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1、填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变 窄 ;当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变 宽 。2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的 反向击穿 特性。3. 三极管工作在放大状态时,发射结应 正 偏置,集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时,发射结应 正 偏置,集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时,发射结应 反 偏置,集电结应 反 偏置。4. 三极管电流放大系数50,则 0.98 ;若0.99,则 99 。5. 当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数 增大 ,穿透电流ICEO 增加 ,当I
2、B不变时,发射结正向压降|UBE| 减小 。6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ;若负载电阻RL变小时,其电压增益将变 小 。7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic偏小 ;产生饱和失真的原因是 Ic偏大 ;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路,其中输入电阻较大的是 共集 电路;通频带较宽的是 共基 电路;输入电阻较小的是 共基 电路;输出电阻较小的是 共集 电路;输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路;电压增益小于1的是 共集 电路;带负载能力较强的是 共集 电路;既有电流放大能力
3、又有电压放大能力的是 共射 电路。9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100,当信号频率为上限频率fH时,这时电路的实际增益为 -77.7 ,其输出与输入信号的相位相差 -225 度。10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示,由图可知,该电路的中频电压放大倍数为 100 倍,上限频率fH 2106 Hz,下限频率fL 20 Hz,当信号频率恰好为fH或fL时,实际电压增益为 37 dB。11. 在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的,漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。12. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。13
4、. 在三极管多级放大电路中,已知AV120,AV2-10,AV31,AV1是 共基 放大器,AV2是 共射 放大器,AV3是 共集 放大器。14.射极输出器的主要特点是:电压放大倍数 近似为1 、输入电阻 比较大 、输出电阻 比较小 。15. 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ,杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。16温度升高,本征载流子浓度 增加 ;杂质半导体中少子浓度 增加 ,多子浓度 基本不变 。17.改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的 半导体中加入微量的杂质 。18.N型半导体的多数载流子是
5、自由电子 ,少数载流子是 空穴 。19.P型半导体的多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 自由电子 。20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式,分别是多数载流子的 扩散运动 和少数载流子的 漂移运动 。21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。22.BJT所代表的电气元件是 双极型三极管 。23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 线性放大区 和 截止区 。24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。25.根据结构的不同,场效应管可分为 结型场效应管 和 绝缘栅型场效应管 两类。26. MOSFET所代表的电气元件是 金属氧化物半导体场效应管 。27.共集电极
6、电路又被称为 电压跟随器 ;共基极电路又被称为 电流跟随器 。28.静态工作点Q点选得过低会导致 截止 失真;Q点选得过高会导致 饱和 失真。29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件,即要求 发射区 杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度,同时基区厚度要很 薄 ;另一方面要满足外部条件,即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。30. 对应于BJT的三种基本放大电路,被称为射极输出器的电路是 共集电极电路 、称为电流跟随器的电路是 共基极电路 、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路 。31. 在BJT的三种基本放大电路中,同时具有电压和电流放大作用的电路是 共射极放大电路 ;仅具有电压放大作
7、用的电路是 共集电极电路 ;仅具有电流放大作用的电路是 共基极电路 。32. 场效应管是一种利用 电场效应 来控制其电流大小的半导体器件。33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于 反向击穿 (正向导通;反向截止;反向击穿)。34. 半导体三极管属于 电流 控制器件,而场效应管属于 电压 控制器件。35. 射极输出器的主要特点是:电压放大倍数 近似为1 ;输入电阻 很大 ;输出电阻 很小 。36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。37. 将几级放大电路串联起来后,总电压增益虽然提高了,但通频带变 窄 了。38. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变 导电沟
