模拟电子技术基础课后答案解析谢志远

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1、第二章Uab= 0.45U。(a) D导通,D截止。(b) D导通,D截止。(c) D导通,D截止(d)D导通,D截止。=2V (e) U = 1.3V。(f)=I = 0.6mA ; U = 5.4V。(a) U = 1.3V。(b) U = 0V。(c) U =-1.3V。(d) UU = -2Vo0203040 (1) I = 0 ; I = I = 1mA; U = 9V。 I = 0 ; I (3) U = 4.74V ; I = 0.53mA ; I = I = 21 = 0.26mA。(a) D截止。(b) D截止。(c) D导通。(1) U = 10V 时 U = 3.3V。U

2、 = 15V 时 U = 5V。U = 35V 时 U = 6V。若U = 35V时负载开路,稳压管D可能被击穿。I r = 35MV = 29mA 25mA稳压管 会因所承受的反向电流过大,出现热击穿而被烧毁。(1) (a)电流方向向外, (a) p= 1mA = 100 ;10|1A第三章大小为;(b)电流方向向外,大小为5mA。5mA(b) p = 50。100以(3) (a)该管为NPN型;(b),该管为PNP型。(a)为 PNP 型;(b)为 NPN 型;(c)为 NPN 型;(d)为 PNP 型;(e)为 PNP 型;(f)为NPN 型。(a)不能正常放大。(b)无交流放大作用。(

3、c)能够实现交流放大。(d)不能实现交流 放大。(e)不能实现交流放大。(f)电路能够正常放大。(1) U = 0.7V ; I = 50UA ; I = 2mA ; U = 6V。(1) 当 I = 0.3mA 时,Q 的 p = 50 ; Q 点的 p =25。(2) U = 40V ; P = 7.2WBQ1122(BR)CEOCM(a)三极管工作在截止区。(b)三极管工作在放大区。(c)三极管工作在饱和区。(1) R 土 = V = 12V, U = 4V , I = 2mA , R = 4kQ , R = 300kQ , R = 1.33kQ。u = 2V。CCCEQCQCBLom(

4、1) R = 2.5kQ , R = 250kQ , R = 3.75kQ。(2) 、该电路先出现截止失真。刚出现失真时,输出电压的峰-峰值为6V。 R = 863Q , A a-87 , R = 2kQ。 11 = 40日A , I =1mA , 0U = 7.5V , A a-42.8。(1) I = 20.4uA, I a 2mA, U=-4VV。(2) r =1513Q。(3) A = -99 , R = 1.5kQ , R = 3kQ。(4) 芦生了截止失真;若使截止失真消失,应该提高静态工作点,减小偏置电阻R。b(a) IB,a 46.3 aA,20C时电路的静态工作点:I 1 =

5、2.3mA,U 1a 5.56V ;55C时电路的静态工作点:I =3.2mA,U a 3V。(b) U =3V,I a 2.4mA。20C 时电路的静态工作点:I 1 = 48uA,U 1 = 5.28V ; = 200kQ。b I 60UA55C时电路的静态工作点:I = 34.3uA , U = U= 5.28V。从以上分析可知,分压式偏置电路能够起到稳定静态工作点的作用。(1) U = 3.3V,I w I = 2mA,I = 20uA,U = 7.4V。(2) A = 7.9,R w 3.7kQ,R = 5kQ。(3) U =3.3V,11 w I = 2nA,U = 7.4V 不变

6、,I =10uA。P RIIR 将变小,R = R R |r(4)若电容C开路,A =一厂将变小be 将变大,输出电阻R基本不变。o(1) U = 5.19V,I = 2.27mA(3)当环境温度发生改变时:(2) C1右为正,C左为正。ben /t uc t(UB不变% J IB I Ic J(1) R = 550kQ (2) R 短路时,I = 79uA,I = 3.95mA,U = 20V。(1) I = 0.275mA,当(3 = 20 时,有 I = 5.5mA,U = 8.5V。(2) A = 0.855,R = 7.93kQ,R w R = 1kQ。(3) 当稳压管反接时, Uq

7、 = U +CU q=1.4V, I = 0.717mA, 妇=14.34mA,UCE(= 4.96V ; A =15.84,R =1.14kQ,u v - u 1=CCBEUbu (1+3)(R R ) + (Rb1+ Rb2)(1) I(2) A=o =c1+ c23 (RKM) ; R= Rb2|rbeR w R = 1kQ。;ICU =3 IBUr ; R = R。1be(1) U w 4.3V,I(3) A w1,R w 7.9kQ(1) UU w 2.8V,Ir = 1.66kQ。A w 0.97。R ;(1) A =100,f = 10Hz,f = 105Hz。(2)-10 jf

