，设所
9、有稳压管均为硅管（正向导通电压为VD0.7V），且稳定电压VZ8V，已知vi15sint (V)，试画出vO1和vO2的波形。题图2.2.5(b)(a) 解：题图2.2.5所示的电路图中，对于图（a），当时，稳压管DZ反向击穿，vo8V ； 当时，稳压管DZ正向导通，vo0.7V ；当时，稳压管DZ1 和DZ2未击穿，vovi 。 对应题图2.2.5(a)电路的输出电压的波形如图2.2.5(a)所示。对于图（b），当时，稳压管DZ1正向导通、DZ2反向击穿，vo8V； 当时，稳压管DZ1反向击穿、DZ2正向导通，vo8V； 当时，稳压管DZ1 和DZ2未击穿，vovi 。对应题图2.2.5(b
10、)电路的输出电压的波形如图2.2.5(b)所示。图2.2.5(b)(a)2.3.1 在题图2.3.1所示电路中，发光二极管导通电压VD1.5V，正向电流在515mA时才能正常工作。试问：题图2.3.1（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？ 解：（1）当开关S闭合时发光二极管才能发光。（2）为了让二极管正常发光，ID515mA， R的范围为 可以计算得到R= 233700 习题3客观检测题一、填空题1. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。3. 在半导体中，温度变化时 少 数载流子的数量变化较大，而 多 数载流子的数量变化较小。4. 三极管实现放大作用的内
11、部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区很薄 ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。 6. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 100 。7. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12kW的负载电阻后，输出电压降为2.5V，
12、这说明放大电路的输出电阻为 12 kW。11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入 共集电极 组态的放大电路。 12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射基本放大电路中晶体管的输出特性和直流（MN)、交流负载线(AB)。由此可以得出：（1）电源电压= 6V ；（2）静态集电极电流= 1mA ；集电极电压= 3V ；（3）集电极电阻= 3k ；负载电阻= 3k ；（4）晶体管的电流放大系数= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数= 50 ；（取200）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电
13、流的振幅度应小于 20A 。题图3.0.113. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极基极偏置电路 。14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻 小 。 15. 三极管的交流等效输入电阻rbe随 静态工作点 变化。16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用；19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用；20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用；21. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较 小 。22. 射极输出器的三个主要特点是 输出电压与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输出电阻小 。23. 放大器的静态工作点由它的 直流通路 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 交流通路 决定。24. 图解法适合于 求静态工作Q点；小、大信
