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1、红外焦平面阵列技术发展现状与趋势跨入二十一世纪以来,红外热摄像技术的发展已经历了三十多个年头。其发展已从当初的机械扫描机构发展到了目前的全固体小型化全电子自扫描凝视摄像,特别是非致冷技术的发展使红外热摄像技术从长期的主要军事目的扩展到诸如工业监控测温、执法缉毒、安全防犯、医疗卫生、遥感、设备先期性故障诊断与维护、海上救援、天文探测、车辆、飞行器和舰船的驾驶员夜视增强观察仪等广阔的民用领域。 红外热摄像技术的发展速度主要取决于红外探测器技术取得的进展。三十年来,红外探测器技术已从第一代的单元和线阵列发展到了第二代的二维时间延迟与积分 TDI812m的扫描和35m的640480元InSb凝视阵列,
2、目前正在向焦平面超高密度集成探测器元、高性能、高可靠性、进一步小型 化、非致冷和军民两用技术的方向发展,正在由第二代阵列技术向第三代微型化高密度和高性能红外焦平面阵列技术方向发展。1发展现状1.1超高集成度的焦平面探测器像元像可见光CCD之类的摄像阵列一样,要提高系统成像的分辨率和目标识别能力,大幅度地提高系统焦平面红外探测像元的集成度是一种重要的途径。各公司厂家都在尽力增加焦平面阵列的像元数,发展各种格式的大型或特大型红外焦平面阵列。 在13m的短波红外SWIR焦平面阵列方面,由于多年来的军用都集中在中波红外MWIR和长波红外LWIR波段,因而SWIR焦平面阵 列技术的发展受到忽略,但由于这
3、个波段的许多应用是MWIR和LWIR应用达不到的,因而近几年来加快了对SWIR焦平面阵列技术的发展步伐,目前的阵列 规模已达到20482048元400万元。InGaAs红外焦平面阵列：虽然实现短波红外热摄像的候选材料要求低温冷却工 作,而且HgCdTe衬底失配率高,暗电流也高,唯有In0.53Ga0.47As的晶格常数与InP相同,暗电流密度低达 310-8A/cm2,R0A2106.cm2,D*1013cmHz1/2W-1室温下,其光响应峰值在0.9m1.7m,可实现 非致冷工作的高性能红外焦平面阵列,其多年的光纤通信工业应用使其具有大批量生产的能力,因而几年来日益受到重视,美国传感器无限公
4、司在DARPA和NVESD支持下正在加速发展这种非致冷的红外焦平面阵列和摄像机技术,其阵列尺寸已达到320240元。 HgCdTe阵列：由于军用目的的需求,过去这种材料焦平面阵列技术的发展主要集中于中波和长波红外波段应用,但洛克威尔国际科学中心却一直在发展 13m波段工作的HgCdTe焦平面阵列技术,其主要目的是天文和低背景应用,该中心在90年代中期已制出HQWA-110241024元阵 列,目前已研制成功世界上最大的HQWA-2型20482048元的阵列,该中心正在计划研制40964096元的特大型阵列。在35m的中波红外焦平面阵列方面：中波红外焦平面阵列技术的发展一直是红外焦平面中发展最快
5、的,主要有PtSi、InSb和HgCdTe三种阵列,其阵列规模已达到20482048元400万元。 PtSi阵列已形成大批量生产能力,典型阵列有640480,801512,10241024,10401040,柯达公司新近推出的产品高 达19681968元,其阵列规模已接近于400万元,HgCdTe中波焦平面阵列是目前所有焦平面中波工作阵列中集成度高,最引人注目的,洛克威尔国 际科学中心在这方面的发展处于世界领先地位,除了640480和10241024元的天文应用阵列外,近期已准备提供用户使用的阵列为 20482048元,并正在采用拼接技术研制40964096元的阵列,但工作温度低于77K。In
