DW01 锂电池保护 中文版

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1、、主要特性静态电流典型值:4.0uA待机电流(检测到过放之后)典型值:0.2uA过充检测精度(Top t=25 C)土 50mV过充检测精度(Topt=0到50C)土 60mV过放检测精度土 100mV过放检测电压2.0V 至U 3.0V,每步 0.005V过流保护0.04V 至U 0.32V,每步 0.04V过充延迟(VDD=4.4V)110mS过放延迟(VDD=2.2V带有内置电容)22mS (最小值)封装SOT23-6/6-pi n二、基本描述DW01是一款单节可充电锂电池保护集成电路,具有过充、过放、过流及短路保护功能。IC内部包含:三个电压检测电路、一个基准电路、一个延迟电路、一个短

2、路保护电路和一 个逻辑电路。当充电电压逐渐增大超过过充检测电路的阈值VDET1时,Cout Pin的输出电压 即过充检测电路的输出电压VD1会变到低电位,也就是充电器负端的电位。在进入过充保护状 态后,当VDD电压降低到VREL1下方或者当电池组脱离充电器而接一个负载,且VDD介于 VDET1与VREL1之间时VD1可以复位,即Cout Pin输出变为高电位。当放电电压低于过放检测电路的阈值VDET2时,经过一段固定的延迟时间,Dout Pin的 输出即过放检测电路的输出VD2会变为低电位。这时,若给电池充电,当电池电压上升到过放 检测电路的阈值电压之上时,VD2恢复,Dout的输出电压变为高

3、电平。当有过流情况出现时,内部过流检测电路会检测到,经过一段固定的延迟时间后,VD3和 Dout变为低电平,放电回路被切断。这时,若将电池组从负载系统中分开,VD3会恢复使Dout 变为高电平。当有外部短路电流时,短路保护电路会立即使Dou t变为低电位,当外部短路电流消失后, Dout会转换为高电位。在检测到过放之后,会通过关闭一些内部电路使电源电流非常低。IC 过充检测电路的延迟时间可以通过连接外部电容进行设置。Cout Pin和Dout Pin的输出类型 是CMOS。封装形式为SOT23-6。三、电路框图四、Pin脚图DW011LJ2TA五、Pin脚定义Pin脚位符号Pin描述1Dout

4、过放检测电路的输出,CMOS输出2V-充电器的负端输入Pin3Cout过充检测电路的输出,CMOS输出4空脚位5VDD电源6Vss地六、最大绝对额定值符号项目额定值单位V-输入电压V-VDD-18 至U VDD+0.3VVcoutCout PinVDD-18 至U VDD+0.3VVdoutDout PinVDD-0.3 至U VDD+0.3VPD功耗150mWTopt工作温度范围-30 到 85CTstq储存温度范围-55 到 125C最大绝对额定值是极限值,在任何情况下都不能片刻超过。而且,任两项不能同时达到此 值。在最大绝对额定值以上工作会引起器件特性衰退或者永久损坏。这里仅强调额定值,

5、并不 表示在额定值下实际的工作情况。七、电气特性符号项目条件最小值典型值最大值单位VDD1输入电压VDD至【I VSS之间的电压1.510VVDET1过充阈值电压检测电源电压的上升沿温度25 C4.254.304.35V050C*Note4.244.304.36VVREL1过充检测恢复电压4.054.104.15VtVDET1过充保护延迟时间VDD=3.6V to 4.4V80110140msVDET2过放阈值电压检测电源电压的下降沿2.302.402.50VVREL2过放检测恢复电压2.903.003.10VtVDET2过放保护延迟时间VDD=3.6V to 2.2V22msVDET3过流阈

6、值电压检测“V-” pin电压的上升沿0.120.150.18VtVDET3过流保护延迟时间VDD=3.0V51015msVshort短路保护电压VDD=3.9V1.201.351.50Vtshort短路保护延迟时间VDD=3.0V1050usVol1Cout Pin N沟道导通电压VDD=4.4V0.350.5VVoh1Cout Pin P沟道导通电压lol=50uA.VDD=3.9V3.43.7VVol2Dout Pin N沟道导通电压Iol=-50uA VDD = 2 2V0.20.5VVoh2Dout Pin P沟道导通电压lol=50uA.VDD=3.9V3.43.7VIDD静态电流

