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1、“新一代宽带无线移动通信网”国家科技重大专项2013年度课题申报指南二一二年四月项目1：LTE及LTE-Advanced研发和产业化项目说明：“十一五”期间，LTE研发和产业化已作了较为全面的部署，基本完成了系统、芯片等关键环节的产品开发。“十二五”期间，将实现LTE产业化及规模应用，并开展LTE-Advanced关键技术、标准化及整体产业链的研发和产业化。2013年，LTE及LTE-Advanced研发和产业化项目包括：为继续完善TD-LTE产业链，重点安排了TD-LTE小型化天线、空口监测仪表、多模商用基带芯片、多频商用射频芯片、多天线无线信道模拟器等开发；针对LTE-Advanced设备
2、研发，启动了终端综合测试仪等课题；在前期课题已取得进展的前提下，开展TD-LTE公网集群、高频高速室内接入样机开发等课题。课题1-1：TD-LTE基站小型化智能天线研发课题说明：多制式共天馈，灵活的天线部署方式以及天面设备的小型化既是重点也是难点。需要产业继续实现TD-LTE基站天线的宽带化、多模化、多频化、电调化、一体化等要求。研究目标：解决LTE基站多天线系统的小型化技术难题，开发TD-LTE小型化高增益的FAD频段的宽带基站天线，并进一步开发支持基于3G/LTE网络独立调整要求的小型化多模多频段基站天线。考核指标：（1）TD-LTE多天线系统小型化的基本要求（1.8GHz-2.6GHz频
3、段）：天线高度小于0.7米（不含外露的接头长度），天线迎风面积小于0.3平方米，天线厚度小于0.1米，天线重量小于7公斤，含有电调和内置多频合路器的天线重量不超过10公斤（不含安装配件）；（2）开发多模多通道双极化TD-LTE基站天线，主要指标要求：以8通道设备为主，单元波束增益F/A频段13.5dBi,D频段15dBi；广播波束F/A频段增益13.5dBi,D频段增益15dBi；D频段单元波束达到6515，垂直面波束宽度9.5；极化隔离度/通道隔离度均不小于26dB，前后比不小于27dB, 上旁瓣抑制不小于15dB，交叉极化比不小于-15dB（轴向）；（3）开发FAD频段内置多频合路器的小型
4、化基站天线，隔离度不小于30dB，并支持与多频、多模基站或RRU设备的外挂式一体化, 支持盲插接口；（4）在前述产品技术基础上开发相应的电调化天线产品；研究在保持小型化目标下支持多频多模基站的一体化天线实现独立电调（电倾角可调范围2-12）的可行性方案，并开发出一种TD-SCDMA与TD-LTE独立电调的一体化基站天线样品，各项电气指标基本符合（2）的要求；各项机械指标在（1）基础上可放宽30%以内；（5）完成支持多频多模基站以及8天线MIMO技术的LTE小型化基站天线企业标准和行业推荐标准的研究报告，完成设计方案、行业推荐标准的研究报告不少于5个；（6）申请发明专利不少于5项。实施期限：20
5、13年1月至2014年12月。经费比例：中央财政投入与其他来源经费比例为1:2。本课题拟采用事前立项事后补助的中央财政支持方式。申报方式：公开择优，支持家数不超过3家。企业牵头承担，鼓励产学研用联合申请。课题1-2：LTE空中接口监测仪研发课题说明：LTE网络架构扁平化，相对于3G系统，减少了基站控制器（RNC）设备。在3G网络中可通过Iub接口监测的信息，在LTE网络中则需要在Uu接口监测获取。本课题主要是开发LTE空口监测仪表，为LTE网络的研究、建设和优化提供专用仪表。研究目标：研究开发LTE空口监测仪表的硬件和软件平台。支持LTE空口L1、L2、L3的协议栈监测和跨层关联分析，采取实时