6、Sb阵列是这个波段应用中深受重视的器件,主要是低背景天文应用阵列规格达10241024元,典型阵列还有640480和640512元。 在长波红外焦平面阵列方面,主要集中于HgCdTe,GaAlAs/GaAs多量子阱阵列,SiGe异质结构阵列和非致冷红外焦平面阵列四种。 HgCdTe阵列的发展一直较为缓慢,近几年主要集中于GaAlAs/GaAs量子阱列和非致冷工作的红外焦平面阵列技术,发展极快,阵列规模已达到了 640480元。 HgCdTe焦平面阵列技术,由于这种材料的电学特性,进展一直较为缓慢,长波HgCdTe焦平面阵列规模仅为256256元。 GaAlAs/GaAs阵列是最近几年来发展最快
7、的,研究的国家公司机构很多,如美国的洛克希德-马丁、洛克威尔国际科学中心,雷声、喷气式推进实验 室和空军研究实验室等,日本的三菱电机和NTT,法国的汤姆逊和瑞典、加拿大、以色列的不少公司竟相研制发展,其中以喷气式推进实验室、雷声和洛克希德- 马丁公司的进展最快,目前的阵列尺寸已达到640484元,已评估了10241024元的双色阵列,正在水平集成四色阵列。 GeSi/Si异质结构红外焦平面阵列6,其工作机理类同于PtSi阵列。MBE技术的发展,为GeSi/Si、InSb和InGaAs、 GaAlAs、HgCdTe等高性能大型阵列发展提供了先进的制作技术。麻省理工学院和林肯实验室已制作了3202
8、40元和400400元的阵列,日 本三菱电机公司的阵列规模已达到了512512元,只是目前GeSi/Si阵列工作温度明显低于77K。非致冷红外焦平面阵列, 由于近几年来取得的突破性进展,器件和整机系统应用技术的发展均很迅速,主要用于814m的长波红外波段探测,像美国霍尼韦尔、得克萨斯仪器、洛克希 德马丁、雷声、因迪哥系统、萨尔诺夫和波特兰前视红外系统公司等,日本三菱电机公司、英国GEC-马可尼和瑞典、加拿大等国的公司都竞相发展这种技术,竞 争几乎遍及全球,发展甚为迅猛,目前常用商用阵列为320240元,640480元阵列即将问世。1.2高性能由于用采用诸如MBE、MOCVD这样的高精度控制制作
9、工艺,微机械加工技术和CMOS这样的大型或特大型集成多路传输器,不但实现了如10241024,20482048元这样的大型二维凝视红外焦平面阵列的高速大容量的信号处理,而且获得了高度均匀性的阵列焦平面响应特性,进一步提高了阵列的性能。短波红外焦平面阵列,迅速实现了商用化。美国新泽西州传感器 无限公司的128128和320240元InGaAs焦平面阵列D*值1013cmHz1/2W-1室温下,如冷却到250K工作 时,D*1014cmHz1/2W-1,1.31.6m的量子效率接近90,洛克威尔国际科学中心的PACE1型10241024元阵列和 HAWA2型20482048元阵列,平均量子效率65
10、.4,光响应不均匀性为4.3。page_break 中波红外焦平面阵列器件中,PtSi阵列经过二十来年的发展改进,性能大幅度提高,噪声等效温差NETD已优于0.1,三菱512512元 IRCSD已达到0.070.033K,801512元阵列填充因子61,NETD为0.076,最小可分辨温差0.17尼奎斯特,萨尔诺 夫的640480元阵列NETD0.18K,最小可分辨温差MRT0.04K300K,积分时间33毫秒,三菱10401040元PtSi阵 列不均匀性2；圣巴巴拉研究中心InSb640512元阵列的NET优于20mK,10241024元天文应用的InSb阵列量子效率85 0.9m5m；洛克
