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1、定量求解方案通常需要考虑的因素1、二极管工作在稳态条件下2、杂质分布为非简并参杂的突变结3、二极管是一维的4、准中性区域中以小电流注入为主5、二极管内除了漂移、扩散和热复合-产生过程之外，并没有其他过程，具体的讲GL=0准中性区域的考虑因素特性参数1DeNBW1dbNeLe12Lb，dnpJnqDNxxndx耗尽层的考虑因素JJn(-Xp)Jp(Xn)边界条件必须明确欧姆接触和耗尽层边界处的厶np和厶Pn欧姆接触边界np(x-)Pn(X)耗尽层边界npn：e2qVA/kT-xPx0Jp(x)qDp誓dxDpqLP2ni(eqVA/kT1)ex/LpNdnP(x)2*/qVA/kT(eANa1)
2、ex/LnJn(x)qDN血dx2niDnqLnNa/qVA/kT(eA1)eX/LnqVa/kTIl(e10瞪NaLpN1)niDp2ni-)d1dc1dNbw1(JW)2dTNEl；2(l；)1DbNeLe2LbVa=0条件下的突变结p的解-qNAqND0DeNBWdcDeNBWxPx00xxnXp,XXn&的解-qW/Ks0d&qNd/Ksdx0V的解込(XdVKs0(PdxqND(Xn0KsqNA2x2Ks0PXn和Xp的解耗尽层宽度XnXpx)x)VbiqN2KsW=x+Xp2Ks0NaNDXnNaXnXpxPx00xxnXpXp,XXn2XnNd(NaNd)2Ks0VbiNdXn1
3、/2qNa(NaNd)1/2Vbi1/22Ks0NaNdvVbiqNaNd实例计算估算热平衡条件下的W和|&|max的值,假定300K温度，N=ioi7cm,N=ioi4cm(0.0259)In(1017)(1014)(1020)1/2XnqNo211.88.8510-140.656-19141.610100.656V图10.6牡丁放畫模武愉實下的砂pBfT中载流于的恬础_42.9310cm2.93mXpNDXn(10-3)Xn2.9310-7cmNaWXnXpXn2.93m|&|max|&(0)|畀XnKS04.49103V/cm1.6101910142.931011.88.8510几何效应
4、发射区面积工集电区面积串联电阻一本征晶体管电流集边效应：环绕发射区周边有更大的电流，称为电流集边效应产生于复合电流对BJT的影响品质因素窄基区下的BJT特征参量sinhWLb1DeLbNbDbLe2coshWLBdc1DeLbN_bDbLeNecoshWLB2,1W12Lb基区宽度调制vcb增加T=wj减小=IeTVCb增加T=wJ减小=BdcT31113Gun1曲践的一載聖式及说驹普通的四端模型1b1Bb,vbevceVBEVceVcEVBE1cC1Cc,vbe、，vceVBEVceVceVBE混合n模型lFoeqVEB/kTIB(1F)lF0eqVEB/kTgmgmgmg11ICIC/IB
5、dcg120VecV田g21gmqV田/kTFlFeqEBq/kTg22护0VECVebr1/g11dckTqlcgmIcIeqVpB/kTFlFeq田(b)E-ME5FETtt贬t怕栓低】LtTIGWMESFE7胖：(*)料屋損gdMESFET(bjfl俺運式屹E-MLSFET短沟道效应短沟道，沟道电场增大（104V/cm）,缓变沟道不成立可变迁移率模型（L10un）在瞬态响应期间内不同时间段准中性基区中少数载流子的近似分布ID(长沟道)ID1satLnVD饱和速度模型（L1um）IDsatI(yi)qVsatNDZaW(0)W(0)2KsoqND两区模型1/2Vg)1/2VDsat(VbiVP)VDsatVbiV3/2WivpVbia一VbiVgVP3/2VbiVgV.VP&satLn型半导体p型半导体ls整流欧姆Ms欧姆整流实际中MS接触1/2VDsatVbiVGVbiVpMESFET