8、(1+j )(1+j 寿)w I = 1.8mA,I =w 18aA,U = 2.8V,A = 0.8,R w 32Q。w I us = 1mA,I = 5uA,U = 5V。(2) A w0.98,A w 0.99。(3) A w 0.5, u1u2u1r +(1+3) + 4(RR R )R= V2E -,R = Rij r 北 Hi b1 i1*B3,(r R + R )R =、 b3b/,R = R R |R。o1 + 3o B2E oA w 77,A w 5.7,R w 12妹,R w R = 2kQ。 uus1o cA w 273,R w 27Q,R w R = 7.5kQ。 u1

9、o C(1) U = 5V,I w I = 10mA,I = 0.2mA,U = 10V。(2) 最大不失真输出电压的幅值为5V。(3) A = 75, R = 6.4Q,R w R = 500Q。(1) A =100,f = 10Hz,f = 105Hz。第四章(a) P沟道耗尽型MOS管;(a) N沟道增强型MOS管,沟道结型FET,U=-3V。(a)截止区;(b)饱和区;I m 1mA。(b)N沟道耗尽型MOS管;(c)P沟道结型FEToU = 2V ; (b) P 沟道增强型 MOS 管,U=-3V ; (c) N(c)可变电阻区;(d )饱和区。Da)能;(b)不能,U = 0没有形

10、成导电沟道,所以不能正常放大;(c)不能,因为U 0 ; (d)不能,因为缺少漏极电阻R。U = -1.53VGSQU = 3VUGSQ(2)(1)(3)AuAuRL(1) U=-2V,A = 5,R m 667Q,(1) U i =-1.24VGSQ,UDSQ=2.25V,UDSQDU = 7.41V,I = 1.53mA。=1.4V,I = 0.36mA,管子工作在可变电阻区。I = 0.25mA,R = 10KQ。,IDQ=4.75V,最大不失真幅度为。U = 2V,U = 3VA =-1.89us= -1.67I = 0.1mA。(2)A =-2,R = 36KQGSR = 20KQR

11、 = 1075KQ, R = 2MQ,RA = 0.909 ; O= -2V,U= -25, 接入时:=10KQ。R o =10KQ。R 断开时:A = 0.952 ;=6v,I = 2kA。(2)R = 1018.75KQ ; RA = 5,oR m 333Q,m 476Q。R =5KQ。R = 10KQ。U = 17.52V,输入电阻为Q,输出电阻为Q。第五章I = 1.24mA。(3)中频放大倍数为,通频带为,(1)直接,变压器,光电。(2)负载 极,共发射极,共集电极。0)偏置电路, 差,算术平均值,5V,差模,共模。(7) 射极,互补输出。(1)图f(a):6 + (1 +% )R

12、be2R1 +be1AB(3 )共集电极,共发射信号源内阻,小于有源负载。(5)温度变化,差分式放大。(6)输入输出。(8)直接,电流源,差分式,共(b):(1 +6 )(R R3 r be1R o (c):;23-be2+ (1 +p )(R R r )123 be2=R ;4(d):(1+ P ) R 2 r be2+ (1+P2) R3(-堕)rbe2R = R + r ,i 1 be1R = R 一be22o 31 +P2=R r + (1+P )(R R r ),1be13 be2B R r+ (1 +p )r 12 be22 d,rbe2be2R1 +be1 + (1 +叩0R =

13、 R1 + rbe1R = R3 ;) (- 2 8 ) r be2 (2)第一级产生的是饱和失真,增大电阻R真, A= -g(R RR rum 467 be2Q2:减小电阻R2。(1)Q1: U - 2.9V, 1BQ2 - Rb2 富+6 ) 1 冲U . = 2.2V,-R2 + U BEQ2 = VCCICQ1,R = R + R R i 312(降低静态工作点);第二级产生的是截止失-1 - 0.5mA, I = 10|iA,UI = 39.4|iA,I m 2mA,m 7.75V ;CEQ1UCEQ2 = 9V。(2)(3)r 2.85kQ,r 863Q 。R q 7.2kQ, R 56.5kQ, q 155HZ,f q 122.86kHZ。H-32(1+号)(1+jf)fL(1)A u(a)I =1.43mA ;图(21.43mA,R q 5.6kQ。R q 200Q,A q -32.55,A q 0.99 ,A q -32.2。ou1u2u图(2) IREFT3管的接入可以减小基极电流对集电流的影响,:口 误差。0 =10,I 0.9821; 0 =100,I 0.99981I 1

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