模电1-3章课后习题

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1、填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 窄 ；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变 宽 。2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 反向击穿 特性。3. 三极管工作在放大状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时，发射结应 反 偏置，集电结应 反 偏置。4. 三极管电流放大系数50，则 0.98 ；若0.99，则 99 。5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 增大 ，穿透电流ICEO 增加 ，当I

2、B不变时，发射结正向压降|UBE| 减小 。6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻RL变小时，其电压增益将变 小 。7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集 电路；通频带较宽的是 共基 电路；输入电阻较小的是 共基 电路；输出电阻较小的是 共集 电路；输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路；电压增益小于1的是 共集 电路；带负载能力较强的是 共集 电路；既有电流放大能力

3、又有电压放大能力的是 共射 电路。9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为 -77.7 ，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为 100 倍，上限频率fH 2106 Hz，下限频率fL 20 Hz，当信号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为 37 dB。11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。13

4、. 在三极管多级放大电路中，已知AV120，AV2-10，AV31，AV1是 共基 放大器，AV2是 共射 放大器，AV3是 共集 放大器。14.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 、输入电阻 比较大 、输出电阻 比较小 。15. 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。16温度升高，本征载流子浓度 增加 ；杂质半导体中少子浓度 增加 ，多子浓度 基本不变 。17.改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的 半导体中加入微量的杂质 。18.N型半导体的多数载流子是

5、自由电子 ，少数载流子是 空穴 。19.P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的 扩散运动 和少数载流子的 漂移运动 。21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。22.BJT所代表的电气元件是 双极型三极管 。23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 线性放大区 和 截止区 。24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。25.根据结构的不同，场效应管可分为 结型场效应管 和 绝缘栅型场效应管 两类。26. MOSFET所代表的电气元件是 金属氧化物半导体场效应管 。27.共集电极

6、电路又被称为 电压跟随器 ；共基极电路又被称为 电流跟随器 。28.静态工作点Q点选得过低会导致 截止 失真；Q点选得过高会导致 饱和 失真。29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求 发射区 杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很 薄 ；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是 共集电极电路 、称为电流跟随器的电路是 共基极电路 、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路 。31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是 共射极放大电路 ；仅具有电压放大作

7、用的电路是 共集电极电路 ；仅具有电流放大作用的电路是 共基极电路 。32. 场效应管是一种利用 电场效应 来控制其电流大小的半导体器件。33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于 反向击穿 （正向导通；反向截止；反向击穿）。34. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 ；输入电阻 很大 ；输出电阻 很小 。36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 窄 了。38. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟

8、道 的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感应电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。39.对于下图所示电路，设VCC=12V，Rb=510k，Rc=8 k，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,当=50，静态电流IBQ= 22A ，ICQ= 1.1mA ，管压降VCEQ= 3.2V ；若换上一个当=80，静态电流IBQ= 22A ，ICQ= 1.46mA ，管压降VCEQ= 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。40.对于下图所示电路，设VCC=12V，三级管=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路

9、中的Rb= 282.5 k ，RC= 4 k 。 41.对于下图所示电路，已知VCC=12V，Rb1=27 k，Rc=2 k,Re=1 k,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2= 12 k 。42.已知图示的放大电路中的三级管=40，VBE=0.7V，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ= 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是 饱和 失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的 ICBO 、 VBE 和 三个参数的变化，引起

10、工作点 上移 ；输出波形幅度增大，则是因为 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 共射、共基 ；若希望带负载能力强，应选用 共集 组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用 共集 组态。选择1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（ B ）。A、UAB12V B、UAB6V C、UAB6V D、UAB12V2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（ C ）。A、I2mA B、I0mA C、I1.5mA D、I1.5mA3. 在某放大电路中测得三极管

11、三个极的静态电位分别为0V、10V和9.3V，则该管为（ A ）。A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管4. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC12V，UB1.8V和UE0V，则该管是处于（ D ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏5. 有人选用最大允许集电极电流ICM20mA，最大允许电压UCEO20V，集电极最大允许耗散功率PCM100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC15mA，UCE10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏6. 某放大电路在负载开路时

12、的输出电压为6V，当接入2k的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ）。A、10k B、2k C、1k D、0.5k7. 放大电路如图所示，如UCCUBE，且ICEO0，则在静态时，该三极管工作的状态是（ B ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不定8. 电路如图所示，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（ C ）。A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。C、不影响静态工作点，只影响电压增益。D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。9两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为A1和A2，如果将它们串接成两级电

13、压放大电路时，则总的电压增益满足（ D ）。A、A1+ A2 B、A1A2 C、|A1A2 | D、|A1A2 |10. 场效应管本质上是一个（ C ）。双极型三极管本质上是一个（ A ）。A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件11N沟道JFET的跨导gm是（ C ）。A、一个固定值 B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大 D、随静态栅源电压VGS增加而减小12某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A ）。A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFETC、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFE

14、T13已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（ D ）。A、P沟道增强型MOSFET B、N沟道JFETC、P沟道耗尽型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET14硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）。A、0.6V；0.6V B、0.6V；0.1V C、0.1V；0.6V D、0.1V；0.1V15在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺16N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素17.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态18.电路如图所示，若更换晶体管，使由50变为100，则电路的电压放大倍数（ C ）。A、约为原来的一半 B、基本不变 C、约为原来的2倍 D、约为原来的4倍19. 当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电