《2.3_IC测试要求和步骤(精)》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2.3_IC测试要求和步骤(精)（8页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、IC测试要求和步骤测试原理:对于基于CMOS工艺制造的IC芯片，T3Ster系统可以进行瞬态热测试，并进 而得出散热路径上的结构函数。使用CMOS工艺制造的芯片，在进行瞬态热测试的时候，将 GND管脚和Vdd 管脚找到，并在GND管脚接入正电压，Vdd管脚接入负电压，电流流过 CMOS电 路的体二极管，使芯片发热，并进行测试。F*MO5测定畑阻的因喉,正电歴. 端接负电圧电沆说过益的债二（8 俭器件炭热图：IC测试原理一一CMOS芯片的体二极管作为测试对象或者选择IC电路中的ESD保护二极管作为测试的对象，进行瞬态热测试。vddNMOSPMOS测足測阻的时假,GN Dig接正电压r 端接负电压
2、：电流jnacMos的体二極 便器件发热。_ t一 r=图：IC测试原理一一芯片的ESD保护二极管作为测试对象结构函数反映了从发热源（Die Chip ）到环境（热沉，最后直线向上部分）的 热流路径上的所有热容与热阻分布。根据结构函数上斜率（热容与热阻的比值变 化，可以区分出代表不同材料的线段。 T3Ster系统用直观的方式，帮助分析热流路 径上不同材料的热阻与热容。图：IC芯片测试后的结构函数二、测试的准备和条件：1,对于复杂的BGA IC来说，首先要按照 Block Diagram找到每个Block中存在体二极管的GND管脚和Vdd管脚；图：IC Block示意图2,通过一个电路板，将所有Block中的GND管脚和Vdd管脚连接起来，并放置在静态空气箱中进行测试;图：焊在PWB板上的BGA ICF _ _图：放置在静态空气箱中的 BGA IC和电路板3,如果需要进行符合JESD51-14规定的Rthjc的测试，请准备两种电路板, 这两种电路板的导热铜层厚度有区别；图：不同铜层厚度的FR4电路板函-BGA -0枣RfhjcT3sffi Mas cumcslve stojccre亠POO*00I 甲豈mL1 C1FO I t 0-2亠 Tlmbl* CAO I Do-as 丄M s cI DSog-kyxIL1 0_* o 111- n_- oI 50.200 轴ch-口