6、跟踪监测多用户的业务建立、信令过程和数据流量，分析用户业务行为。支持空口信息与核心网信息的关联分析，提供业务优化决策方案。考核指标：（1）支持3GPP R8、R9标准版本，支持LTE空口监测；（2）支持18801920MHz、23002400MHz和25702620MHz频段，及LTE FDD频段（至少包括2.6GHz）；（3）支持射频带宽设置5MHz、10MHz、15MHz、20MHz；射频动态输入范围80dB；接收机最大输入电平-10dBm；接收机灵敏度高于-94dBm(20MHz)或-97dBm(10MHz)，能够显示接收机灵敏度；频率误差：0.1ppm；最大无损伤输入电平：0dBm；（
7、4）支持PHY、MAC、RLC、PDCP、RRC和NAS控制面协议栈，以及PHY、MAC、RLC、PDCP、IP、应用用户面协议栈；（5）支持LTE空口的实时监测及显示。包括但不限于：协议实时解码和自动识别，指定eNodeB/小区的Uu接口实时抓包，分析传输层、链路层、网络层各层的协议包，提供特征包查找功能、数据包及协议的显示和捕捉过滤功能；并支持多用户、多小区、多天线模式的实时监测，多频段并行同步监测，同频和异频切换监测，IP业务的实时解析等； （6）支持不少于24个用户的实时监测，记录每个用户空口控制面和用户面数据，识别用户业务类型和分析用户业务感知，保存至少10分钟的原始数据（IQ采样数
8、据）和解析后的数据，支持离线分析及显示；支持与LTE路测仪表、S1和X2接口监测仪表的关联工作，以及协同进行流程分析;（7）申请发明专利不少于3项。实施期限：2013年1月至2014年12月。经费比例：中央财政投入与其他来源经费比例为1:1。本课题拟采用事前立项事后补助的中央财政支持方式。申报方式：公开择优，支持家数不超过3家。专业仪表企业牵头承担，鼓励产学研用联合申请。课题1-3：TD-LTE/FDD-LTE/TD-SCDMA/WCDMA/GSM多模基带商用芯片研发课题说明：集成多模基带的单芯片对支撑TD-LTE商用智能手机至关重要，它涉及的技术多，难度大，需要集中进行突破。研究目标：开发T
9、D-LTE/FDD-LTE/TD-SCDMA/WCDMA/GSM的多模基带的单芯片，满足商用需求，在通信方面 TD-LTE、FDD-LTE能够满足3GPP R8、R9和国内相关规范的要求, TD-SCDMA、WCDMA支持3GPP R8版本。考核指标：集成TD-LTE/FDD-LTE/TD-SCDMA/WCDMA/GSM的多模基带的芯片,满足面向商用的要求,达到以下技术指标:（1） TD-LTE/FDD-LTE/TD-SCDMA/WCDMA/GSM/GPRS/EDGE多模；（2） 下行支持42 MIMO方式，上行支持22 MIMO方式；（3） 支持LTE 终端类型Category 3及以上，协
10、议版本至少支持3GPP R9协议；（4） 支持WCDMA-HSPA+（21Mbps）、TD-HSPA，协议版本至少支持3GPP R9协议；（5） 实现TD-LTE/FDD LTE和WCDMA/TD-SCDMA/GSM之间的互操作，支持数据业务在LTE和3G/2G网络间的切换和网络改变；支持话音业务由TD-LTE和FDD LTE向WCDMA、TD-SCDMA、GSM的CS Fallback回落；（6） 支持IMS，以及基于IMS的Voice over LTE和SR-VCC;（7） 半导体工艺28nm；TD-LTE模式下，以峰值速率双向传送数据，最大功耗不大于400mW20MHz带宽,100BR,
11、双收单发；（8） 基带芯片应该全面提供对IPv6的支持，具体要求包含：芯片的各模式支持IPv4，IPv6，IPv4v6 PDN/PDP Type；应能实现IPv6头压缩功能。（9） 完成芯片优化工作，重点是芯片的性能、稳定性和功耗指标能达到面向商用要求。（10） 申请发明专利不少于5项。实施期限：2013年1月至2015年12月。 经费比例：中央财政投入与其他来源经费比例为1:3，其中地方财政投入资金应不低于中央财政投入的50%。本课题拟采用事前立项事后补助的中央财政支持方式。申报方式：公开择优，支持家数不超过3家。基带芯片企业牵头承担，鼓励产学研用联合申请。课题1-4：TD-LTE多频射频商
