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1、微电子制造原理与技术课程设计大纲一、课程名称：微电子制造原理与技术课程设计开课专业：电子科学与技术学分/总学时：2学分，2周 实验(上机)学时：40 先修课程：半导体工艺原理与技术，数字电路，专业实验，集成电路设计制定人：李金华制定时间：2009.12.28二、课程的目的和任务课程设计是学完一门课后应用本课程知识及以前的知识积累而进行的综合性、开放性、设计性的实践训练，是培养学生工程意识和创新能力的重要环节，是检验学生灵活和牢固掌握知识的重要手段。基于上述认识，决定开设半导体工艺原理与技术的课程设计实践环节。所以开设本课程的目的是，通过对本课程的实践，更加牢固和全面地掌握信息功能薄膜材料的制备
2、方法和在微电子器件，特别是在集成电路工艺中的应用。通过本课程的训练，可以将半导体工艺原理与技术与集成电路设计、专业实验更好地结合起来，使学生掌握更加全面的专业技能。由于电子科学与技术专业的学生学过了集成电路设计，希望学生能在这二周时间内得到一定的IC设计与工艺锻炼，为以后的求职创造条件。三、课程内容和基本要求本课程设计的主要内容是将半导体工艺原理与技术的课程内容与集成电路设计、专业实验、薄膜材料与薄膜技术课程结合，结合LEDIT软件的应用，作简单CMOS器件的版图和工艺设计。本课程设计选择了35个简单实用的CMOS器件与典型工艺，要求学生通过对本课程和已学课程的复习，也可上网检索和阅读参考资料
3、，从器件原理、逻辑图，用当前世界通用的集成电路设计软件LEDIT设计版图。结合已学过的知识设计该器件的版图与工艺。对基础比较好的学生，可以对已经列出的35个简单器件或工艺标准作合理提升，相应的课题将利用难度系数来提高成绩。本次课程设计每2人1题，课题由自己选择、老师批准。同时，器件设计要用LEDIT画出版图，器件工艺要对每道工艺的制备条件和要求参数作详细说明，最后写出不少于6000字的总结。设计的版图用LEDIT.TDB的格式存档，与总结同时上交。四、时间安排本次课程设计时间为2周，共40学时。具体安排如下：1. 18周星期1，上午8：0011：00，讲述这次课程设计的要求、分组、课题选择、课
4、程设计的总结内容与写法、Ledit软件的基本使用方法。2. 18周星期2-5 8：00-11：00， 数理学院计算机房上机，资料查阅；下午学生找资料、画逻辑图、查找设计规则、设计版图的对位标记、胖瘦标记、测试图形等。3. 19周星期1-3 上午：8：00-11：00， 整理资料和设计版图；下午利用实验室的电脑和个人电脑继续作版图设计、校对和工艺规范的设计。4. 19周星期4-5 上午：8：00-11：00，信息系计算机房上机，完成LEDIT版图设计；星期5，下午3点前，交课程设计总结报告和各班集成录制的版图设计LEDIT.TDB光盘。 五、课程设计题目 说明：以下课题设计可以使用正胶，也可使用
5、负胶，但每套光刻版只能使用一种光刻胶。1. 画出2输入端与非门的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；2. 画出2输入端或非门的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；3. 画出六反相器的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；4. 画出2输入端与门的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；5. 画出同步RS触发器的原理图，用LEDIT软件画出6微
6、米铝栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；6. 画出准静态D触发器的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；7. 画出斯密特触发器的逻辑图，用LEDIT软件画出6微米铝栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；8. 画出2输入端与非门的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；9. 画出2输入端或非门的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；10. 画出六反相器
7、的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；11. 画出2输入端与门的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；12. 画出同步RS触发器的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；13. 画出准静态D触发器的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 14. 画出斯密特触发器的原理图，用LEDIT软件画出6微米铝栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄
8、膜制备工艺和性能参数；15. 画出2输入端与非门的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 16. 画出2输入端或非门的逻辑图，用LEDIT软件画出3微米硅栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；17. 画出六反相器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 18. 画出2输入端与门的逻辑图，用LEDIT软件画出3微米硅栅P阱CMOS工艺的版图，出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 19. 画出同步RS触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米
9、硅栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 20. 画出准静态D触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 21. 画出斯密特触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅P阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 22. 画出2输入端与非门的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 23. 画出2输入端或非门的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 24
10、. 画出六反相器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 25. 画出2输入端与门的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 26. 画出同步RS触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 27. 画出准静态D触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 28. 画出斯密特触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图
11、，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 29. 画出2输入端与非门的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅双阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 30. 画出2输入端或非门的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅双阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 31. 画出六反相器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅双阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 32. 画出2输入端与门的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅双阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数；33. 画出同步RS触发器的原理图，用
12、LEDIT软件画出3微米硅栅双阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 34. 画出准静态D触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅双阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 35. 画出斯密特触发器的原理图，用LEDIT软件画出3微米硅栅双阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数； 36. 允许学生自己学择集成度不低于20的其它CMOS电路，作铝栅或硅栅单阱或双阱的CMOS工艺版图设计和工艺设计。六、评分标准评分标准由下列评分点决定，总分可以超过100分。评分点优秀良好中等及格逻辑图正确正确正确基本正确版图层次、结构、规则
13、正确层次、规则正确，结构基本正确层次正确，规则、结构基本正确层次、规则、结构基本正确工艺流程正确、全面正确基本正确基本正确薄膜性能要求正确、全面正确基本正确基本正确薄膜制备工艺正确、全面正确基本正确基本正确总结撰写正确、重点突出6000字以上，版图、数据齐全正确，6000字以上，版图、数据齐全正确，5000字以上，版图、数据齐全正确，4000字以上，版图、数据齐全难度系数铝栅 1，硅栅 1.2，触发器1.2 ，双阱1.2， 最高1.4总分：（原理图10% + 版图30% +工艺流程20% + 薄膜性能10% +薄膜制备10% + 总结 20%） 难度系数（ 超过1.4 的安1.4计算）七、分组名单及设计题目组号名 单设 计 题 目