11、威尔国际科学中心PGM600-003640480元HgCdTe阵列77K量子效率68%,NET平均值为 0.013K,该中心的10241024和20482048元阵列也都具有良好的性能。 长波814m红外焦平面阵列,HgCdTe阵列发展时间最长,但阵列尺寸不大,目前的性能是非常好的,列工作温度7788K,量子效率 7075,NETD为13mk,双波段工作阵列量子效率为60%；GaAlAs/GaAs量子阱红外焦平面阵列发展到了今天的640480元 特大阵列,工作温度已接近或达到77K,截止波长长达14m16m,如喷气式推进实验室的640480元GaAs/AlxGa1-xAs阵列,工 作温度70K
12、,NET为43mk,NET不均匀性为1.4,已报导了89m和1415m双色640486元阵列摄像机,这种阵列的工作温 度仍需提高到77K以上方可在系统应用方面获得大量应用的能力；非致冷的红外焦平面阵列技术是长波红外焦平面阵列技术发展的重要方向之一,近几年在技术上 取得了突破,投入批量生产,正在加紧推广应用。主要材料有VOx、Ti金属、硅、多晶硅、非晶硅、热释电和热释电铁电材料几种,有热敏电阻微测辐射热计 和薄膜热释电与热电堆几种阵列,目前已进入系统应用的阵列为320240元阵列,NETD通常优于0.1K,最佳性能为0.01K0.005K即10mk5mk,洛克希德马丁等公司已研制出640480元
13、的最大阵列。萨尔洛夫公司采用Si3N4作绝缘层的阵列设计,NETD可达0.005K,使用SiC时为0.01k。1.3高密度小像元尺寸大型或特大型高密度集成,特别是如100万和100万元以上探测器元集成焦平面阵列要求高精度的超大规模集成电路加工技术如亚微米和微机械加工技术,焦平面阵列技术的发展很大程度上取决于超大规模集成电路的进展。DRAM每个单元仅要求一个晶体管,而红外焦平面阵列读出电路则需三个或更多的晶体管,而且其中有一个必须是低噪声模拟的,目前DRAM生产水平设计规格为0.25m,预生产设计规 格已是0.18m,在这样先进加工条件下,焦平面阵列多路传输器和探测器元尺寸都可进一步缩小,阵列元
14、数集成度更高,图1是焦平面阵列技术发展与微细加 工技术的发展趋势关系。目前的红外焦平面阵列由于采用亚微米加工技术,像元尺寸大为缩小,实现了小像元高密度的红外焦平面集成的进一步发展。由于微细加工 技术的发展,PtSi阵列的像元尺寸已小达2020m2和1717m2,如柯达KIR390019681968元阵列和日本三菱 10401040元阵列,HgCdTe阵列已小达1818m,如洛克威尔科学中心的HAWA-220482048元阵列,其设计规格为0.8m,洛克希德马丁红外摄像公司的640480元非致冷红外焦平面阵列的像元尺寸缩小为2828m2,雷声和喷气式推进实验室的89m和1415m波段工作的双色G
15、aAlAs/GaAs量子阱阵列像元尺寸小达2525m。 1.4多色工作随着红外焦平面阵列制作技术的迅速进展,由于许多实际应用的需要,近期在双色或多色红外焦平面阵列技术发展方面取得了显著的进展,如美国加州理工学院喷气式推进实验室空间微电子中 心、雷声先进红外中心和空军研究实验室最近研制出的89m和1415m的双色640486元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面阵列及其摄 像机,雷声、美国陆军研究NASAGooddard航天飞行中心和洛克威尔科学中心共同研制的11.2m和16.2m截止波长的256256元 GaAs/GaAlAs量子阱红外焦平面阵列,这些机构都是在加紧发展这种二色和多色焦平面阵列,都是在原来单色焦平面阵列取得极大进展的基础上迅速地研制出了这种双色阵列。但这种技术目前的工作温度尚不到77K,同时探测器像元要求二种工作电压,长波敏感区需极高的偏压8V实现长波红外探测,虽然电压可调,但不能同时提供二个波段的数据。2未来的发展趋势上面已叙述了进入二十一世纪以来红