7、VDD=3.9V, V-=0V46uAIstandbv待机电流VDD=2.0V0.20.3uA*注意:考虑到工艺参数的波动,我们采用trim来补偿与温度有关的参数。然而,此规格书 是由设计而不是产品测试来保证的。八、工作过程1. VD1/过充检测VD1监控VDD pin的电压。当VDD电压逐渐升高超过过充检测电路的阈值VDET1时,VD1 会检测到过充,同时将Cout Pin的输出转为低电位使得承担外部充电控制的N MOS管关断。 有两种情况可以让VD1复位,使Cout Pin的输出重新回到高电位,从而使系统重新恢复到充 电过程。第一种情况是VDD电压拉低到“VREL1”以下;第二种情况,是将

8、电池组与充电器断 开,并连接一负载放电,使VDD值降低到介于“VDET1”和“VREL1”之间。在检测到过充并且 VDD电压高于V DET1时,电池连接到负载使负载电流流过外部充电控制MOSFET的寄生二极 管。当VDD通过负载电流的持续抽取被拉低到VDET1以下时,Cout Pin输出转为高电平。当 VDD高于VDET1后在一定的输出延迟时间内又降回到低于VDET1,VD1将不会输出一个信号 来关断充电控制的MOSFET。Cout Pin的电平转换器与缓冲驱动器结合在一起使Cout Pin的 低电平为V- Pin的电压,而且Cout Pin的高电平为VDD电压。2. VD2/过放检测VD2监

9、控VDD Pin的电压。当VDD电压低于过放检测电路的阈值电压VDET2时,VD2 会检测到过放,同时Dout Pin输出为低电平使得外部过放控制N MOS管关断。在进入到过放保护状态后,为了使VD2复位并且Dout Pin的输出恢复到高电平,对 DW01而言,必须要给电池组充电。如果VDD电压维持在过放检测电路的阈值电压VDET2 之下,充电电流会通过外部放电控制M OSFET的寄生二极管路径。当V DD电压重新升高到 VDET2之上时,Dout Pin转换为高电平,这时放电过程将可以通过导通的放电控制MOSFET继续进行。将电池组连接到充电器,当VDD电压高于VDET2时,Dout Pin

10、电位立即变为高电平。对DW01来说,当VDD电压等于或者高于过放恢复电压/VDET2时,过放保护情况会被 解除。过放检测电路的延迟时间是固定的,当VDD=2.2V时tVDET2最小为22ms。当VDD电压 低于VDET2后在一定的输出延迟时间内又重新被拉高到高于VDET2, VD2将不会输出一个信 号来关断放电控制的MOSFET。VD2检测到过放之后,静态电流会减小到典型值0.2uA (VDD=2.0V),此时只有充电检测 电路工作。Dout Pin的输出类型具有CMOS特性,即输出高电平为VDD,输出低电平为Vss。3. VD3/过流检测,短路检测过流检测电路和短路保护电路在两个控制MOSF

11、ET同时为“ON”时才能工作。当V- Pin 的电压值介于短路保护电压Vshort和过流保护阈值电压VDET3之间时,过流检测电路工作并 且提高V- Pin的电压高于Vshort使短路保护电路工作,从而使Dout Pin的输出为低电平,夕卜 部放电控制N MOS管被关断。过流检测电路的延迟时间是固定的,在VDD=3.0V时,典型值 是10ms。在这个延迟时间内,如果V- Pin从介于Vshort和VDET3之间的一个电位快速恢复, 会使放电控制MOSFET保持“H”。当短路保护电路开始工作时,Dout Pin将会输出低电平, 其延迟时间的典型值为10us。V- Pin有一个连接到Vss Pin

12、的内置下拉电阻,典型值为100 kOhm。当IC进入过流或短路保护状态后,如果将引起过流或外部短路的因素消除,可以使外 部放电控制MOSFET自动导通,同时v- Pin的电位通过内部下拉电阻拉低到VSS。如果VDD电压升高到VDET2以上同时又检测到过流时,DW01不会进入待机模式,除非VDD电压低于VDET2, DW01才会进入待机模式。九、应用电路R1100QDW01EhR2R1和C1可以使得提供给DW01的电源电压稳定。建议R1的阻值小于IkOhm。R1值太 大将导致检测电压升高,产生错误。R1和R2可能会导致IC功耗超过DW01的功耗额定值,R1+R2的总值要超过1kOhm。3g+ 0 10_oo5DWp 014锂电池尿护13十、封装尺寸单位:毫米)45OT-23-6+J(OE5)丄(0 9骯0 6+0 10 帕 0/12 90 219+0 2

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