12、用芯片研发课题说明：由于LTE需要提供2G/3G多模终端，且LTE在全球的频率比较分散，因此LTE应支持10个以上的频段，这对射频芯片提出了很大的挑战。研究目标：开发出支持多模多连接功能的LTE多模多频段射频芯片,符合3GPP R9及国内相关标准。考核指标：提供600片TD-LTE多频终端射频芯片样片。具体技术要求为：（1） 符合3GPP LTE（R9）及国内相关规范要求；提供多模多连接功能的多模多频段射频芯片优化技术解决方案和测试样片；该测试样片需具备至少40nm工艺；（2） 支持如下的模式和频段：TD-LTE：B38/39/40/41；LTE FDD：B1/3/7/20/4；TD-SCDM
13、A/TD-HSPA：B34/39/40；WCDMA HSPA+：B1/2/3/4/5/8/10；GSM/GPRS/EDGE：B2/3/5/8；可扩展支持TD-LTE在698-806MHz的使用；（3） 下行支持42 MIMO 方式，上行支持2*2MIMO方式；（4） TD-LTE模式下，最大功耗不大于500mW 20MHz带宽，同时发射和接收，100RB，双收单发，输出功率0dBm；（5） 支持无线信道跨频段切换，切换时间80us，方便组网频点选择；（6） 集成射频收发前端（除PA外）和模拟基带处理，提供数字基带接口；（7） 接收机提供大于100dB动态范围，步进精度至少1dB；（8） 发射机
14、提供85dB动态范围，步进精度至少0.5dB；（9） 满足3GPP R9版本射频一致性规范要求；EVM不大于2.5%；（10）申请发明专利不少于5项。实施期限：2013年1月至2015年12月。经费比例：中央财政投入与其他来源经费比例为1:2，其中地方财政投入资金应不低于中央财政投入的50%。本课题拟采用事前立项事后补助的中央财政支持方式。申报方式：公开择优，支持家数不超过3家。射频芯片企业牵头承担，鼓励产学研用联合申请。课题1-5：TD-LTE-Advanced终端综合测试仪表开发课题说明：本课题主要是针对TD-LTE Advanced终端特点及相关新技术和实际测试需求，研究TD-LTE A
15、dvanced终端的射频测试方法。在此基础上，开发TD-LTE Advanced终端综合测试仪表。研究目标：开发TD-LTE Advanced终端综合测试仪表。根据3GPP R10要求，研制硬件平台和设计软件模块，开发出符合3GPP及行业标准要求的TD-LTE Advanced终端综合测试仪，实现TD-LTE Advanced物理层、高层协议实体以及载波聚合、增强MIMO等关键技术，并支持终端射频指标分析与测量算法。考核指标：（1）自主开发TD-LTE Advanced终端综合测试仪表；提供两套TD-LTE Advanced终端综合测试仪表；（2）支持3GPP R10发布的版本要求的TD-LTE Advanced终端射频指标测试；（3）根据实际测试需求可配合其他通用仪表完成3GPP R10(2013年12月)相关标准中要求的全部TD-LTE Advanced终端的射频指标测试；（4）申请发明专利不少于3项。实施期限：2013年1月至2014年12月。经费比例：中央财政投入与其他来源经费比例为1:1。申报方式：公开择优，支持家数不超过3家。鼓励产学研用联合申请。课题1-6：面向TD-SCDMA/TD-LTE/TD-LTE-Advanced的多模终端射频功率放大器芯片研发 课题说明：攻克TD-SCDMA/TD-LTE/TD-LT