8、道 的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面 感应电荷 的多少,从而控制漏极电流的大小。39.对于下图所示电路,设VCC=12V,Rb=510k,Rc=8 k,VBE=0.7V,VCE(sat)=0.3V,当=50,静态电流IBQ= 22A ,ICQ= 1.1mA ,管压降VCEQ= 3.2V ;若换上一个当=80,静态电流IBQ= 22A ,ICQ= 1.46mA ,管压降VCEQ= 0.3V ,三级管工作在 饱和 状态。40.对于下图所示电路,设VCC=12V,三级管=50,VBE=0.7V,若要求静态电流ICQ=2mA,VCEQ=4V,则电路
9、中的Rb= 282.5 k ,RC= 4 k 。 41.对于下图所示电路,已知VCC=12V,Rb1=27 k,Rc=2 k,Re=1 k,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA,则Rb2= 12 k 。42.已知图示的放大电路中的三级管=40,VBE=0.7V,稳压管的稳定电压VZ=6V,则静态电流IBQ= 0.275mA ,ICQ= 11mA ,管压降VCEQ= 3V 。43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作,当到了夏天后,发现输出波形失真,且幅度增大,这时发生的失真是 饱和 失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后,三级管的 ICBO 、 VBE 和 三个参数的变化,引起
10、工作点 上移 ;输出波形幅度增大,则是因为 参数随温度升高而增大所造成,输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 共射、共基 ;若希望带负载能力强,应选用 共集 组态;若希望从信号源索取的电流小,应选用 共集 组态。选择1. 由理想二极管组成的电路如图所示,其A、B两端的电压UAB应为( B )。A、UAB12V B、UAB6V C、UAB6V D、UAB12V2. 由硅二极管组成的电路如图所示,电阻R2中的电流I为( C )。A、I2mA B、I0mA C、I1.5mA D、I1.5mA3. 在某放大电路中测得三极管
11、三个极的静态电位分别为0V、10V和9.3V,则该管为( A )。A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管4. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC12V,UB1.8V和UE0V,则该管是处于( D )。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏5. 有人选用最大允许集电极电流ICM20mA,最大允许电压UCEO20V,集电极最大允许耗散功率PCM100mW的三极管组成放大电路,其静态工作点IC15mA,UCE10V,则该管应属于下列四种状态中的( D )。A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏6. 某放大电路在负载开路时
12、的输出电压为6V,当接入2k的负载后,其输出电压为4V,这表明该放大电路的输出电阻是( C )。A、10k B、2k C、1k D、0.5k7. 放大电路如图所示,如UCCUBE,且ICEO0,则在静态时,该三极管工作的状态是( B )。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不定8. 电路如图所示,若不慎将旁路电容Ce断开,则将( C )。A、不仅影响静态工作点,而且也影响电压增益。B、只影响静态工作点,但不影响电压增益。C、不影响静态工作点,只影响电压增益。D、不影响静态工作点,也不影响电压增益。9两个独立的共射极放大电路,负载开路时的电压增益分别为A1和A2,如果将它们串接成两级电
13、压放大电路时,则总的电压增益满足( D )。A、A1+ A2 B、A1A2 C、|A1A2 | D、|A1A2 |10. 场效应管本质上是一个( C )。双极型三极管本质上是一个( A )。A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件11N沟道JFET的跨导gm是( C )。A、一个固定值 B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大 D、随静态栅源电压VGS增加而减小12某场效应管的转移特性如图所示,则该管是( A )。A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFETC、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFE
14、T13已知某FET的输出特性如图所示,试判别它是( D )。A、P沟道增强型MOSFET B、N沟道JFETC、P沟道耗尽型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET14硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为( B )。A、0.6V;0.6V B、0.6V;0.1V C、0.1V;0.6V D、0.1V;0.1V15在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于( A )。A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺16N型半导体是在纯净的本征半导体中加入( D )。A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素17.用万用表直流电压档,测得电路中晶体管(硅管)各电极相对于某一参考点的电位如图所示,从而可以判断出该晶体管工作在( D )。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态18.电路如图所示,若更换晶体管,使由50变为100,则电路的电压放大倍数( C )。A、约为原来的一半 B、基本不变 C、约为原来的2倍 D、约为原来的4倍19. 当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时,输出电